异质结太阳能电池及其制备方法与流程

本公开涉及太阳能电池，尤其涉及异质结太阳能电池及其制备方法。

背景技术：

1、异质结(heterojunction with intrinsic thin layer，简称hjt)太阳能电池目前越来越受到业内关注，异质结电池结构通常是以硅衬底为中心，在硅衬底两侧的掺杂型非晶硅与硅衬底之间沉积一层本征非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了pn结的性能，使异质结太阳能电池的转换效率提高。

2、如何提升异质结太阳能电池的电池效率，是业界考虑的课题。

技术实现思路

1、鉴于以上相关技术的缺点，本公开的目的在于提供异质结太阳能电池及其制备方法，以解决相关技术中异质结太阳能电池效率低的技术问题。

2、本公开第一方面提供一种异质结太阳能电池，其包括：

3、硅基底，硅基底的正面及背面中至少一面设置为金字塔结构的绒面；

4、设置于硅基底正面及背面的硅基薄膜，硅基薄膜包括本征层及设置于本征层背离硅基底一侧的掺杂层，设置于硅基底正面和背面的掺杂层的掺杂类型相反，其中覆盖金字塔结构的硅基薄膜的厚度越接近硅基底越小；

5、设置于每层硅基薄膜背离硅基底一侧的透明导电层及栅线电极。

6、在可选实施例中，本征层为双层结构，包括：

7、本征氢化非晶氧化硅层和本征氢化纳米晶硅层；

8、本征氢化非晶氧化硅层比本征氢化纳米晶硅层靠近硅基底。

9、在可选实施例中，本征氢化非晶氧化硅层的厚度范围为4-8nm。

10、在可选实施例中，本征氢化纳米晶硅层的厚度范围为5-10nm。

11、在可选实施例中，掺杂层为掺杂微晶碳氧化硅层。

12、在可选实施例中，位于硅基底正面的掺杂微晶碳氧化硅层具有n型掺杂，n型掺杂激活浓度不小于1+e17/cm3；位于硅基底背面的掺杂微晶碳氧化硅层具有p型掺杂，p型掺杂激活浓度不小于1+e16/cm3。

13、在可选实施例中，掺杂层的掺杂浓度自硅基底向栅线电极的方向递增。

14、在可选实施例中，设置于硅基底正面的掺杂层具有n型掺杂，设置于硅基底背面的掺杂层具有p型掺杂；

15、位于硅基底正面的栅线电极的栅线密度大于位于硅基底背面的栅线电极的栅线密度。

16、在可选实施例中，异质结太阳能电池还包括：

17、减反射层，设置于硅基底正面的透明导电层背离硅基底的一侧；

18、减反射层比硅基底正面的透明导电层具有更高的透光性。

19、本公开第二方面还提供一种异质结太阳能电池的制备方法，其包括：

20、对硅基底正面及背面的至少一面进行制绒，获得金字塔结构的绒面；

21、在硅基底正面及背面形成硅基薄膜，硅基薄膜包括本征层及设置于本征层背离硅基底一侧的掺杂层，其中覆盖金字塔结构的硅基薄膜的厚度越接近硅基底越小；

22、在每层硅基薄膜背离硅基底一侧形成透明导电层及栅线电极。

23、如上，本公开实施例中提供异质结太阳能电池及其制备方法，异质结太阳能电池包括：硅基底，硅基底的正面及背面中至少一面设置为金字塔结构的绒面；设置于硅基底正面及背面的硅基薄膜，硅基薄膜包括本征层及设置于本征层背离硅基底一侧的掺杂层，设置于硅基底正面和背面的掺杂层的掺杂类型相反，其中覆盖金字塔结构的硅基薄膜的厚度越接近硅基底越小；设置于每层硅基薄膜背离硅基底一侧的透明导电层及栅线电极。金字塔结构的塔尖为应力集中点，依次向下应力逐渐变小，在透明导电层的镀膜过程中，由于塔尖硅基薄膜厚度较厚，则可以阻挡塔尖区域的透明导电材料被轰击进入硅基底的界面处，进而防止界面复合，提升异质结太阳能电池的电池效率。

技术特征：

1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述本征层为双层结构，包括：

3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述本征氢化非晶氧化硅层的厚度范围为4-8nm。

4.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述本征氢化纳米晶硅层的厚度范围为5-10nm。

5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述掺杂层为掺杂微晶碳氧化硅层。

6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池，其特征在于，位于所述硅基底正面的掺杂微晶碳氧化硅层具有n型掺杂，n型掺杂激活浓度不小于1+e17/cm3；位于所述硅基底背面的掺杂微晶碳氧化硅层具有p型掺杂，p型掺杂激活浓度不小于1+e16/cm3。

7.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述掺杂层的掺杂浓度自所述硅基底向栅线电极的方向递增。

8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，设置于所述硅基底正面的掺杂层具有n型掺杂，设置于所述硅基底背面的掺杂层具有p型掺杂；

9.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池还包括：

10.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述异质结太阳能电池的制备方法包括：

技术总结
本公开实施例中提供异质结太阳能电池及其制备方法，异质结太阳能电池包括：硅基底，硅基底的正面及背面中至少一面设置为金字塔结构的绒面；设置于硅基底正面及背面的硅基薄膜，硅基薄膜包括本征层及设置于本征层背离硅基底一侧的掺杂层，设置于硅基底正面和背面的掺杂层的掺杂类型相反，其中覆盖金字塔结构的硅基薄膜的厚度越接近硅基底越小；设置于每层硅基薄膜背离硅基底一侧的透明导电层及栅线电极。金字塔结构的塔尖为应力集中点，依次向下应力逐渐变小，在透明导电层的镀膜过程中，由于塔尖硅基薄膜厚度较厚，则可以阻挡塔尖区域的透明导电材料被轰击进入硅基底的界面处，进而防止界面复合，提升异质结太阳能电池的电池效率。

技术研发人员：高纪凡,孟子博,白焱辉,李宏伟,霍亭亭,侯承利,杨广涛,陈达明
受保护的技术使用者：天合光能股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16