设备、半导体装置及其重布层结构的制作方法

本申请案涉及半导体，且更特定来说，涉及设备、半导体装置及其重布层结构。

背景技术：

1、半导体装置可包含半导体衬底上的多个金属层。半导体装置可在顶部金属层的布线之间的空间中具有气隙。气隙减小顶部金属层中横向方向上的布线之间的电容且降低半导体装置的功耗。

2、半导体装置可包含半导体衬底上的金属层上的重布层或重布层结构。重布层包含绝缘层及其中的通路且提高布线布局及电路阵列布局的效率。

技术实现思路

1、根据本申请案的一个方面，提供一种设备。所述设备包括金属层及所述金属层上的重布层。所述重布层包括：绝缘层；通路，其在所述绝缘层中，所述通路在平面图中具有矩形形状；及重布金属层，其在所述通路的所述矩形形状的较短边上具有第一厚度且在所述通路的所述矩形形状的较长边上具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。

2、根据本申请案的另一方面，提供一种半导体装置。所述半导体装置包括半导体衬底上的金属层及所述金属层上的重布层。所述重布层包括：绝缘层；及通路，其在所述绝缘层中，所述通路延伸穿过所述绝缘层且到达所述金属层。所述通路在平面图中具有矩形形状以在所述金属层之上提供在第一水平方向上较短且在第二水平方向上较长的通路开口。

3、根据本申请案的又一方面，提供一种重布层结构。所述重布层结构包括：绝缘层；通路，其在所述绝缘层中，所述通路在竖直方向上延伸穿过所述绝缘层；及重布金属层，其在所述通路的内侧壁及所述绝缘层的上表面上。所述通路在平面图中具有矩形形状以提供在第一水平方向上较短且在第二水平方向上较长的通路开口。所述重布金属层包含所述通路的所述内侧壁上的侧部分。所述重布金属层的所述侧部分在所述通路的所述矩形形状的较短边上具有第一厚度且在所述通路的所述矩形形状的较长边上具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述通路的高度与所述通路的较短边长之间的宽高比等于或大于1.0。

4.根据权利要求1所述的设备，其中

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述气隙不暴露于所述重布层的所述绝缘层的上表面上。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述金属层是多个金属层中的顶部金属层。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备是存储器装置。

8.一种半导体装置，其包括：

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述通路的高度与所述通路的较短边长之间的宽高比等于或大于1.0。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述重布金属层包含铝。

13.根据权利要求8所述的半导体装置，其中

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述气隙的顶部部分高于所述相邻金属布线中的每一者的上表面。

15.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述气隙不暴露于所述重布层的所述绝缘层的上表面上。

16.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述金属层是所述半导体衬底上的多个金属层中的顶部金属层。

17.一种重布层结构，其包括：

18.根据权利要求17所述的重布层结构，其中

19.根据权利要求17所述的重布层结构，其中所述通路的高度与所述通路的较短边长之间的宽高比等于或大于1.0。

20.根据权利要求17所述的重布层结构，其中

技术总结
本申请案涉及设备、半导体装置及其重布层结构。根据本公开的一或多个实施例，提供一种设备，其包括金属层及所述金属层上的重布层。所述重布层包含绝缘层、通路及重布金属层。所述通路在所述绝缘层中且在平面图中具有矩形形状。所述重布金属层在所述通路的所述矩形形状的较短边上具有第一厚度且在所述通路的所述矩形形状的较长边上具有第二厚度。所述第二厚度大于所述第一厚度。

技术研发人员：杉冈繁,川北惠三
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/27