一种封装结构的制作方法

本公开涉及半导体，尤其涉及一种封装结构。

背景技术：

1、集成电路芯片正朝着微小化、高密度、高功率、高速的趋势发展。

2、但是，高功率运算会导致集成电路芯片产生较高的热量，微小化和高密度又会导致集成电路芯片的散热能力差，若集成电路芯片内温度过高，则集成电路芯片的性能会降低，以及使用寿命会缩短。

技术实现思路

1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开的第一方面，提供了一种封装结构，包括：

3、基板；

4、芯片结构，设置在所述基板上；

5、散热结构，设置在所述基板上；

6、塑封料，设置在所述基板上，且包覆所述芯片结构和所述散热结构；

7、其中，所述散热结构包括：

8、至少一个第一导热结构，设置在所述基板上，且竖直延伸至所述塑封料的顶部；

9、第二导热结构，设置在所述第一导热结构上，所述第二导热结构平行于所述基板，且所述第二导热结构位于所述塑封料内。

10、在一些实施例中，所述第一导热结构包括：

11、第一导热体，设置在所述基板上；

12、第二导热体，设置在所述第一导热体上，且延伸至所述塑封料的顶部；

13、其中，所述第一导热体的尺寸大于或等于所述第二导热体的尺寸。

14、在一些实施例中，所述第二导热结构上包括通孔，所述通孔的尺寸大于或等于所述第二导热体的尺寸。

15、在一些实施例中，所述第二导热结构位于所述芯片结构上，且所述通孔与所述芯片结构之间存在间隙。

16、在一些实施例中，所述通孔位于所述第一导热结构与所述第二导热结构的交接处。

17、在一些实施例中，所述第一导热结构包括多个所述第二导热体，多个所述第二导热体共用所述第二导热结构。

18、在一些实施例中，所述第一导热体插设和/或焊接在所述基板中。

19、在一些实施例中，所述第二导热结构的尺寸小于或等于所述第一导热体的尺寸。

20、在一些实施例中，所述芯片结构包括：

21、第一芯片，设置在所述基板上，通过第一引线电连接所述基板；

22、第二芯片，设置在所述第一芯片上，通过第二引线电连接所述基板；

23、其中，所述第二导热结构位于所述第一引线和所述第二引线之间，或者，所述第二导热结构位于所述第一引线或所述第二引线下方。

24、在一些实施例中，所述散热结构包括两个所述第一导热结构，两个所述第一导热结构横跨所述芯片结构，所述第一导热结构与所述芯片结构之间存在间隙。

25、本公开提供的封装结构中，将第一导热结构设置于基板并且第一导热结构竖直延伸至塑封料的顶部，利于基板以及芯片结构中的热量经过第一导热结构传导至塑封料外部；第二导热结构与第一导热结构相连且平行于基板设置，使得芯片结构产生的热量还能够依次通过第二导热结构和第一导热结构传递至塑封料外部，以降低封装结构的温度，减小功耗、提升性能。

26、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

技术特征：

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一导热结构包括：

3.根据权利要求1-2任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第二导热结构上包括通孔，所述通孔的尺寸大于或等于所述第二导热体的尺寸。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第二导热结构位于所述芯片结构上，且所述通孔与所述芯片结构之间存在间隙。

5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述通孔位于所述第一导热结构与所述第二导热结构的交接处。

6.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一导热结构包括多个所述第二导热体，多个所述第二导热体共用所述第二导热结构。

7.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一导热体插设和/或焊接在所述基板中。

8.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二导热结构的尺寸小于或等于所述第一导热体的尺寸。

9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片结构包括：

10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述散热结构包括两个所述第一导热结构，两个所述第一导热结构横跨所述芯片结构，所述第一导热结构与所述芯片结构之间存在间隙。

技术总结
本公开提供了一种封装结构，封装结构包括基板、芯片结构、散热结构和塑封料，散热结构包括至少一个第一导热结构，第一导热结构设置于基板上，且竖直延伸至塑封料的顶部，散热结构还包括第二导热结构，第二导热结构与第一导热结构相连，且第二导热结构平行于基板设置。本公开中，将第一导热结构设置于基板并且第一导热结构竖直延伸至塑封料的顶部，利于基板以及芯片结构中的热量经过第一导热结构传导至塑封料外部；第二导热结构与第一导热结构相连且平行于基板设置，使得芯片结构产生的热量还能够依次通过第二导热结构和第一导热结构传递至塑封料外部，以降低封装结构的温度，减小功耗、提升性能。

技术研发人员：潘涛,任振徽
受保护的技术使用者：长鑫科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15