多层电子组件的制作方法

本公开涉及一种多层电子组件。

背景技术：

1、多层陶瓷电容器(mlcc，一种多层电子组件)可以是安装在各种类型的电子产品(诸如图像显示装置(包括液晶显示器(lcd)、等离子显示面板(pdp)等)、计算机、智能手机或移动电话)中的任意一种的印刷电路板上并用于在其中充电或从其放电的片式电容器。

2、多层陶瓷电容器具有小尺寸、实现高电容并且容易安装，因此可用作各种电子装置的组件。随着各种电子装置(诸如计算机、移动装置等)具有减小的尺寸和更高的输出，对具有减小的尺寸和更高的电容的多层陶瓷电容器的需求不断增加。

3、此外，随着近来对用于汽车的电气组件和电子组件的行业关注的增加，还可能需要多层陶瓷电容器具有高可靠性和高强度特性，以便用于汽车或信息娱乐系统。

4、为了多层陶瓷电容器的小型化和高电容，需要内电极的有效面积的最大化(电容所需的有效体积分数的增加)。

5、为了实现如上所述的小尺寸和高容量的多层陶瓷电容器，在制造多层陶瓷电容器时，可在主体的宽度方向上暴露内电极，以通过无边缘的设计使内电极在宽度方向上的尺寸最大化。在制造这种片之后并在烧结这种片之前的阶段中，可应用通过将侧边缘部单独地附接到内电极的在片的宽度方向上的暴露表面来完成多层陶瓷电容器的方法。

6、电容器的每单位体积的电容可通过单独地附接侧边缘部来改善，但是可能存在由于侧边缘部的厚度减小而导致可靠性可能降低的问题。具体地，随着侧边缘部的厚度减小，可能容易产生由外部冲击引起的裂纹，并且在侧边缘部外侧产生的裂纹可能容易扩展到主体中，从而降低可靠性。

7、因此，需要开发一种具有能够抑制侧边缘部中裂纹的出现和裂纹的扩展的结构的多层电子组件。

技术实现思路

1、本公开的一方面在于改善多层电子组件的可靠性。

2、本公开的一方面在于抑制侧边缘部中裂纹的出现和裂纹的扩展。

3、本公开的目的不限于上述内容，并且在描述本公开的具体实施例的过程中将更容易被理解。

4、根据本公开的一方面，一种多层电子组件包括：主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极在第一方向上交替设置，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且所述主体具有在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；侧边缘部，设置在所述第五表面和所述第六表面上；以及外电极，设置在所述第三表面和所述第四表面上。所述侧边缘部中的每个侧边缘部包括与所述第一内电极和所述第二内电极相邻的第一区域以及与所述侧边缘部的外侧相邻的第二区域。所述第一区域的平均sn量低于所述第二区域的平均sn量。所述第一区域的sn量从所述第一内电极和所述第二内电极的一侧朝向所述第二区域逐渐增加。

技术特征：

1.一种多层电子组件，包括：

2.根据权利要求1所述的多层电子组件，满足3≤cs2/cs1≤5，其中，cs1是所述第一区域的平均sn量，并且cs2是所述第二区域的平均sn量。

3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一区域的平均sn量大于等于0.25at％且小于等于0.7at％，并且所述第二区域的平均sn量大于等于0.7at％且小于等于4.0at％。

4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一区域在所述第三方向上的平均尺寸大于等于4μm且小于等于10μm。

5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一区域的sn量在从所述第一内电极和所述第二内电极的所述一侧朝向所述第二区域的方向上每1μm增加0.1at％或更多。

6.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一区域的与所述主体接触的部分的sn量和所述第一区域的与所述第二区域接触的部分的sn量之间的差值为0.5at％或更大。

7.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第二区域在所述第三方向上的平均尺寸大于等于6μm且小于等于15μm。

8.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第二区域的sn量在从所述第一区域朝向所述侧边缘部的所述外侧的方向上每1μm增加小于0.1at％。

9.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第二区域的与所述第一区域接触的部分的sn量和所述第二区域的与所述侧边缘部的所述外侧接触的部分的sn量之间的差值为0.3at％或更小。

10.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一区域的平均晶粒尺寸大于所述第二区域的平均晶粒尺寸。

11.根据权利要求10所述的多层电子组件，其中，所述第一区域的平均晶粒尺寸比所述第二区域的平均晶粒尺寸大50nm或更多。

12.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一区域的平均晶粒尺寸大于等于200nm且小于等于400nm，并且

13.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一区域和所述第二区域包括si，并且

14.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一内电极连接到所述第三表面、所述第五表面和所述第六表面，并且

15.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一内电极在所述第三方向上的两端的至少一部分和所述第二内电极在所述第三方向上的两端的至少一部分包括si第二相。

16.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一区域和所述第二区域包括si第二相，并且

17.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述主体包括电容形成部，所述电容形成部包括在所述第一方向上交替设置的所述第一内电极和所述第二内电极，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且

18.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一区域中的sn量在所述第三方向上的浓度梯度大于所述第二区域中的sn量在所述第三方向上的浓度梯度。

技术总结
本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括在第一方向上设置的介电层和内电极，且所述介电层介于所述内电极之间，并且所述主体具有在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；侧边缘部，设置在所述第五表面和所述第六表面上；以及外电极，设置在所述第三表面和所述第四表面上。所述侧边缘部中的每个侧边缘部包括与所述内电极相邻的第一区域和与所述侧边缘部的外侧相邻的第二区域。所述第一区域的平均Sn量低于所述第二区域的平均Sn量。所述第一区域的Sn量从所述内电极的一侧朝向所述第二区域逐渐增加。

技术研发人员：李银贞,蔡现植,金善美,郑东俊,李种晧
受保护的技术使用者：三星电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/7/4