本公开大体上涉及半导体装置及形成半导体装置的方法。举例来说,本公开涉及用于半导体裸片的柔性中介层。
背景技术:
1、半导体封装包含外壳,所述外壳容纳一或多个半导体装置,例如集成电路。半导体装置组件可在半导体晶片上制造,然后切割成裸片并封装。半导体封装保护内部组件免受损坏,并包含用于例如经由球、引脚或引线将内部组件连接到外部组件(例如,电路板)的装置。半导体封装有时称为半导体装置组合件。
技术实现思路
1、在一个方面中,本公开涉及一种半导体装置组合件,其包括:第一半导体裸片;第二半导体裸片,其与所述第一半导体裸片呈堆叠布置;以及柔性中介层,其安置在所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间,所述柔性中介层包括:第一柔性层;第二柔性层;以及导电迹线,其安置在所述第一柔性层与所述第二柔性层之间,其中所述柔性中介层的间隔件部分将所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片间隔开,并且其中所述柔性中介层的连接部分从所述间隔件部分延伸超出所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片的边缘。
2、在另一方面中,本公开涉及一种设备,其包括:衬底;第一半导体裸片;用于所述第一半导体裸片的接合焊盘,其在所述第一半导体裸片的表面上;第二半导体裸片,其与所述第一半导体裸片呈堆叠布置;以及柔性中介层,其安置在所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间,所述柔性中介层包括嵌入于所述柔性中介层中的导电迹线,其中所述柔性中介层具有开口,所述导电迹线通过所述开口电连接到所述接合焊盘,其中所述柔性中介层的间隔件部分将所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片间隔开,并且其中所述柔性中介层的连接部分从所述间隔件部分延伸超出所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片的边缘,所述导电迹线在所述连接部分内延伸并电连接到所述衬底。
3、在另一方面中,本公开涉及一种存储器装置,其包括:半导体裸片;以及柔性中介层,其与所述半导体裸片接触,所述柔性中介层包括:第一柔性层;第二柔性层;以及导电迹线,其安置在所述第一柔性层与所述第二柔性层之间,所述导电迹线电连接到所述半导体裸片。
1.一种半导体装置组合件,其包括:
2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述第一柔性层包含第一聚合物层和第一粘合剂层,并且所述第二柔性层包含第二聚合物层和第二粘合剂层,并且其中所述导电迹线在所述第一粘合剂层与所述第二粘合剂层之间。
3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其进一步包括所述柔性中介层的所述间隔件部分与所述第一半导体裸片或所述第二半导体裸片中的至少一个之间的刚性部分。
4.根据权利要求3所述的半导体装置组合件,其中所述刚性部分包括预浸渍材料或玻璃环氧树脂层压材料中的至少一种,由预浸渍材料或玻璃环氧树脂层压材料中的至少一种组成,或基本上由预浸渍材料或玻璃环氧树脂层压材料中的至少一种组成。
5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述连接部分为第一连接部分,并且所述柔性中介层具有从所述间隔件部分延伸超出所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片的边缘的第二连接部分,并且
6.根据权利要求5所述的半导体装置组合件,其中所述导电迹线为第一导电迹线,并且所述柔性中介层进一步包括第二导电迹线,并且
7.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其进一步包括:
8.根据权利要求7所述的半导体装置组合件,其中所述导电迹线通过带式自动接合来电连接到所述接合焊盘。
9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述第一半导体裸片包括第一存储器装置,并且所述第二半导体裸片包括第二存储器装置。
10.一种设备,其包括:
11.根据权利要求10所述的设备,其中所述接合焊盘相比于所述第一半导体裸片的与第一边缘相对的第二边缘更靠近所述第一半导体裸片的所述第一边缘,并且
12.根据权利要求10所述的设备,其中所述接合焊盘相比于所述第一半导体裸片的与第一边缘相对的第二边缘更靠近所述第一半导体裸片的所述第一边缘,并且
13.根据权利要求10所述的设备,其中所述导电迹线为第一导电迹线,并且所述柔性中介层进一步包括邻近于所述第一导电迹线的第二导电迹线,并且
14.根据权利要求10所述的设备,其中所述第一半导体裸片与所述衬底之间的电连接没有导线接合,并且
15.根据权利要求10所述的设备,其中所述连接部分延伸到所述衬底,并且
16.一种存储器装置,其包括:
17.根据权利要求16所述的存储器装置,其中所述存储器装置进一步包括:
18.根据权利要求17所述的存储器装置,其中所述接合焊盘邻近于所述半导体裸片的第一边缘,并且
19.根据权利要求16所述的存储器装置,其中所述存储器装置进一步包括:
20.根据权利要求16所述的存储器装置,其中所述半导体裸片在包含于所述存储器装置中的半导体裸片堆叠的顶部上,并且其中所述柔性中介层在所述半导体裸片的顶部上。