一种多膜层结构及制备方法与流程

本发明涉及半导体，更具体地说，涉及一种多膜层结构及制备方法。

背景技术：

1、激光蚀刻的基本原理是将高光束质量的小功率激光(一般为紫外线激光)聚焦成极小光斑，在焦点处形成高功率密度，使基材表面材料瞬间蒸发，形成孔、缝、槽等；常规加工工艺包括激光切割、蚀刻、钻孔等工艺，激光蚀刻具有无接触性、柔性化程度高、加工速度快、无噪声、热影响区小、可聚焦到激光波长级的极小光斑等优越性，可以获得优异的尺寸精度和加工质量，在对加工精度和工艺控制要求较高的领域中应用十分广泛，如薄膜激光蚀刻应用等，例如，氧化铟锡(ito)激光蚀刻机是利用激光在ito玻璃上和ito膜层表面上进行ito涂层蚀刻的精密设备，可以实现在玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、ito镀膜、多晶膜及其它氧化物薄膜上进行各种不同尺寸的高精度、高速刻蚀，并且可以加工多种规格的电极。

2、mini-led或者micro-led在生产的过程中，需要在玻璃基板上形成线路，利用激光蚀刻机刻蚀掉mini-led膜层或者micro-led膜层中玻璃基板上的部分金属膜层，以形成mini-led线路或者micro-led线路也是可行的，并且激光蚀刻工艺简单高效，在设备中导入cad图纸，并采用ccd相机自动定位加工，就可以一次性成型，不需要昂贵的掩模版，不同线路只需采用不同的cad图纸，这种加工方式仅消耗电力，对环境友好无污染，易于产业自动化建设。

3、虽然如今激光的能量可以做到精确控制，但仍有个别原因(如电压不稳)导致激光在刻蚀过程中出现波动，这会产生两种结果：若激光能量较小，刻蚀金属膜层得到的凹槽会出现刻蚀不净，从而导致线路短路，产品报废；若激光能量增大，会损伤到玻璃基板，降低玻璃基板的强度，缩减产品的使用寿命；在实际操作中，为了避免出现线路短路，一般会采用略大于额定能量的刻蚀能量，结果会导致在玻璃基板上造成轻微的损伤。

技术实现思路

1、有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种多膜层结构及制备方法，技术方案如下：

2、一种多膜层结构，所述多膜层结构包括：

3、基板；至少位于所述基板一侧的激光反射膜层；

4、位于所述激光反射膜层背离所述基板一侧的金属膜层；所述金属膜层具有图案化凹槽，所述图案化凹槽是基于激光刻蚀工艺对所述金属膜层进行激光刻蚀所得到的；

5、所述激光反射膜层用于将通过所述图案化凹槽的激光吸收或向远离所述基板的方向进行反射。

6、可选的，在上述多膜层结构中，所述激光反射膜层的材料为介电材料。

7、可选的，在上述多膜层结构中，所述介电材料为五氧化二钽材料、五氧化二铌材料、三氧化二铝材料、二氧化钛材料、氮化硅材料和硫化锌材料中的一种或多种。

8、可选的，在上述多膜层结构中，所述激光反射膜层的厚度取值范围为70nm-80μm。

9、可选的，在上述多膜层结构中，所述金属膜层的材料为铜材料或金材料或银材料或铝材料。

10、可选的，在上述多膜层结构中，所述金属膜层的厚度取值范围为500nm-3μm。

11、一种多膜层结构的制备方法，用于制备上述任一所述的多膜层结构，所述制备方法包括：

12、提供一基板；

13、至少在所述基板一侧形成激光反射膜层；

14、在所述激光反射膜层背离所述基板一侧形成金属膜层；

15、基于激光刻蚀工艺对所述金属膜层进行激光刻蚀形成图案化凹槽；所述激光反射膜层用于将通过所述图案化凹槽的激光吸收或向远离所述基板的方向进行反射。

16、可选的，在上述制备方法中，所述至少在所述基板一侧形成激光反射膜层，包括：

17、采用真空溅磁控射法至少在所述基板一侧制备激光反射膜层。

18、可选的，在上述制备方法中，所述在所述激光反射膜层背离所述基板一侧形成金属膜层，包括：

19、采用真空磁控溅射法在所述激光反射膜层背离所述基板一侧制备金属膜层。

20、可选的，在上述制备方法中，所述基于激光刻蚀工艺对所述金属膜层进行激光刻蚀形成图案化凹槽，包括：

21、基于激光刻蚀工艺，采用皮秒紫外激光器对所述金属膜层进行激光刻蚀形成图案化凹槽。

22、相较于现有技术，本发明实现的有益效果为：

23、本发明提供了一种多膜层结构，该多膜层结构中，金属膜层上的图案化凹槽是通过激光刻蚀工艺刻蚀得到的，激光刻蚀工艺中发射的激光在完成图案化凹槽的刻蚀之后，会有部分激光通过图案化凹槽射入激光反射膜层，该激光反射膜层将射入的激光进行吸收或者反射向远离基板的方向，避免了激光对基板的损坏，提高了产品的使用寿命。

技术特征：

1.一种多膜层结构，其特征在于，所述多膜层结构包括：

2.根据权利要求1所述的多膜层结构，其特征在于，所述激光反射膜层的材料为介电材料。

3.根据权利要求2所述的多膜层结构，其特征在于，所述介电材料为五氧化二钽材料、五氧化二铌材料、三氧化二铝材料、二氧化钛材料、氮化硅材料和硫化锌材料中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的多膜层结构，其特征在于，所述激光反射膜层的厚度取值范围为70nm-80μm。

5.根据权利要求1所述的多膜层结构，其特征在于，所述金属膜层的材料为铜材料或金材料或银材料或铝材料。

6.根据权利要求1所述的多膜层结构，其特征在于，所述金属膜层的厚度取值范围为500nm-3μm。

7.一种多膜层结构的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-6所述的多膜层结构，所述制备方法包括：

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述至少在所述基板一侧形成激光反射膜层，包括：

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述激光反射膜层背离所述基板一侧形成金属膜层，包括：

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述基于激光刻蚀工艺对所述金属膜层进行激光刻蚀形成图案化凹槽，包括：

技术总结
本发明提供了一种多膜层结构及制备方法，该多膜层结构中，金属膜层上的图案化凹槽是通过激光刻蚀工艺刻蚀得到的，激光刻蚀工艺中发射的激光在完成图案化凹槽的刻蚀之后，会有部分激光通过图案化凹槽射入激光反射膜层，该激光反射膜层将射入的激光进行吸收或者反射向远离基板的方向，避免了激光对基板的损坏，提高了产品的使用寿命。

技术研发人员：张迅,易伟华,曾庆乐,洪华俊,邱晓宇,陈才,叶上稔
受保护的技术使用者：江西沃格光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15