本发明涉及半导体元件的制造方法、半导体层支承结构体和半导体基板。
背景技术:
1、以往,公知有通过研磨使半导体层的表面平坦化的技术(例如参照专利文献1)。
2、专利文献1:日本特开2006-86388号公报(参照摘要)
3、但是,在研磨步骤中,很难准确地控制半导体层的精加工厚度。
技术实现思路
1、本发明的目的在于,能够在研磨步骤中准确地控制半导体层的精加工厚度。
2、本发明的半导体元件的制造方法具有以下步骤:在蓝宝石基板上形成具有蓝宝石基板侧的第1面及其相反侧的第2面的多个半导体层的步骤;接合步骤,将多个半导体层的第2面隔着粘接部件与保持部件接合;剥离步骤,对多个半导体层的第1面照射激光,将多个半导体层从蓝宝石基板剥离;以及研磨步骤,对多个半导体层的第1面进行研磨。多个半导体层中的至少1个半导体层具有从第2面朝向第1面延伸的研磨用标记部。在研磨步骤中进行研磨,直到研磨用标记部在研磨面露出为止。
3、根据本发明,能够一边确认研磨用标记部是否在研磨面露出一边进行研磨,因此,能够准确地控制半导体层的精加工厚度。
1.一种半导体元件的制造方法,该半导体元件的制造方法具有以下步骤:
2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法,其中,
3.根据权利要求2所述的半导体元件的制造方法,其中,
4.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法,其中,
5.根据权利要求4所述的半导体元件的制造方法,其中,
6.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法,其中,
7.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法,其中,
8.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法,其中,
9.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法,其中,
10.一种半导体层支承结构体,该半导体层支承结构体具有:
11.根据权利要求10所述的半导体层支承结构体,其中,
12.根据权利要求10或11所述的半导体层支承结构体,其中,
13.一种半导体基板,该半导体基板具有:
14.根据权利要求13所述的半导体基板,其中,
15.根据权利要求13所述的半导体基板,其中,