显示装置的制作方法

本发明的示例性实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。

背景技术：

1、显示装置可以包括多个像素和控制所述多个像素的驱动电路(例如，扫描驱动电路和数据驱动电路)。多个像素中的每个可以包括显示元件和控制显示元件的像素驱动电路。像素驱动电路可以包括彼此有机地连接的多个薄膜晶体管。

2、扫描驱动电路和/或数据驱动电路可以通过与多个像素相同的工艺来形成。驱动电路可以包括彼此有机地连接的多个薄膜晶体管。

3、根据驱动时序，可以将不同的偏置电压施加到像素驱动电路中的每个薄膜晶体管的控制电极、输入电极和输出电极。根据驱动时序，可以将不同的偏置电压施加到扫描驱动电路和/或数据驱动电路中的每个薄膜晶体管的控制电极、输入电极和输出电极。

技术实现思路

1、本发明的示例性实施例提供一种包括具有增大的导通速度和可靠性的薄膜晶体管的显示装置。

2、本发明的示例性实施例提供一种制造包括薄膜晶体管的显示装置的方法。

3、本发明的示例性实施例提供一种包括基体基底和位于基体基底上方的第一晶体管的显示装置。第一薄膜晶体管包括第一输入电极、第一输出电极、位于第一绝缘层下方的第一半导体图案以及位于第一绝缘层上方并位于第二绝缘层下方的第一控制电极。第二晶体管位于基体基底上方。第二晶体管包括第二输入电极、第二输出电极、位于第一绝缘层上方并位于第二绝缘层下方的第二控制电极以及位于第二绝缘层上方的第二半导体图案。至少一个第三绝缘层位于第二绝缘层上方。发光二极管位于所述至少一个第三绝缘层上方。电容器电连接到第一晶体管和第二晶体管中的至少一个。

4、在本发明的示例性实施例中，第一半导体图案可以包括多晶硅半导体，第二半导体图案可以包括氧化物半导体。

5、在本发明的示例性实施例中，氧化物半导体可以包括垂直晶体。

6、在本发明的示例性实施例中，第二输入电极和第二输出电极中的每个可以包括与第二半导体图案直接接触的下部。第二输入电极和第二输出电极中的每个的上部可以设置在所述至少一个第三绝缘层上，并且可以经由穿透所述至少一个第三绝缘层的第一接触孔连接到下部。

7、在本发明的示例性实施例中，第一输入电极和第一输出电极中的每个可以设置在所述至少一个第三绝缘层上，并且可以经由穿透第一绝缘层、第二绝缘层和所述至少一个第三绝缘层的第二接触孔连接到第一半导体图案。

8、在本发明的示例性实施例中，电容器可以包括设置在与第一控制电极相同的层上的第一电极和设置在与下部相同的层上的第二电极。第二绝缘层可以设置在第一电极与第二电极之间。

9、在本发明的示例性实施例中，显示装置可以包括设置在第二电极与第二绝缘层之间的虚设半导体图案。

10、在本发明的示例性实施例中，虚设半导体图案和第二半导体图案可以包括相同的半导体材料。

11、在本发明的示例性实施例中，第二输入电极的下部和第二输出电极的下部可以在第二半导体图案上沿第一方向彼此间隔开。第二输入电极的下部和第二输出电极的下部可以在平面上与第二半导体图案的上表面和侧表面直接接触。

12、在本发明的示例性实施例中，第二输入电极的下部的第一外表面可以基本上与第二半导体图案的第一外表面对齐。第二输出电极的下部的第二外表面可以基本上与第二半导体图案的第二外表面对齐。

