形成半导体结构的方法与流程

本公开实施例是关于一种形成半导体结构的方法，特别是关于一种晶圆修整和接合(wafer trimming and bonding)制程。

背景技术：

1、晶圆对晶圆接合(wafer-to-wafer bonding)常用于集成电路的封装。举例来说，具有贯穿装置晶圆的基板的贯通孔(through-vias)的装置晶圆可以接合到载体晶圆或另一装置晶圆。然后可以减薄装置晶圆，并可以在基板的背面形成电连接件。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种形成半导体结构的方法。所述方法包括在第一晶圆之上形成蚀刻遮罩，其中蚀刻遮罩覆盖第一晶圆的内部部分。所述方法包括进行晶圆边缘修整制程以修整第一晶圆的边缘部分，蚀刻遮罩保护第一晶圆的内部部分不被蚀刻，其中边缘部分形成环绕内部部分的完整的环。所述方法包括去除蚀刻遮罩。所述方法包括将第一晶圆接合到第二晶圆。

2、本公开实施例提供一种形成半导体结构的方法。所述方法包括在第一晶圆之上施加光阻剂，其中第一晶圆具有圆形俯视形状，且第一晶圆包括半导体基板和位于半导体基板之上的至少一介电层。所述方法包括进行微影制程以图案化光阻剂，使得光阻剂覆盖第一晶圆的圆形内部部分。所述方法包括进行第一蚀刻制程以蚀刻位于第一晶圆的边缘部分中的至少一介电层，使半导体基板的第一顶面暴露。所述方法包括进行第二蚀刻制程以蚀刻位于第一晶圆的边缘部分中的半导体基板，使半导体基板凹陷以具有低于第一顶面的第二顶面。所述方法包括去除光阻剂。

3、本公开实施例提供一种形成半导体结构的方法。所述方法包括在第一半导体基板之上形成多个第一介电层以形成第一晶圆。所述方法包括蚀刻第一晶圆的第一边缘部分以蚀刻穿过所述多个第一介电层并使第一半导体基板凹陷，其中第一晶圆的第一边缘部分具有环形。所述方法包括将第二晶圆接合到第一晶圆。

技术特征：

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

2.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中该第一晶圆包括一半导体基板和位于该半导体基板之上的多个介电层，且其中在该晶圆边缘修整制程中，该些介电层被蚀刻穿过，且该半导体基板的一顶面部分被蚀刻。

3.如权利要求2所述的形成半导体结构的方法，其中在该晶圆边缘修整制程之后，直接位于该顶面部分的该半导体基板的一下部具有一顶面，且该顶面是平坦的。

4.如权利要求2所述的形成半导体结构的方法，其中在该晶圆边缘修整制程之后，直接位于该顶面部分的该半导体基板的一下部具有一顶面，且该顶面包括一平坦内侧部分和在该平坦内侧部分的一外侧的一凸起部分。

5.如权利要求2所述的形成半导体结构的方法，其中在该晶圆边缘修整制程之后，直接位于该顶面部分的该半导体基板的一下部具有一顶面，且该顶面包括一平坦内侧部分和在该平坦内侧部分的一外侧的一向下弯曲部分。

6.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中该晶圆边缘修整制程是在将该第一晶圆接合到该第二晶圆之前进行。

7.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中该晶圆边缘修整制程是在将该第一晶圆接合到该第二晶圆之后进行，且在该晶圆边缘修整制程中，该第一晶圆和该第二晶圆均被修整。

8.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，更包括在将该第一晶圆接合到该第二晶圆之前，对该第二晶圆进行一附加晶圆边缘修整制程，且其中所述形成半导体结构的方法更包括在将该第一晶圆接合到该第二晶圆之后，减薄该第二晶圆。

9.一种形成半导体结构的方法，包括：

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

技术总结
一种形成半导体结构的方法，包括在第一晶圆之上形成蚀刻遮罩，蚀刻遮罩覆盖第一晶圆的内部部分。进行晶圆边缘修整制程以修整第一晶圆的边缘部分，蚀刻遮罩保护第一晶圆的内部部分不被蚀刻，边缘部分形成环绕内部部分的完整的环。所述方法还包括去除蚀刻遮罩，以及将第一晶圆接合到第二晶圆。

技术研发人员：王伟民,林瑀宏,戴世芃,余国宠
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15