微电子装置封装以及相关的方法及系统与流程

本公开大体上涉及微电子装置封装以及相关的方法及系统。更具体来说，本公开涉及用于在微电子装置封装内形成电连接的设计及技术，其可降低微电子装置封装内的材料之间分层的风险，这可提高可靠性且降低故障的风险。

背景技术：

1、当封装微电子装置时，所述封装可至少部分地被用来对到微电子装置的电连接及自微电子装置的电连接进行布线，以便更容易地形成到更高级封装的连接。例如，微电子装置可通过插入在微电子装置的接垫与封装衬底或重布层的接触件之间的导电元件(例如，焊料块)电连接及物理连接到封装衬底或重布层。底填材料可被用来填充微电子装置与封装衬底或重布层之间的剩余空间。微电子装置、底填材料及封装衬底或重布层的部分可被囊封在囊封剂中。封装衬底或重布层内的布线元件可将电连接从接触件布线到输出垫，且接着使用封装衬底或重布层的输出垫以连接到更高级封装(例如，以连接到母板)。

技术实现思路

1、在一些实例中，微电子装置封装可包含微电子装置，所述微电子装置支撑在封装衬底上且电连接到所述封装衬底。掩蔽材料界定(mmd)接触件可位于所述封装衬底的第一区中，所述mmd接触件促进所述微电子装置与所述封装衬底之间的第一电连接。非掩蔽材料界定(nmmd)接触件位于所述封装衬底的第二不同区中，所述nmmd接触件促进所述微电子装置与所述封装衬底之间的第二电连接。

2、在其它实例中，形成微电子装置封装的方法可包含将微电子装置放置在封装衬底附近。可将所述微电子装置及所述封装衬底暴露于热源以使导电材料回流且形成：掩蔽材料界定(mmd)接触件，其位于所述封装衬底的第一区中，所述mmd接触件在所述微电子装置与所述封装衬底之间形成第一电连接；及非掩蔽材料界定(nmmd)接触件，其位于所述封装衬底的第二不同区中，所述nmmd接触件在所述微电子装置与所述封装衬底之间形成第二电连接。

3、在其它实例中，系统可包含：处理器；及存储器装置，其与所述处理器电通信。所述处理器及所述存储器装置中的一或多者包含微电子装置封装，所述微电子装置封装包含微电子装置，所述微电子装置支撑在封装衬底上且电连接到所述封装衬底。掩蔽材料界定(mmd)接触件可位于所述封装衬底的第一区中，所述mmd接触件促进所述微电子装置与所述封装衬底之间的第一电连接。非掩蔽材料界定(nmmd)接触件可位于所述封装衬底的第二不同区中，所述nmmd接触件促进所述微电子装置与所述封装衬底之间的第二电连接。

4、在其它实例中，微电子装置封装可包含微电子装置，所述微电子装置支撑在封装衬底上且电连接到所述封装衬底。掩蔽材料界定(mmd)接触件的第一阵列可位于所述封装衬底的中心区中，mmd接触件的所述第一阵列促进所述微电子装置与所述封装衬底之间的第一电连接。非掩蔽材料界定(nmmd)接触件的第二阵列可位于所述封装衬底的外围区中，nmmd接触件的所述第二阵列促进所述微电子装置与所述封装衬底之间的第二电连接。

5、在其它实例中，微电子装置封装可包含微电子装置，所述微电子装置支撑在封装衬底上且电连接到所述封装衬底。掩蔽材料界定(mmd)接触件的第一阵列可位于所述封装衬底的第一区中，mmd接触件的所述第一阵列促进所述微电子装置与所述封装衬底之间的第一电连接。所述第一电连接中的至少一些者可经定位及配置用于连接到电功率及电接地中的至少一者的源。非掩蔽材料界定(nmmd)接触件的第二阵列可位于所述封装衬底的第二不同区中，nmmd接触件的所述第二阵列促进所述微电子装置与所述封装衬底之间的第二电连接。所述第二电连接中的至少一些者可经定位及配置用于连接到数据输入及数据输出中的至少一者。

