一种聚合物基电介质及其制备方法

技术特征：

1.一种聚合物基电介质的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的聚合物基电介质的制备方法，其特征在于，所述步骤s1的详细步骤包括：

3.根据权利要求2所述的聚合物基电介质的制备方法，其特征在于，在步骤s1.1中，乙酰丙酮作为螯合剂防止钛酸四丁酯水解，与钛酸四丁酯质量比为25wt.％-40wt.％；

4.根据权利要求1所述的聚合物基电介质的制备方法，其特征在于，所述步骤s2的详细步骤包括：

5.根据权利要求4所述的聚合物基电介质的制备方法，其特征在于，在步骤s2.1中，pi在dmf的溶解度为0.3g/ml，2dal2o3与pi的体积比为：3-10vol.％；搅拌时长为12h，加热温度为40-50℃；

6.根据权利要求1所述的聚合物基电介质的制备方法，其特征在于，所述步骤s3的详细步骤包括：

7.根据权利要求6所述的聚合物基电介质的制备方法，其特征在于，在步骤s3中，三明治复合薄膜第一层厚度为7微米，第二层厚度为6微米，第三层厚度为7微米；干燥温度为60℃，时间为10min。

8.根据权利要求1所述的聚合物基电介质的制备方法，其特征在于，所述步骤s4中包括：

9.根据权利要求8所述的聚合物基电介质的制备方法，其特征在于，在步骤s4.1中，干燥目的是为了蒸发多余dmf溶剂，温度为60-80℃，干燥时间为8-10h；

10.一种聚合物基电介质，其特征在于，该聚合物基电介质具备3层结构，其中上下两层由二维材料复合聚酰亚胺pi聚合物组成；中间层为一维材料复合pi聚合物组成，所述上下层复合材料的厚度为7um，中间层复合材料的厚度为6um，所述二维材料为氧化铝纳米片2dal2o3，一维材料为二氧化钛纳米纤维1dtio2；

技术总结
本发明涉及聚合物薄膜电介质技术领域，尤其是涉及一种聚合物基电介质及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1：以钛酸四丁脂C<subgt;16</subgt;H<subgt;36</subgt;O<subgt;4</subgt;Ti为钛源，聚乙烯吡咯烷酮PVP为粘结剂，盐酸多巴胺C<subgt;8</subgt;H<subgt;11</subgt;NO<subgt;2</subgt;‑HCl为表面改性剂，通过静电纺丝、干燥、烧结、研磨、改性、烘干得到能够在涂膜胶体中均匀分散的一维二氧化钛纳米纤维1DTiO<subgt;2</subgt;；S2：在溶剂N,N‑二甲基甲酰胺DMF中加入二维氧化铝纳米片和一维二氧化钛纳米纤维，得到二维氧化铝纳米片/PI胶体和一维二氧化钛纳米纤维/PI胶体；S3：通过流延法将步骤S2得到的二维氧化铝纳米片/PI胶体和一维二氧化钛纳米纤维/PI胶体制成三明治结构复合薄膜；对复合薄膜进行干燥、淬火、干燥，得到具备三明治结构的(A‑T‑A)/PI复合薄膜。

技术研发人员：姚玲敏,谭艺鹏,邓家裕,冯梓文,邓青林
受保护的技术使用者：广州大学
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16