本申请属于太阳能电池,尤其涉及一种太阳能电池及其激光掺杂方法、电池组件、光伏系统。
背景技术:
1、太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源,其利用半导体p-n结的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能。硼选择性发射极在光照钝化区域进行低硼掺杂,降低俄歇复合和寄生吸收,而在金属接触区域进行重硼掺杂,降低金属接触复合和接触电阻,从而提高其载流子选择性,提高电池效率。但是由于硼和硅的原子尺寸差距较大,激光束难以进行硼掺杂。
2、基于此,如何进行激光掺杂以提高光电转换效率,成为了亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请提供一种太阳能电池及其激光掺杂方法、电池组件、光伏系统,旨在解决如何进行激光掺杂以提高光电转换效率的问题。
2、第一方面,本申请提供的太阳能电池的激光掺杂方法,包括:
3、提供硅片,所述硅片包括待激光掺杂层和掺杂源,所述掺杂源设于所述待激光掺杂层;
4、利用预设波长范围内的至少两种激光照射所述掺杂源,对所述待激光掺杂层进行掺杂;其中,所述预设波长范围为300nm-600nm。
5、可选地,所述待激光掺杂层包括轻掺层,所述掺杂源包括硼硅玻璃,在所述利用预设波长范围内的至少两种激光照射所述掺杂源对所述待激光掺杂层进行掺杂的步骤之前,所述激光掺杂方法包括:
6、对所述硅片进行硼扩散,形成所述轻掺层和所述硼硅玻璃。
7、可选地,所述待激光掺杂层包括硅衬底表面层,所述掺杂源包括硼硅玻璃、硼浆料、掺硼氮化硅、掺硼碳化硅、掺硼非晶硅、掺硼多晶硅中的至少一种。
8、可选地,利用预设波长范围内的至少两种激光照射所述掺杂源对所述待激光掺杂层进行掺杂,包括:
9、利用紫外光照射所述掺杂源;
10、利用绿光照射所述紫外光照射后的所述掺杂源。
11、可选地,在所述利用紫外光照射所述掺杂源的步骤中,所述紫外光的波长为320nm-380nm,扫描速率为5m/s-100m/s,功率为5w-100w;
12、和/或,在所述利用绿光照射所述紫外光照射后的所述掺杂源的步骤中,所述绿光的波长为530nm-600nm,扫描速率为5m/s-100m/s,功率为5w-100w。
13、可选地,在所述利用预设波长范围内的至少两种激光照射所述掺杂源对所述待激光掺杂层进行掺杂的步骤后,所述激光掺杂方法包括:
14、利用湿法刻蚀工艺处理激光照射后的所述硅片。
15、可选地,在所述利用预设波长范围内的至少两种激光照射所述掺杂源对所述待激光掺杂层进行掺杂的步骤后,所述激光掺杂方法包括:
16、对所述激光照射后的所述硅片进行后氧化处理。
17、本申请实施例的太阳能电池,包括掺杂层,所述掺杂层由上述任一项的太阳能电池的激光掺杂方法制成。
18、本申请实施例的电池组件,包括上述的太阳能电池。
19、本申请实施例的光伏系统,包括上述的电池组件。
20、本申请实施例的太阳能电池及其激光掺杂方法、电池组件、光伏系统,由于利用波长在300nm-600nm内的至少两种激光进行掺杂,故可以利用不同激光的特性,提高掺杂的效果,可以降低金属接触复合和接触电阻,有利于提高光电转换效率。
1.一种太阳能电池的激光掺杂方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的激光掺杂方法,其特征在于,所述待激光掺杂层包括轻掺层,所述掺杂源包括硼硅玻璃,在所述利用预设波长范围内的至少两种激光照射所述掺杂源对所述待激光掺杂层进行掺杂的步骤之前,所述激光掺杂方法包括:
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的激光掺杂方法,其特征在于,所述待激光掺杂层包括硅衬底表面层,所述掺杂源包括硼硅玻璃、硼浆料、掺硼氮化硅、掺硼碳化硅、掺硼非晶硅、掺硼多晶硅中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的激光掺杂方法,其特征在于,利用预设波长范围内的至少两种激光照射所述掺杂源对所述待激光掺杂层进行掺杂,包括:
5.根据权利要求4所述的太阳能电池的激光掺杂方法,其特征在于,在所述利用紫外光照射所述掺杂源的步骤中,所述紫外光的波长为320nm-380nm,扫描速率为5m/s-100m/s,功率为5w-100w;
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的激光掺杂方法,其特征在于,在所述利用预设波长范围内的至少两种激光照射所述掺杂源对所述待激光掺杂层进行掺杂的步骤后,所述激光掺杂方法包括:
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的激光掺杂方法,其特征在于,在所述利用预设波长范围内的至少两种激光照射所述掺杂源对所述待激光掺杂层进行掺杂的步骤后,所述激光掺杂方法包括:
8.一种太阳能电池,其特征在于,包括掺杂层,所述掺杂层由权利要求1至7任一项所述的太阳能电池的激光掺杂方法制成。
9.一种电池组件,其特征在于,包括权利要求8所述的太阳能电池。
10.一种光伏系统,其特征在于,包括权利要求9所述的电池组件。