半导体激光器的制作方法

本公开总体上涉及一种半导体激光器。

背景技术：

1、半导体激光器广泛用作光通信中使用的光源。分布反馈半导体激光器(dfb激光器)是一种类型的半导体激光器。dfb激光器包括衍射光栅。此外，可以使用窗口结构来抑制由刻面反射的返回光。

技术实现思路

1、半导体激光器包括用于产生光的有源层。由有源层产生的光束的波长具有一定宽度。光栅被布置成使得具有特定波长的光强烈地振荡。此外，当在衍射光栅中采用相移结构时，光可以以单个波长振荡。在许多情况下，作为光通信的信号源，优选的是，特定波长与另一波长之间的强度比是较大的。该强度比被称为“边模抑制比(smsr)”。smsr受半导体激光器的刻面处的光反射的相位状态的影响。因此，当激光在刻面处反射时，在一些情况下，由于例如谐振器长度的变化而不能获得期望的smsr。作为防止在刻面上反射的方法，存在其中在刻面上形成低反射刻面涂膜(下文中称为“ar膜”)的结构。然而，在一些情况下，由于例如ar膜的制造中的变化而在smsr中产生缺陷，因此不能充分抑制刻面处的反射，从而导致半导体激光器的成本增加。

2、本文所述的一些实施方式提供了一种半导体激光器，其减少了刻面处的光反射。

3、在一些实施方式中，半导体激光器包括：衬底；台面结构，所述台面结构形成在所述衬底上以包括衍射光栅层和有源层，所述衍射光栅层包括相移部分；窗口结构，所述窗口结构布置所述台面结构的在所述台面结构的纵向方向上的两端和所述半导体激光器的两个刻面之间；以及形成在所述两个刻面上的低反射刻面涂膜，其中所述窗口结构的有效折射率低于所述有源层的有效折射率。

4、在一些实施方式中，提供了一种smsr产率(yield)优异的半导体激光器。

技术特征：

1.一种半导体激光器，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，还包括掩埋层，所述掩埋层在所述台面结构的横向方向上形成在所述台面结构的两侧上。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其中，所述窗口结构由与所述掩埋层的材料相同的材料形成。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其中，所述窗口结构和所述掩埋层具有相同的深度。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器，还包括：

6.根据权利要求5所述的半导体激光器，其中，所述台面结构在所述光放大器部分中的宽度大于所述台面结构在所述激光器部分中的宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器，

8.根据权利要求1所述的半导体激光器，还包括高折射率层，所述高折射率层布置在所述衬底的关于所述台面结构和所述窗口结构的一侧上，并且具有比所述窗口结构的有效折射率更高的有效折射率。

9.根据权利要求8所述的半导体激光器，其中，所述高折射率层的宽度大于所述台面结构的宽度。

10.根据权利要求8所述的半导体激光器，其中，所述窗口结构被布置成避开所述高折射率层。

技术总结
本文描述的一些实施方式提供了一种边模抑制比(SMSR)产率优异的半导体激光器。半导体激光器包括：衬底；台面结构，其形成在所述衬底上以包括衍射光栅层和有源层，所述衍射光栅层包括相移部分；窗口结构，其布置在所述台面结构的在所述台面结构的纵向方向上的两端和所述半导体激光器的两个刻面之间；以及形成在所述两个刻面上的低反射刻面涂膜，并且所述窗口结构的有效折射率低于所述有源层的有效折射率。

技术研发人员：中村厚
受保护的技术使用者：朗美通日本株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/4/7