半导体金属淀积装置及简易欧姆接触测量方法与流程

本发明涉及功率器件检测，特别涉及一种半导体金属淀积装置及简易欧姆接触测量方法。

背景技术：

1、在功率半导体器件中，欧姆接触的质量对于其性能和可靠性至关重要。欧姆接触指的是金属电极与半导体材料之间的接触，它决定了电流在器件中的传输效率和稳定性。良好的欧姆接触能够提供低电阻和稳定的电流传输路径，从而降低功率损耗、提高设备效率，并确保器件在高负载条件下的可靠性。

2、然而，目前的欧姆接触检测方法通常需要繁琐的工艺步骤，接触电阻一般采用tlm的方式进行检测，测量接触电阻流程包括晶圆上淀积金属，随后依次进行光刻、刻蚀和退火，再进行接触电阻的检测。通过接触电阻的检测，能够发现功率器件的工艺是否存在问题。由于接触电阻的检测是在多道工序流程之后，导致一旦其中部分工艺出现问题后，检测需要较长时间才能发现，异常无法及时发现。

3、因此，有必要开发一种新的技术来减少欧姆接触公工艺步骤的复杂性。这样的技术将能够降低生产成本，并确保功率半导体器件的高质量和可靠性。这种技术的引入将为功率半导体器件制造业带来巨大的好处，并推动行业的发展和进步。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种半导体金属淀积装置及简易的欧姆接触测量方法。

2、一种半导体金属淀积装置，包括：图形结构和定位结构；

3、所述图形结构具有相背设置的淀积面和定位面，所述图形结构按预设图形形状沿预设方向开设有若干淀积孔，且各所述淀积孔贯穿所述淀积面和所述定位面；

4、所述定位结构与所述图形结构连接，所述定位结构用于对待淀积的半导体晶圆定位，以使得所述半导体晶圆与所述图形结构的所述定位面平行，半导体晶圆的表面与图形结构的淀积孔相对；

5、图形结构的定位面可以完全覆盖半导体晶圆的表面。

6、在其中一个实施例中，所述定位结构与所述图形结构一体成型。

7、在其中一个实施例中，所述定位结构包括限位挡墙，所述限位挡墙连接于所述定位面的外侧边缘，所述限位挡墙沿所述图形结构的外侧边缘设置，所述限位挡墙的内侧形成定位槽，定位槽用以容纳半导体晶圆。

8、在其中一个实施例中，所述限位挡墙远离所述图形结构的一端设置有至少三个卡扣，各所述卡扣朝向所述定位槽的内侧凸起设置。

9、在其中一个实施例中，所述定位结构还包括至少一个顶针，各所述顶针凸起设置于所述定位面，且所述顶针凸起于所述定位面的高度小于所述限位挡墙凸起于所述定位面的高度。

10、在其中一个实施例中，所述图形结构于所述定位面凸起设置有若干延伸部，各所述延伸部沿着各所述淀积孔的边缘设置。

11、在其中一个实施例中，所述图形结构于所述定位面凸起设置有若干延伸部，各所述延伸部沿着各所述淀积孔的边缘设置；所述延伸部的长度小于所述顶针的长度。

12、在其中一个实施例中，所述顶针设置于所述定位面上靠近所述定位面的边缘的位置。

13、在其中一个实施例中，所述图形结构和所述定位结构的全表面包覆有耐酸层。

14、一种运用上述任一实施例中所述的半导体金属淀积装置进行金属淀积的简易欧姆接触测量方法，其特征在于，包括：

15、提供半导体晶圆；

16、利用所述金属淀积装置的所述定位结构对所述半导体晶圆定位，以使得所述半导体晶圆的一面与所述图形结构的所述定位面平行，且对齐所述图形结构的各所述淀积孔；

17、通过所述图形结构的各所述淀积孔对所述半导体晶圆淀积金属，以在所述半导体晶圆表面形成金属图案层。

18、上述半导体金属淀积装置及简易欧姆接触测量方法，通过图形结构上的具有预设图形形状的淀积孔对半导体晶圆进行金属淀积，使得该半导体晶圆无需经过光刻、刻蚀的工序步骤，有效地精简了半导体晶圆的检测工序，且能够缩短检测的时间，在产品出现异常时，能够更快地发现，减少受影响的产品的数量。

技术特征：

1.一种半导体金属淀积装置，其特征在于，包括：图形结构和定位结构；

2.根据权利要求1所述半导体金属淀积装置，其特征在于，所述定位结构与所述图形结构一体成型。

3.根据权利要求1所述半导体金属淀积装置，其特征在于，所述定位结构包括限位挡墙，所述限位挡墙连接于所述定位面的外侧边缘，所述限位挡墙沿所述图形结构的外侧边缘设置，所述限位挡墙的内侧形成定位槽，定位槽用以容纳半导体晶圆。

4.根据权利要求3所述半导体金属淀积装置，其特征在于，所述限位挡墙远离所述图形结构的一端设置有至少三个卡扣，各所述卡扣朝向所述定位槽的内侧凸起设置。

5.根据权利要求3所述半导体金属淀积装置，其特征在于，所述定位结构还包括至少一个顶针，各所述顶针凸起设置于所述定位面，且所述顶针凸起于所述定位面的高度小于所述限位挡墙凸起于所述定位面的高度。

6.根据权利要求1-5任一项中所述的半导体金属淀积装置，其特征在于，所述图形结构于所述定位面凸起设置有若干延伸部，各所述延伸部沿着各所述淀积孔的边缘设置。

7.根据权利要求5所述半导体金属淀积装置，其特征在于，所述图形结构于所述定位面凸起设置有若干延伸部，各所述延伸部沿着各所述淀积孔的边缘设置；所述延伸部的长度小于所述顶针的长度。

8.根据权利要求5所述半导体金属淀积装置，其特征在于，所述顶针设置于所述定位面上靠近所述定位面的边缘的位置。

9.根据权利要求1-5任一项中所述的半导体金属淀积装置，其特征在于，所述图形结构和所述定位结构的全表面包覆有耐酸层。

10.一种运用权利要求1-9任一项中所述的半导体金属淀积装置进行金属淀积的简易欧姆接触测量方法，其特征在于，包括：

技术总结
本发明提供一种半导体金属淀积装置及简易欧姆接触测试方法，该装置包括图形结构和定位结构；图形结构具有相背设置的淀积面和定位面，图形结构按预设图形形状沿预设方向开设有若干淀积孔，且各淀积孔贯穿淀积面和定位面；定位结构与图形结构连接，定位结构用于对待淀积的半导体晶圆定位，以使得半导体晶圆与图形结构的定位面平行，且对齐图形结构的各淀积孔。通过图形结构上的具有预设图形形状的淀积孔对半导体晶圆进行金属淀积，使得该半导体晶圆无需经过光刻、刻蚀的工序步骤，有效地精简了欧姆接触的检测工序，且能够缩短检测的时间，在产品出现异常时，能够更快地发现，减少受影响的产品的数量。

技术研发人员：冯尹,张鹏
受保护的技术使用者：珠海格力电子元器件有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15