一种电阻结构的加工方法与流程

本发明涉及电子元件加工，特别涉及一种电阻结构的加工方法。

背景技术：

1、随着科技发展，对高精准电子设备的生产精准度要求越来越高；现有电阻结构一般包括基板、电阻层、电极和绝缘层，电阻层设置于基板上，电极设于电阻层的两侧，绝缘层覆盖于电阻层上；在加工的过程中，电极容易蔓延至绝缘层部分，进而影响电阻结构的电阻值；并且在电镀电极时，可能会造成电极的上表面形成凸起，严重时会导致电极镀至绝缘层上，进而影响电阻结构的阻值；电极蔓延和电极的形状通过现有技术都难以实现精准控制，导致所生产的电阻结构的阻值稳定性较差。

技术实现思路

1、本发明的主要目的是提出一种电阻结构的加工方法，旨在解决目前生产的电阻结构的阻值稳定性较差。

2、为实现上述目的，本发明提出的电阻结构的加工方法，包括以下步骤：

3、在电阻层的上表面形成第一绝缘层；

4、在第一绝缘层中形成若干电极区域，所述若干电极区域沿所述第一绝缘层的长度方向排列设置；

5、在所述第一绝缘层的上表面形成限高层；

6、在所述电极区域内形成电极层，所述电极层的两侧与相邻的所述第一绝缘层连接，所述电极层的上表面与所述限高层接触；

7、去除所述限高层得到电阻结构成品。

8、可选地，所述在第一绝缘层中形成若干电极区域，所述若干电极区域沿所述第一绝缘层的长度方向排列设置；在所述第一绝缘层的上表面形成限高层的步骤，包括以下步骤：

9、通过对所述第一绝缘层曝光定义所述若干电极区域的设置区域；

10、在所述第一绝缘层的上表面形成限高层后，再对所述第一绝缘层的未曝光区域通过显影去除，形成所述若干电极区域。

11、可选地，所述在电阻层的上表面形成第一绝缘层的步骤，包括以下步骤：

12、所述第一绝缘层的厚度范围为10um～200um。

13、可选地，在所述第一绝缘层的上表面形成限高层的步骤，包括以下步骤：

14、在所述绝缘层的上表面形成若干限高层，所述限高层的数量与所述电极区域的数量相等；所述限高层位于所述电极区域的上方；

15、所述第一绝缘层被所述若干电极区域分割形成若干第一绝缘块，所述限高层的两端分别与相邻的第一绝缘块连接。

16、可选地，所述在第一绝缘层中形成若干电极区域，所述若干电极区域沿所述第一绝缘层的长度方向排列设置；在所述第一绝缘层的上表面形成限高层的步骤，包括以下步骤：

17、通过对所述第一绝缘层曝光定义所述若干电极区域的设置区域；

18、对所述第一绝缘层的未曝光区域通过显影去除，形成所述若干电极区域；

19、在所述第一绝缘层的上方以及所述若干电极区域内形成第二绝缘层；

20、通过对所述第二绝缘层除所述若干电极区域以外的区域曝光；

21、对所述第二绝缘层的曝光区域通过显影去除，剩下部分形成若干第二绝缘柱，所述第二绝缘柱凸出于所述第一绝缘层；

22、在所述第二绝缘柱的上部形成所述限高层，所述限高层与所述第一绝缘层连接。

23、可选地，所述形成覆盖所述第二绝缘柱的限高层，所述限高层与所述第一绝缘层连接的步骤，包括以下步骤：

24、所述第一绝缘层被所述若干电极区域分割形成若干第一绝缘块；所述限高层包覆所述第二绝缘柱的上部，所述限高层的两端与相邻的第一绝缘块的顶部连接。

25、可选地，所述在所述第一绝缘层的上方以及所述若干电极区域内形成第二绝缘层的步骤，包括以下步骤：

26、在所述第一绝缘块的外表面形成第三绝缘层；

27、在所述第三绝缘层的上方以及所述若干电极区域内形成第二绝缘层；和/或，

28、所述第一绝缘层的厚度范围为10um～100um；

29、所述第二绝缘层位于第一绝缘层上表面的部分的厚度范围为10um～100um。

30、可选地，所述在所述第一绝缘层的上方以及所述若干电极区域内形成第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层采用不同绝缘材料的步骤，还包括以下步骤：

