基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法与流程

本公开涉及使金属层的表面还原的基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法。

背景技术：

1、构成氢气的等离子体的氢离子或氢自由基使在金属层的表面形成的氧化物还原。基板处理装置的一例是在氢气中混合添加气体。包含氮原子或者氧原子的添加气体抑制由氢气生成的活性种的失活(例如参照国际公开第2017/029961号)。

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、在金属层的表面存在的吸附物阻碍在金属层的表面形成的氧化物的还原。吸附物例如在形成金属层的装置中吸附于金属层的表面，或者在将基板从形成金属层的装置搬送到使氧化物还原的装置的过程中吸附于金属层的表面。从提高具备金属层的器件的性能、成品率的观点出发，殷切盼望抑制起因于吸附物的氧化物的残留即还原不足。

3、用于解决课题的方案

4、一方式的基板处理装置使在表面包括金属层的基板的所述表面还原，所述基板处理装置的特征在于具备：腔主体；加热板，收纳于所述腔主体，在所述加热板载置所述基板；等离子体供给部，向所述腔主体供给氢气的等离子体；以及控制部，执行脱气处理和还原处理，在所述脱气处理中，通过在所述等离子体供给部驱动前驱动所述加热板，从而从所述表面除去吸附物，在所述还原处理中，通过在所述加热板驱动后驱动所述等离子体供给部，从而向所述脱气处理后的所述表面供给所述等离子体。

5、一方式的基板处理系统使在表面包括金属层的基板的所述表面还原，所述基板处理系统具备上述基板处理装置，所述金属层是第1金属层，所述基板处理系统还具备成膜腔，所述成膜腔经由搬送腔与所述腔主体连接，在所述还原处理后的所述表面形成第2金属层。

6、一方式的基板处理方法使在表面包括金属层的基板的所述表面还原，所述基板处理方法包括：脱气处理，在将所述基板载置于收纳于腔主体的加热板后，向所述腔主体供给热传导气体而使所述腔主体升压，并且通过所述加热板的加热从所述表面除去吸附物；和还原处理，在将所述热传导气体排出后，向载置于所述加热板的所述脱气处理后的所述表面供给氢气的等离子体。

7、本公开的一方式的基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法能抑制金属层的表面中的还原不足。

技术特征：

1.一种基板处理装置，使在表面包括金属层的基板的所述表面还原，所述基板处理装置的特征在于具备：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

7.一种基板处理系统，使在表面包括金属层的基板的所述表面还原，所述基板处理系统的特征在于，

8.一种基板处理方法，使在表面包括金属层的基板的所述表面还原，所述基板处理方法的特征在于包括：

技术总结
提供基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法，能抑制还原不足。基板处理装置使在表面包括金属层的基板(S)的表面还原，具备：腔主体(42)；加热板(22)，收纳于腔主体(42)，在加热板(22)载置基板(S)；等离子体生成部(43)，向腔主体(42)供给氢气的等离子体；以及控制部，执行脱气处理和还原处理，在脱气处理中，通过在等离子体生成部(43)驱动前驱动加热板(22)，从而从表面除去吸附物，在还原处理中，通过在加热板(22)驱动后驱动等离子体生成部(43)，从而向脱气处理后的表面供给等离子体。

技术研发人员：园田和广,森大介,冈田雅司
受保护的技术使用者：株式会社爱发科
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4