半导体器件和用于制造该半导体器件的方法与流程

本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术：

1、半导体是属于导体和绝缘体之间的中间区域的材料，并且表示在预定条件下导电的材料。可以使用该半导体材料来制造各种半导体器件，并且例如可以制造存储器件等。这些半导体器件可以用在各种电子设备中。

2、根据电子设备小型化和高集成化的趋势，需要精细地形成构成半导体器件的图案。由这些精细图案制成的电极或布线之间可能出现诸如短路的缺陷。

技术实现思路

1、本公开的方面涉及一种具有改善的可靠性的半导体器件及其制造方法。

2、根据实施例的半导体器件包括：衬底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸；有源图案，位于衬底上；第一隔离层和第二隔离层，位于有源图案之间；第一保护衬层，位于第一隔离层上；第二保护衬层，位于第二隔离层上；沟道图案，位于有源图案上；源/漏图案，位于沟道图案的两侧上；以及第一栅电极，位于第一保护衬层和第二保护衬层上方，并且围绕沟道图案，其中，第一隔离层在第二方向上具有第一宽度，第二隔离层在第二方向上具有比第一宽度宽的第二宽度，并且从衬底到第一保护衬层的第一高度大于从衬底到第二保护衬层的第二高度。

3、根据实施例的半导体器件包括：衬底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸；有源图案，位于衬底上；隔离层，位于有源图案之间；保护层，位于隔离层上；沟道图案，位于有源图案上；源/漏图案，位于沟道图案的两侧上；以及第一栅电极，位于有源图案和保护衬层上，并且围绕沟道图案。

4、根据实施例的半导体器件包括：衬底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸；有源图案，位于衬底上；第一隔离层和第二隔离层，位于有源图案之间；第一凹槽，设置在第一隔离层的上表面中；以及第二凹槽，设置在第二隔离层的上表面中；第一保护衬层，覆盖第一凹槽的底表面；第二保护衬层，覆盖第二凹槽的底表面；沟道图案，位于有源图案上；源/漏图案，位于沟道图案的两侧上；以及第一栅电极，位于第一保护衬层和第二保护衬层上方并且围绕沟道图案，其中，第一隔离层在第二方向上具有第一宽度，第二隔离层在第二方向上具有比第一宽度宽的第二宽度，并且第二凹槽的深度大于第一凹槽的深度。

5、根据实施例，通过配置半导体器件在隔离层上形成保护衬层，可以提高半导体器件的可靠性。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，

12.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：

13.一种半导体器件，包括：

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，

16.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，

17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，

18.一种半导体器件，包括：

19.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，

20.根据权利要求19所述的半导体器件，其中，

技术总结
一种半导体器件包括：衬底；有源图案，位于衬底上；第一隔离层和第二隔离层，位于有源图案之间；第一保护衬层，位于第一隔离层上；第二保护衬层，位于第二隔离层上；沟道图案，位于有源图案上；源/漏图案，位于沟道图案的两侧上；以及第一栅电极，位于第一保护衬层和第二保护衬层上方，并且围绕沟道图案，其中，第一隔离层具有第一宽度，第二隔离层具有比第一宽度宽的第二宽度，并且从衬底到第一保护衬层的第一高度大于从衬底到第二保护衬层的第二高度。

技术研发人员：安玟柱,辛宗玟
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/8/16