一种低压压敏电阻器的制备方法和低压压敏电阻器与流程

本发明涉及电阻器制备，特别是涉及一种低压压敏电阻器的制备方法和低压压敏电阻器。

背景技术：

1、压敏电阻器是一种电路中常用的防雷击、防瞬态过电压电子元件。行业中一般将68v以下电压段的压敏电阻定义为低压压敏电阻器。低压压敏电阻器在雷击能量的承受能力上通常比高压压敏电阻器要低。比如目前市面上的7k系统的低压电阻器芯片按照常规制备工艺，在8/20μs冲击电流波形下的通流性能只能达到250a，在超过250a后，压敏电压值雷击前后变化率会大于10％，这使得产品仅仅具有常规的通流能力，而无法达到通流性能超过500a的高能水平。为了解决这一问题，目前亟需一种在不增加工艺复杂度的基础上提升压敏电阻通流能力的电阻器制备方法。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本发明提供了一种低压压敏电阻器的制备方法和低压压敏电阻器，以能够解决现有的低压压敏电阻器的通流性能不高的问题，达到提升雷电冲击性能和稳定性的技术效果。

2、第一方面，本发明提供了一种低压压敏电阻器的制备方法，所述方法包括：

3、对电阻陶瓷片进行被银和烧银，得到压敏电阻芯片；

4、按照热处理曲线对所述压敏电阻芯片进行热处理；

5、对热处理后的所述压敏电阻芯片进行焊接成型，得到低压压敏电阻器。

6、进一步地，在所述对电阻陶瓷片进行被银和烧银之前还包括：

7、按照配比将各组分混合并进行球磨和砂磨，得到粉末混合物；

8、对所述粉末混合物进行造粒、成型和烧结，得到电阻陶瓷片。

9、进一步地，所述按照热处理曲线对所述压敏电阻芯片进行热处理的步骤包括：

10、按照热处理曲线对放置有所述压敏电阻芯片的焙烧炉进行设置，以使所述焙烧炉中的热处理温度按照第一速率从常温上升至第一预设温度，保持所述第一预设温度直至预设时长，按照第二速率下降至第二预设温度，并通过自然降温继续下降至常温。

11、进一步地，所述按照热处理曲线对所述压敏电阻芯片进行热处理的步骤包括：

12、按照热处理曲线对放置有所述压敏电阻芯片的焙烧炉进行设置，以使所述焙烧炉中的热处理温度按照第一速率从常温上升至第一预设温度，保持所述第一预设温度直至预设时长，按照第二速率下降至第二预设温度，并按照第三速率继续下降至常温。

13、进一步地，所述第一预设温度为550℃，所述第一速率和所述第二速率均为60℃/h，所述预设时长为60min，所述第二预设温度为300℃。

14、进一步地，所述第三速率为60℃/h。

15、进一步地，所述烧银的温度设置在1100℃以下。

16、进一步地，所述烧结的温度设置在560℃以下。

17、第二方面，本发明提供了一种低压压敏电阻器，所述电阻器采用如上所述方法制备而成。

18、本发明提供了一种低压压敏电阻器的制备方法和低压压敏电阻器。通过所述方法，在低压压敏电阻器的制备过程中增加热处理步骤，有效控制了电极和低压压敏瓷体的结合度，极大的消除了电极与瓷体烧银后的残余应力，从而提高了低压压敏电阻器的通流性能。

技术特征：

1.一种低压压敏电阻器的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的低压压敏电阻器的制备方法，其特征在于，在所述对电阻陶瓷片进行被银和烧银之前还包括：

3.根据权利要求1所述的低压压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述按照热处理曲线对所述压敏电阻芯片进行热处理的步骤包括：

4.根据权利要求1所述的低压压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述按照热处理曲线对所述压敏电阻芯片进行热处理的步骤包括：

5.根据权利要求3和4任一项所述的低压压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述第一预设温度为550℃，所述第一速率和所述第二速率均为60℃/h，所述预设时长为60min，所述第二预设温度为300℃。

6.根据权利要求4所述的低压压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述第三速率为60℃/h。

7.根据权利要求2所述的低压压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述烧银的温度设置在1100℃以下。

8.根据权利要求2所述的低压压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述烧结的温度设置在560℃以下。

9.一种低压压敏电阻器，其特征在于，所述电阻器采用权利要求1至8任一项所述方法制备而成。

技术总结
本发明涉及电阻器制备技术领域，公开了一种低压压敏电阻器的制备方法和低压压敏电阻器，所述方法通过对电阻陶瓷片进行被银和烧银，得到压敏电阻芯片；按照热处理曲线对所述压敏电阻芯片进行热处理；对热处理后的所述压敏电阻芯片进行焊接成型，得到低压压敏电阻器。本发明通过在低压压敏电阻器的制备过程中增加热处理步骤，有效控制了电极和低压压敏瓷体的结合度，极大的消除了电极与瓷体烧银后的残余应力，从而提高了低压压敏电阻器的通流性能。

技术研发人员：余奇,梁戈仁,李建明
受保护的技术使用者：广东风华高新科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15