13、在本发明的示例性实施例中，显示装置可以包括与第一控制电极叠置并设置在第二绝缘层上的导电图案。

14、在本发明的示例性实施例中，导电图案可以连接到电容器的第一电极和第二电极中的一个。

15、在本发明的示例性实施例中，显示装置可以包括设置在导电图案与第二绝缘层之间的虚设半导体图案。

16、在本发明的示例性实施例中，虚设半导体图案与第二半导体图案可以包括相同的半导体材料。

17、在本发明的示例性实施例中，第二半导体图案的与下部叠置的部分可以掺杂有掺杂剂，并且虚设半导体图案可以掺杂有与第二半导体图案的所述部分相同的掺杂剂。

18、在本发明的示例性实施例中，第二薄膜晶体管可以包括设置在所述至少一个第三绝缘层上的第三控制电极。第三控制电极可以电连接到第二控制电极。

19、本发明的示例性实施例提供一种制造显示装置的方法。所述方法包括在基体基底上方形成第一半导体图案。所述方法包括在基体基底上形成基本上覆盖第一半导体图案的第一绝缘层。所述方法包括在第一绝缘层上形成与第一半导体图案叠置的第一控制电极和与第一控制电极间隔开的第二控制电极。所述方法包括在第一绝缘层上形成基本覆盖第一控制电极和第二控制电极的第二绝缘层。所述方法包括在第二绝缘层上形成与第二控制电极叠置的第二半导体图案、连接到第二半导体图案的第二输入电极的下部和第二输出电极的下部。所述方法包括在第二绝缘层上形成至少一个第三绝缘层；在所述至少一个第三绝缘层上形成分别连接到第二输入电极的下部和第二输出电极的下部的第二输入电极的上部和第二输出电极的上部。所述方法包括形成连接到第一半导体图案的第一输入电极和第一输出电极。第一输入电极和第一输出电极中的每个的一部分设置在所述至少一个第三绝缘层上。所述方法包括在所述至少一个第三绝缘层上形成发光二极管。

20、在本发明的示例性实施例中，形成第二半导体图案、第二输入电极的下部和第二输出电极的下部的步骤可以包括在第二绝缘层上形成半导体层。可以在半导体层上形成导电层。形成第二半导体图案、第二输入电极的下部和第二输出电极的下部的步骤可以包括通过使用半色调掩模来蚀刻半导体层和导电层，所述半色调掩模包括位于与第二输入电极的下部对应的位置中的第一光屏蔽部、位于与第二输出电极的下部对应的位置中的第二光屏蔽部以及设置在第一光屏蔽部与第二光屏蔽部之间的半透明部。

21、在本发明的示例性实施例中，所述方法可以包括在第二绝缘层上形成与第一控制电极叠置的虚设半导体图案。可以在虚设半导体图案上形成导电图案。

22、在本发明的示例性实施例中，所述方法可以包括在所述至少一个第三绝缘层上形成连接到第二控制电极的第三控制电极。

技术特征：

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体图案、所述第二半导体图案和所述第三半导体图案中的每个包括输入区域、输出区域以及位于所述输入区域与所述输出区域之间的沟道区域。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一半导体图案的所述输入区域和所述第一半导体图案的所述输出区域中的一个电连接到所述第二半导体图案的所述输入区域和所述第二半导体图案的所述输出区域中的一个。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一通孔暴露所述第一半导体图案的所述输入区域或所述第一半导体图案的所述输出区域，并且

5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一通孔与所述第一半导体图案的所述输入区域或所述第一半导体图案的所述输出区域叠置，并且

6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二通孔与所述第二半导体图案的所述输入区域或所述第二半导体图案的所述输出区域叠置，并且

7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一半导体图案的所述输入区域和所述第一半导体图案的所述输出区域中的一个电连接到所述第三半导体图案的所述输入区域和所述第三半导体图案的所述输出区域中的一个。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三半导体图案包括多晶硅半导体。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氧化物半导体包括垂直晶体。

10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括被施加第一电压的电源线，并且

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第三晶体管电设置在所述第一晶体管与所述发光二极管之间。

12.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括被施加扫描信号的扫描线，并且

13.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置还包括被施加控制信号的发光线，并且

14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二晶体管电连接到扫描线，并且

15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一导电图案电连接到电容器的一个电极。

16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一导电图案和所述电容器的所述一个电极设置在同一绝缘层上。

17.一种显示装置，所述显示装置包括：

18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，第一通孔限定在所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中以与所述第一半导体图案对应，并且

19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第三半导体图案包括多晶硅半导体。

技术总结
提供一种显示装置，所述显示装置包括基体基底、第一晶体管、第二晶体管、有机发光二极管和电连接到第一晶体管的电容器。第一晶体管包括位于第一层间绝缘层下方的第一半导体图案和位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第一控制电极。第二晶体管包括位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第二控制电极。第二半导体图案位于第二层间绝缘层上方。

技术研发人员：金宰范,金亿洙,孙暻锡,林俊亨,林志勋
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16