半导体元件的制造方法、半导体层支承结构体和半导体基板与流程

文档序号:37848345发布日期:2024-05-07 19:22阅读:23来源:国知局
半导体元件的制造方法、半导体层支承结构体和半导体基板与流程

本发明涉及半导体元件的制造方法、半导体层支承结构体和半导体基板。


背景技术:

1、以往,公知有通过研磨使半导体层的表面平坦化的技术(例如参照专利文献1)。

2、专利文献1:日本特开2006-86388号公报(参照摘要)

3、但是,在研磨步骤中,很难准确地控制半导体层的精加工厚度。


技术实现思路

1、本发明的目的在于,能够在研磨步骤中准确地控制半导体层的精加工厚度。

2、本发明的半导体元件的制造方法具有以下步骤:在蓝宝石基板上形成具有蓝宝石基板侧的第1面及其相反侧的第2面的多个半导体层的步骤;接合步骤,将多个半导体层的第2面隔着粘接部件与保持部件接合;剥离步骤,对多个半导体层的第1面照射激光,将多个半导体层从蓝宝石基板剥离;以及研磨步骤,对多个半导体层的第1面进行研磨。多个半导体层中的至少1个半导体层具有从第2面朝向第1面延伸的研磨用标记部。在研磨步骤中进行研磨,直到研磨用标记部在研磨面露出为止。

3、根据本发明,能够一边确认研磨用标记部是否在研磨面露出一边进行研磨,因此,能够准确地控制半导体层的精加工厚度。



技术特征:

1.一种半导体元件的制造方法,该半导体元件的制造方法具有以下步骤:

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法,其中,

3.根据权利要求2所述的半导体元件的制造方法,其中,

4.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法,其中,

5.根据权利要求4所述的半导体元件的制造方法,其中,

6.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法,其中,

7.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法,其中,

8.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法,其中,

9.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法,其中,

10.一种半导体层支承结构体,该半导体层支承结构体具有:

11.根据权利要求10所述的半导体层支承结构体,其中,

12.根据权利要求10或11所述的半导体层支承结构体,其中,

13.一种半导体基板,该半导体基板具有:

14.根据权利要求13所述的半导体基板,其中,

15.根据权利要求13所述的半导体基板,其中,


技术总结
半导体元件的制造方法、半导体层支承结构体和半导体基板。在研磨步骤中,能够准确地控制半导体层的精加工厚度。半导体元件的制造方法具有以下步骤:在蓝宝石基板(11)上形成具有蓝宝石基板侧的第1面(12s)及其相反侧的第2面(12t)的多个半导体层(12)的步骤;接合步骤,将多个半导体层的第2面隔着粘接部件(14)与保持部件(15)接合;剥离步骤,对多个半导体层的第1面照射激光,将多个半导体层从蓝宝石基剥离;以及研磨步骤,对多个半导体层的第1面进行研磨。多个半导体层中的至少1个半导体层具有从第2面朝向第1面延伸的研磨用标记部(12h)。在研磨步骤中进行研磨,直到研磨用标记部在研磨面露出为止。

技术研发人员:十文字伸哉,小酒达,铃木贵人,谷川兼一,中井佑亮,川田宽人,松尾元一郎,北岛由隆
受保护的技术使用者:冲电气工业株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/5/6
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