中性束退火装置和制造显示装置的方法与流程

本公开涉及中性束退火装置和通过中性束退火装置制造显示装置的方法，并且更具体地涉及用于形成高质量薄膜层的中性束退火装置和通过中性束退火装置制造显示装置的方法。

背景技术：

1、一般而言，在诸如有机发光显示装置的显示装置中，多个薄膜晶体管可以被形成在基板上。薄膜晶体管各自包括半导体层、源电极、漏电极、栅电极等，并且因此可以包括使用原子层沉积装置形成的薄膜层。期望执行退火工艺以改善薄膜层的电特性。

技术实现思路

1、当有机膜被用作显示装置的基板时，在通过现有退火装置对薄膜层进行退火的工艺期间，有机膜的温度升高，并且因此，有机膜被损坏。本公开是为了解决包括上述问题的各种问题，并且提供一种减少对基板的损坏并实现高质量的薄膜层的中性束退火装置，以及一种通过中性束退火装置制造显示装置的方法。然而，这仅仅是实施例之一，并且本公开的范围不限于此。

2、附加特征将部分地在以下描述中阐述，并且部分地将从该描述而显而易见，或者可以通过本公开的呈现的实施例的实践而得知。

3、在本公开的一实施例中，一种中性束退火装置包括：等离子体室，具有圆筒形状；第一气体供应器，被配置以向所述等离子体室的内部供应形成等离子体的第一气体；第一电极，联接到所述等离子体室的上部；感应线圈，卷绕在所述等离子体室的外周周围并被配置以从高频电源接收高频电压；第二电极，面对所述第一电极并联接到所述等离子体室的下部，并且在所述第二电极中限定通孔；基板支撑件，被配置以支撑待退火的基板并调节所述基板与所述第二电极之间的垂直距离；退火室，容纳所述基板支撑件；以及压力控制器，被配置以向所述退火室供应第二气体并调节所述退火室中的压力。

4、在一实施例中，所述基板的上表面与所述第二电极之间的距离可以满足以下等式1：

5、[等式1]

6、

7、其中x表示所述基板的所述上表面与所述第二电极之间的距离，enb表示到达所述基板的所述上表面的中性粒子的能量，vth表示等离子体鞘层电压，并且l表示所述退火室中的所述第二气体的平均自由程。

8、在一实施例中，到达所述基板的所述上表面的所述中性粒子的能量enb可以从约0.05电子伏特(ev)至约1ev。

9、在一实施例中，所述第二电极可以被配置以被施加小于或等于约1伏特(v)的电压。

10、在一实施例中，所述第二电极可以为浮置电极。

11、在一实施例中，所述第二气体可以包括惰性气体。

12、在一实施例中，所述第二气体可以包括氩(ar)气。

13、在一实施例中，所述第一气体可以包括ar气。

14、在一实施例中，所述第二电极可以为碳板电极。

15、在本公开的一实施例中，一种制造显示装置的方法包括：在基板上形成薄膜层；以及通过根据实施例中的任一个的中性束退火装置对形成在容纳在所述退火室中的所述基板上的所述薄膜层进行退火。

16、除了上述的特征和优点之外的其它特征和优点从用于实施本公开的以下详细描述、权利要求书和附图而将变得显而易见。

技术特征：

1.一种中性束退火装置，包括：

2.根据权利要求1所述的中性束退火装置，其中所述基板的上表面与所述第二电极之间的距离满足以下等式：

3.根据权利要求2所述的中性束退火装置，其中到达所述基板的所述上表面的所述中性粒子的能量enb从0.05电子伏特至1电子伏特。

4.根据权利要求1所述的中性束退火装置，其中所述第二电极被配置以被施加小于或等于1伏特的电压。

5.根据权利要求1所述的中性束退火装置，其中所述第二电极为浮置电极。

6.根据权利要求1所述的中性束退火装置，其中所述第二气体包括惰性气体。

7.根据权利要求6所述的中性束退火装置，其中所述第二气体包括氩气。

8.根据权利要求1所述的中性束退火装置，其中所述第一气体包括氩气。

9.根据权利要求1所述的中性束退火装置，其中所述第二电极为碳板电极。

10.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

技术总结
本公开涉及中性束退火装置和制造显示装置的方法。所述中性束退火装置包括：等离子体室，具有圆筒形状；第一气体供应器，用以供应用于形成等离子体的第一气体；第一电极，联接到所述等离子体室的上部；感应线圈，卷绕在所述等离子体室的外周周围并被配置以从高频电源接收高频电压；第二电极，联接到所述等离子体室的下部，并且通孔被限定在所述第二电极中；基板支撑件，被配置以支撑待退火的基板并调节所述基板与所述第二电极之间的垂直距离；退火室，容纳所述基板支撑件；以及压力控制器，被配置以向所述退火室供应第二气体。

技术研发人员：深沢孝之
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/25