扇出型封装体的制备方法与流程

本公开涉及半导体，尤其涉及一种扇出型封装体的制备方法。

背景技术：

1、随着半导体行业的快速发展，芯片尺寸越来越小，信号接点数越来越多，传统的封装已不能满足高接点数的需求。晶圆级扇出封装(fan-out wafer level package，fowlp)技术是一种晶圆级加工的嵌入式芯片封装方法，具有输入/输出端口较多、集成灵活性较好等优点，被广泛应用于半导体行业中。

2、在晶圆级扇出型封装过程中，由于不同封装材料间热膨胀系数(coefficient ofthermal expansion，cte)的不匹配，易导致晶圆发生翘曲(warpage)，进而影响封装效率和良品率。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本公开提供了一种扇出型封装体的制备方法，通过双面封装的方式来减少翘曲，进而降低翘曲所带来的不利影响。

2、本公开提供了一种扇出型封装体的制备方法，包括：

3、提供支撑载板；其中，所述支撑载板包括相对设置的第一表面和所述第二表面；

4、于所述第一表面形成第一粘接层，以及于所述第二表面形成第二粘接层；

5、提供半导体器件，并将所述半导体器件的无源面附接至所述第一粘接层背离所述支撑载板的一侧表面和/或所述第二粘接层背离所述支撑载板的一侧表面；

6、形成塑封层；所述塑封层包裹所述半导体器件且暴露出所述半导体器件的有源面，所述塑封层还覆盖所述第一粘接层背离所述支撑载板一侧表面和所述第二粘接层背离所述支撑载板一侧表面中未被所述半导体器件覆盖的表面；

7、于所述塑封层背离所述第一粘接层的一侧表面和所述塑封层背离所述第二粘接层的一侧表面均形成重布线层；所述重布线层与所述半导体器件的有源面电连接。

8、可选地，所述于所述第一表面形成第一粘接层，以及于所述第二表面形成第二粘接层，包括：

9、采用贴膜工艺形成所述第一粘接层和所述第二粘接层；

10、或者，

11、采用涂胶工艺形成所述第一粘接层和所述第二粘接层；

12、对所述第一粘接层和所述第二粘接层进行烘烤。

13、可选地，所述形成塑封层，包括：

14、于所述第一粘接层背离所述支撑载板的一侧表面和所述第二粘接层背离所述支撑载板的一侧表面均形成所述塑封层；其中，所述塑封层包覆所述半导体器件，所述塑封层还覆盖所述第一粘接层背离所述支撑载板的一侧表面和所述第二粘接层背离支撑载板的一侧表面中未被所述半导体器件覆盖的表面；

15、对所述塑封层进行减薄处理，以暴露出所述半导体器件的有源面。

16、可选地，所述形成塑封层，包括：

17、采用模压成型或流动成型工艺形成所述塑封层。

18、可选地，所述将所述半导体器件的无源面附接至所述第一粘接层背离所述支撑载板的一侧表面和/或所述第二粘接层背离所述支撑载板的一侧表面，包括：

19、将所述半导体器件的无源面附接至所述第一粘接层背离所述支撑载板的一侧表面和所述第二粘接层背离所述支撑载板的一侧表面；

20、其中，沿所述塑封层的厚度方向，附接至所述第一粘接层的半导体器件的投影与附接至所述第二粘接层的半导体器件的投影相重叠。

21、可选地，所述重布线层包括至少一金属膜层和至少一绝缘层，所述金属膜层和所述绝缘层一一对应；所述于所述塑封层背离所述第一粘接层的一侧表面和所述塑封层背离所述第二粘接层的一侧表面均形成重布线层，包括：

22、于所述塑封层背离所述第一粘接层的一侧表面和所述塑封层背离第二粘接层的一侧表面依次交替形成一所述金属膜层和一所述绝缘层，直至于所述塑封层背离所述第一粘接层的一侧表面形成该重布线层的所有金属膜层和所有绝缘层，以及于所述塑封层背离所述第二粘接层的一侧表面形成该重布线层的所有金属膜层和所有绝缘层。

23、可选地，所述于所述塑封层背离所述第一粘接层的一侧表面和所述塑封层背离所述第二粘接层的一侧表面均形成重布线层之后，所述制备方法还包括：

24、于所述重布线层背离所述半导体器件的一侧表面形成连接结构；其中，所述连接结构与所述重布线层电连接，所述连接结构用于连接外部器件。

25、可选地，所述制备方法还包括：

26、采用热解键、激光解键或机械解键方式中的一种移除所述支撑载板。

27、可选地，在所述移除所述支撑载板之后，所述扇出型封装体的制备方法还包括：

28、对所述扇出型封装体进行切割；其中，切割工艺包括划片切割、刀片切割、激光切割和等离子切割中的至少一种。

29、本公开提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：

30、本公开提供的扇出型封装体的制备方法，包括：提供支撑载板；其中，支撑载板包括相对设置的第一表面和第二表面；于第一表面形成第一粘接层，以及于第二表面形成第二粘接层；提供半导体器件，并将半导体器件的无源面附接至第一粘接层背离支撑载板的一侧表面和/或第二粘接层背离支撑载板的一侧表面；形成塑封层；塑封层包裹半导体器件且暴露出半导体器件的有源面，塑封层还覆盖第一粘接层背离支撑载板一侧表面和第二粘接层背离支撑载板一侧表面中未被半导体器件覆盖的表面；于塑封层背离第一粘接层的一侧表面和塑封层背离第二粘接层的一侧表面均形成重布线层；重布线层与半导体器件的有源面电连接。由此，利用双面封装的方式，在支撑载板的上下表面同时形成相同的封装材料层(包括粘接层、塑封层和重布线层)，位于上表面的封装材料层产生的应力与位于下表面的封装材料层产生的应力方向相反，大小相近或者相等，二者相互抵消，减少了翘曲程度，甚至消除翘曲，进而有利于提高封装效率和良品率。

技术特征：

1.一种扇出型封装体的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述于所述第一表面形成第一粘接层，以及于所述第二表面形成第二粘接层，包括：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成塑封层，包括：

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成塑封层，包括：

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将所述半导体器件的无源面附接至所述第一粘接层背离所述支撑载板的一侧表面和/或所述第二粘接层背离所述支撑载板的一侧表面，包括：

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述重布线层包括至少一金属膜层和至少一绝缘层，所述金属膜层和所述绝缘层一一对应；所述于所述塑封层背离所述第一粘接层的一侧表面和所述塑封层背离所述第二粘接层的一侧表面均形成重布线层，包括：

7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述于于所述塑封层背离所述第一粘接层的一侧表面和所述塑封层背离所述第二粘接层的一侧表面均形成重布线层之后，所述制备方法还包括：

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，还包括：

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述移除所述支撑载板之后，所述扇出型封装体的制备方法还包括：

技术总结
本公开涉及扇出型封装体的制备方法，该制备方法利用双面封装的方式，在支撑载板的上下表面同时形成相同的封装材料层(包括塑封层和重布线层)，位于上表面的封装材料层产生的应力与位于下表面的封装材料层产生的应力方向相反，大小相近或者相等，二者可相互抵消，减少了翘曲程度，甚至消除翘曲，进而有利于提高封装效率和良品率。

技术研发人员：李文启
受保护的技术使用者：上海易卜半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15