31、所述第一绝缘层包括防焊油墨层，所述第二绝缘层包括正型光阻层；和/或，

32、所述第一绝缘层包括防焊油墨层，所述第二绝缘层包括正型光阻层或负型光阻层。

33、可选地，所述在所述第一绝缘层的上表面形成限高层的步骤，包括以下步骤：

34、所述限高层的厚度范围为0.1um～20um；和/或，

35、所述限高层包括二氧化硅层。

36、可选地，在所述电极区域内形成电极层，所述电极层的两侧与相邻的所述第一绝缘层连接，所述电极层的上表面与所述限高层接触的步骤，还包括以下步骤：

37、通过电镀使电极区域内形成电极。

38、本发明的技术方案通过采用在电阻层的上表面形成第一绝缘层；随后在第一绝缘层中形成若干电极区域，若干电极区域沿第一绝缘层的长度方向排列设置；然后在第一绝缘层的上表面形成限高层；随之在电极区域内形成电极层，电极层的两侧与相邻的第一绝缘层连接，电极层的上表面与限高层接触；最后去除限高层得到电阻结构成品；通过利用限高层使得电极层的上表面形成平整面，精准控制电阻结构中电极层上表面的形状，避免电极层产生凸状结构，提高电阻结构的生产质量；同时避免出现电极层顶部蔓延至第一绝缘层的情况，提高了电阻结构的阻值的生产稳定性。

技术特征：

1.一种电阻结构的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，所述在第一绝缘层中形成若干电极区域，所述若干电极区域沿所述第一绝缘层的长度方向排列设置；在所述第一绝缘层的上表面形成限高层的步骤，包括以下步骤：

3.如权利要求2所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，所述在电阻层的上表面形成第一绝缘层的步骤，包括以下步骤：

4.如权利要求2所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，在所述第一绝缘层的上表面形成限高层的步骤，包括以下步骤：

5.如权利要求1所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，所述在第一绝缘层中形成若干电极区域，所述若干电极区域沿所述第一绝缘层的长度方向排列设置；在所述第一绝缘层的上表面形成限高层的步骤，包括以下步骤：

6.如权利要求5所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第二绝缘柱的限高层，所述限高层与所述第一绝缘层连接的步骤，包括以下步骤：

7.如权利要求6所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层的上方以及所述若干电极区域内形成第二绝缘层的步骤，包括以下步骤：

8.如权利要求7所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层的上方以及所述若干电极区域内形成第二绝缘层的步骤，还包括以下步骤：

9.如权利要求1至8中任意一项所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层的上表面形成限高层的步骤，包括以下步骤：

10.如权利要求1至8中任意一项所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，在所述电极区域内形成电极层，所述电极层的两侧与相邻的所述第一绝缘层连接，所述电极层的上表面与所述限高层接触的步骤，还包括以下步骤：

技术总结
本发明公开一种电阻结构的加工方法，包括以下步骤：在电阻层的上表面形成第一绝缘层；在第一绝缘层中形成若干电极区域，若干电极区域沿第一绝缘层的长度方向排列设置；在第一绝缘层的上表面形成限高层；在电极区域内形成电极层，电极层的两侧与相邻的第一绝缘层连接，电极层的上表面与限高层接触；去除限高层得到电阻结构成品。本发明的技术方案通过利用限高层使得电极层的上表面形成平整面，精准控制电阻结构中电极层上表面的形状，避免电极层产生凸状结构，提高电阻结构的生产质量；同时避免出现电极层顶部蔓延至第一绝缘层的的情况，提高了电阻结构的阻值的生产稳定性。

技术研发人员：江显伟
受保护的技术使用者：钧崴电子科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15