晶圆、半导体器件和制作方法与流程

本申请涉及半导体领域，特别涉及一种晶圆、半导体器件和制作方法。

背景技术：

1、在晶圆制造的过程中，位于密封圈上方的钝化层的上表面的平整度较差，从而导致在钝化层上涂覆光刻胶时，光刻胶容易发生移位，从而导致在刻蚀过程中，密封圈的部分结构容易受到损伤。

技术实现思路

1、本申请的实施例提供了一种晶圆、半导体器件和制作方法，其有利于保证密封圈结构的稳定性。

2、根据本申请中实施例的第一方面，提供一种晶圆，所述晶圆包括：

3、密封圈，包绕于所述晶圆中的功能器件的周侧；

4、切割道，相邻的密封圈之间设置有切割道，所述切割道的数量为多个，所述多个切割道交汇并形成交汇点；

5、其中，将所述密封圈的朝向所述交汇点的部分作为交汇部，其他部分作为边缘部，所述交汇部至所述切割道的最小距离大于所述边缘部至所述切割道的最小距离。

6、进一步的，所述交汇部和所述边缘部之间存在夹角，所述夹角大于90°。

7、进一步的，所述夹角大于等于120°，并且，小于等于150°。

8、进一步的，所述交汇部所处的平面和所述边缘部圆弧连接。

9、进一步的，所述晶圆沿厚度方向包括外延膜层和保护膜层，所述密封圈设置于所述外延膜层上，并且，自厚度方向贯穿所述保护膜层。

10、进一步的，所述密封圈的至少部分结构和所述功能器件的至少部分结构同层设置，且同步形成。

11、进一步的，所述边缘部至所述切割道的最小距离大于等于5微米，并且，小于等于20微米。

12、进一步的，所述交汇部的中心至所述交汇点的最小距离大于等于15微米，并且，小于等于50微米。

13、进一步的，所述交汇部至所述切割道的最小距离与所述切割道沿厚度方向的深度成正比。

14、根据本申请中实施例的第二方面，提供一种半导体器件，所述半导体器件包括功能器件和密封圈，所述密封圈包绕于功能器件的周侧；所述密封圈包括边缘部和交汇部，所述边缘部的数量为多个，所述交汇部的两端分别连接相邻的两个所述边缘部，所述交汇部至所述半导体器件的边沿的最小距离大于所述边缘部至所述半导体器件的边沿的最小距离。

15、根据本申请中实施例的第三方面，提供一种晶圆的制作方法，所述制作方法包括：

16、提供外延膜层；

17、在外延膜层上制作保护膜层和多个密封圈，密封圈沿厚度方向贯穿保护膜层其中，密封圈包括交汇部和边缘部，所述边缘部的数量为多个，所述交汇部的两端分别连接相邻的两个所述边缘部，所述交汇部为导角或者圆角结构；

18、形成切割道，所述切割道向下凹陷并贯穿所述保护膜层，并且所述切割道设置于相邻所述密封圈之间，所述切割道的数量为多个，至少两个所述切割道相交并形成交汇点，所述交汇部相较于所述边缘部靠近所述交汇点，并且，所述交汇部至所述切割道的最小距离大于所述边缘部。

19、进一步的，所述制作方法还包括：

20、在切割道上切割所述晶圆，并得到包含密封圈的半导体器件。

21、本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果：

22、在上述设置中，密封圈的交互部相较于边缘部远离切割道，从而避免本该涂覆于密封圈上方光刻胶由于距离切割道过近而流入切割道，进而保证了涂覆于密封圈上方的光刻胶可保证正常的用量，避免密封圈在经历后续刻蚀工艺的过程中受到伤害。

23、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

技术特征：

1.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆包括：

2.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述交汇部和所述边缘部存在夹角，所述夹角大于90°。

3.如权利要求2所述的晶圆，其特征在于，所述夹角大于等于120°，并且，小于等于150°。

4.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述交汇部所处的平面和所述边缘部圆弧连接。

5.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆沿厚度方向包括外延膜层和保护膜层，所述密封圈设置于所述外延膜层上，并且，自厚度方向贯穿所述保护膜层。

6.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述密封圈的至少部分结构和所述功能器件的至少部分结构同层设置，且同步形成。

7.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述边缘部至所述切割道的最小距离大于等于5微米，并且，小于等于20微米。

8.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述交汇部的中心至所述交汇点的最小距离大于等于15微米，并且，小于等于50微米。

9.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述交汇部至所述切割道的最小距离与所述切割道沿厚度方向的深度成正比。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括功能器件和密封圈，所述密封圈包绕于功能器件的周侧；所述密封圈包括边缘部和交汇部，所述边缘部的数量为多个，所述交汇部的两端分别连接相邻的两个所述边缘部，所述交汇部至所述半导体器件的边沿的最小距离大于所述边缘部至所述半导体器件的边沿的最小距离。

11.一种晶圆的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

技术总结
本申请公开了一种晶圆、半导体器件和制作方法。晶圆包括密封圈和切割道，其中，密封圈包绕于所述晶圆中的功能器件的周侧；切割道相邻的密封圈之间设置有切割道，所述切割道的数量为多个，所述多个切割道交汇并形成交汇点；将所述密封圈的朝向所述交汇点的部分作为交汇部，其他部分作为边缘部，所述交汇部至所述切割道的最小距离大于所述边缘部至所述切割道的最小距离。在上述设置中，密封圈的交互部相较于边缘部远离切割道，从而避免本该涂覆于密封圈上方光刻胶由于距离切割道过近而流入切割道，进而保证了涂覆于密封圈上方的光刻胶可保证正常的用量，避免密封圈在经历后续刻蚀工艺的过程中受到伤害。

技术研发人员：张晓燕,温家蔚,逯永健,林盛杰
受保护的技术使用者：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16