显示装置的制作方法

本发明的一实施方式涉及显示装置。特别是，本发明的一实施方式涉及使用了包括氧化物半导体的晶体管的显示装置。此外，本发明的一实施方式涉及显示装置的阵列基板。

背景技术：

1、最近，代替非晶硅、低温多晶硅以及单晶硅而在沟道中使用了氧化物半导体的晶体管的开发正在进行中(例如，参照专利文献1、2)。在沟道中使用了氧化物半导体的晶体管与在沟道中使用了非晶硅的晶体管同样地以简单的结构且以低温工艺形成。已知将氧化物半导体用于沟道的晶体管具有比将非晶硅用于沟道的晶体管高的迁移率，截止电流非常低。

2、专利文献1：日本特开2014-146819号公报

3、专利文献2：日本特开2015-159315号公报

4、随着显示装置的像素尺寸缩小化，像素电极与信号线的距离变短，像素电极容易受到因信号线引起的电容耦合的影响。因此，像素电极的电位根据信号线的电位而变化的串扰的影响变得明显。

技术实现思路

1、本发明的一实施方式的目的之一在于在显示装置中减少高清晰化后的像素中的串扰。

2、本发明的一实施方式所涉及的显示装置在第一基板之上具有沿着第一方向以及与第一方向交叉的第二方向配置的多个像素，多个像素各自具有：晶体管；第一透明导电层，设置于比晶体管靠上层的位置，并与晶体管电连接；第一绝缘层，设置于比第一透明导电层靠上层的位置；第二透明导电层，设置于第一绝缘层，并经由遍及沿第一方向排列配置的多个像素而延伸的开口与第一透明导电层电连接；填充部件，设置在第二透明导电层之上，并对开口的内部进行填充；第三透明导电层，设置在第一绝缘层以及填充部件之上；以及金属层，与第三透明导电层相接。

3、本发明的一实施方式所涉及的显示装置在第一基板之上具有沿着第一方向以及与第一方向交叉的第二方向配置的多个像素，多个像素各自具有：晶体管；第一透明导电层，设置于比晶体管靠上层的位置，并与晶体管电连接；第一绝缘层，设置于比第一透明导电层靠上层的位置；第二透明导电层，设置于第一绝缘层，并经由遍及沿第一方向排列配置的多个像素而延伸的开口与第一透明导电层电连接；第二绝缘层，设置在第二透明导电层之上；第三透明导电层，设置在第二绝缘层之上；填充部件，设置在第三透明导电层上，并对开口的内部进行填充；以及金属层，设置在第三透明导电层以及填充部件之上。

技术特征：

1.一种显示装置，在第一基板之上具有沿着第一方向以及与所述第一方向交叉的第二方向配置的多个像素，

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，

5.一种显示装置，在第一基板之上具有沿着第一方向以及与所述第一方向交叉的第二方向配置的多个像素，

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，

8.根据权利要求5所述的显示装置，其中，

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，

技术总结
本发明涉及显示装置，在显示装置中减少高清晰化后的像素中的串扰。显示装置在第一基板之上具有沿着第一方向以及与第一方向交叉的第二方向配置的多个像素，多个像素分别具有：晶体管；第一透明导电层，设置于比晶体管靠上层的位置，并与晶体管电连接；第一绝缘层，设置于比第一透明导电层靠上层的位置；第二透明导电层，设置于第一绝缘层，并经由遍及沿第一方向排列配置的多个像素而延伸的开口与第一透明导电层电连接；填充部件，设置在第二透明导电层之上，并对开口的内部进行填充；第三透明导电层，设置在第一绝缘层以及填充部件之上；以及金属层，与第三透明导电层相接。

技术研发人员：尾崎靖尚,尾关芳孝,森口幸志郎
受保护的技术使用者：株式会社日本显示器
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12