一种转接件、制作方法及芯片封装结构与流程

本发明涉及芯片封装，尤其涉及一种转接件、制作方法及芯片封装结构。

背景技术：

1、tsv(through silicon via)硅通孔是一种穿透晶圆实现电子器件垂直电气互联的技术，其主要工艺是在基底上加工通孔，在通孔内壁依次形成氧化层和种子层后，以种子层为基础电镀金属填充通孔，其中的电镀工艺产生的副产物在排出后会对环境造成污染，由于环保限制，电镀工艺技术在很多地方不能造厂生产，从而导致硅通孔工艺产能偏低，另外，电镀设备昂贵使得硅通孔技术的成本很高。

技术实现思路

1、本发明提供一种转接件、制作方法及芯片封装结构，以解决现有硅通孔技术电镀填充工艺由于环保限制不能普及生产的技术问题，达到不需要利用电镀工艺就能将硅通孔电导通的技术效果。

2、鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的转接件、制作方法及芯片封装结构。

3、第一方面，提供一种转接件，包括：

4、基板；

5、基板贯穿有多个间隔设置的通孔，每个通孔内设置有金属引线；

6、基板的两侧分别设置有金属布线，每个金属布线与金属引线电连接。

7、可选的，金属布线包括金属层、介质层，介质层形成于基板的两侧，金属层设置于介质层内，金属层的一端与金属引线电连接，另一端位于介质层远离基板的一侧。

8、可选的，金属布线的直径和通孔的直径比为1:(3.3～13.3)。

9、可选的，金属引线的直径为15～30微米。

10、可选的，孔的直径为100～200微米。

11、第二方面，提供一种转接件的制作方法，包括：

12、在基板上贯穿形成多个间隔设置的通孔；

13、在基板的侧部形成金属布线；

14、在通孔内设置金属引线，使金属引线与金属布线电连接。

15、可选的，在基板上贯穿形成多个间隔设置的通孔，包括：

16、在基板的正面刻蚀形成未贯穿基板的深孔，将基板的背面减薄至使深孔贯穿基板，形成通孔。

17、可选的，在基板的侧部形成金属布线，包括：

18、在基板的前侧形成第一金属布线；

19、在基板的后侧形成第二金属布线。

20、第三方面，提供一种芯片封装结构，包括：芯片和权利要求1至5任一的转接件，每两层芯片位于一个转接件的两侧，相邻的两层芯片通过一个转接件的一组互相连接的金属引线和金属布线电连接。

21、可选的，每一层的多个芯片通过金属布线电连接。

22、本发明实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

23、本发明实施例提供的转接件、制作方法及芯片封装结构，在转接件基板的通孔内设置金属引线，通过金属引线可将基板两侧的电子器件进行垂直电气互联导通，金属引线通过劈刀等工艺即可加工，避免采用电镀工艺填充通孔以实现电子器件垂直导通时对环境危害大的缺陷，解决了电镀环保排放问题。

24、上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。

技术特征：

1.一种转接件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的转接件，其特征在于，所述金属布线包括金属层、介质层，所述介质层形成于所述基板的两侧，所述金属层设置于所述介质层内，所述金属层的一端与所述金属引线电连接，另一端位于所述介质层远离所述基板的一侧。

3.如权利要求1所述的转接件，其特征在于，所述金属布线的直径和所述通孔的直径比为1:(3.3～13.3)。

4.如权利要求1所述的转接件，其特征在于，所述通孔的直径为100～200微米；所述金属引线的直径为15～30微米。

5.一种转接件的制作方法，其特征在于，包括：

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在基板上贯穿形成多个间隔设置的通孔，包括：

7.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在所述基板的侧部形成金属布线，包括：

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述将金属引线设置于所述通孔内，使所述金属引线与所述金属布线电连接，包括：

9.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：芯片和权利要求1至5任一所述的转接件，每两层所述芯片位于一个所述转接件的两侧，相邻的两层芯片通过一个所述转接件的一组互相连接的所述金属引线和所述金属布线电连接。

10.如权利要求9所述的芯片封装结构，其特征在于，每一层的多个所述芯片通过所述金属布线电连接。

技术总结
本发明公开了一种转接件、制作方法及芯片封装结构，该转接件包括：基板；基板贯穿有多个间隔设置的通孔，每个通孔内设置有金属引线；基板的两侧分别设置有金属布线，每个金属布线与金属引线电连接。本发明实施例提供的转接件、制作方法及芯片封装结构，在转接件基板的通孔内设置金属引线，将基板两侧的电子器件进行垂直电气互联导通，金属引线通过劈刀等工艺即可加工，避免采用对环境危害较大的电镀工艺填充通孔以实现芯片与芯片之间、芯片和印制电路板之间的垂直导通，解决了电镀环保排放问题。

技术研发人员：殷宏伟,杨云春,刘笑嫘,李立伟,赵华林
受保护的技术使用者：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16