技术特征：

1.一种微电子装置封装，其包括：

2.根据权利要求1所述的微电子装置封装，其进一步包括底填材料，所述底填材料插入在所述微电子装置与所述封装衬底之间，所述底填材料与所述mmd接触件及所述nmmd接触件接触。

3.根据权利要求1所述的微电子装置封装，其中所述mmd接触件与所述封装衬底的所述第一区中的额外mmd接触件之间的节距大于或等于约110μm。

4.根据权利要求1所述的微电子装置封装，其中所述nmmd接触件与所述封装衬底的所述第二不同区中的额外nmmd接触件之间的节距小于约110μm。

5.根据权利要求1所述的微电子装置封装，其中所述掩蔽材料覆盖所述微电子装置的覆盖区内的所述封装衬底的约30％与约50％之间的表面积。

6.根据权利要求1所述的微电子装置封装，其中位于所述封装衬底的中心附近的所述封装衬底的大多数接触件经配置为mmd接触件。

7.根据权利要求1所述的微电子装置封装，其中位于所述封装衬底的外围附近的所述封装衬底的大多数接触件经配置为nmmd接触件。

8.根据权利要求1所述的微电子装置封装，其中所述封装衬底的经配置以连接到电功率或电接地的源的所有接触件经配置为mmd接触件。

9.根据权利要求1所述的微电子装置封装，其中所述封装衬底的经配置以连接到数据输入或数据输出的大多数接触件经配置为nmmd接触件。

10.根据权利要求1所述的微电子装置封装，其中所述nmmd接触件包括位于所述封装衬底的主表面上的迹线。

11.根据权利要求1至10中任一权利要求所述的微电子装置封装，其中所述封装衬底的两个邻近mmd接触件彼此电连接。

12.根据权利要求1至10中任一权利要求所述的微电子装置封装，其中所述mmd接触件的至少一个横向侧在所述mmd接触件的所述至少一个横向侧上没有掩蔽材料。

13.根据权利要求1至10中任一权利要求所述的微电子装置封装，其中所述mmd接触件的最大直径小于所述微电子装置邻近于所述mmd接触件的接垫的最大直径。

14.根据权利要求1至10中任一权利要求所述的微电子装置封装，其中如从所述封装衬底的主表面且在垂直于所述封装衬底的所述主表面的方向上测量的所述mmd接触件的第一厚度小于如从所述主表面且在垂直于所述主表面的所述方向上测量的所述nmmd接触件的第二厚度。

15.一种形成微电子装置封装的方法，其包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括将掩蔽材料放置在所述封装衬底的主表面上，所述掩蔽材料与所述mmd接触件的导电材料块的一或多个横向侧接触以至少部分地界定所述mmd接触件的边界。

17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括从所述nmmd接触件周围移除所述掩蔽材料，使得所述nmmd接触件在所述第二区处及附近不与所述掩蔽材料接触。

18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括用所述掩蔽材料覆盖所述微电子装置的覆盖区内的所述封装衬底的约30％与约50％之间的表面积。

19.根据权利要求15至18中任一权利要求所述的方法，其中将所述微电子装置放置在所述封装衬底附近包括将所述微电子装置的铜支柱凸块放置成与所述封装衬底的接触件接触，包含所述mmd接触件及所述nmmd接触件。

20.一种系统，其包括：

21.一种微电子装置封装，其包括：

22.根据权利要求21所述的微电子装置封装，其中所述第二区至少部分地环绕所述第一区。

23.根据权利要求21或22所述的微电子装置封装，其中所述mmd接触件与所述封装衬底的所述第一区中的额外mmd接触件之间的节距大于或等于约110μm。

24.根据权利要求21或22所述的微电子装置封装，其中所述nmmd接触件与所述封装衬底的所述第二不同区中的额外nmmd接触件之间的节距小于约110μm。

25.一种微电子装置封装，其包括：

26.根据权利要求25所述的微电子装置封装，其中所述封装衬底的经定位及配置用于连接到电功率及电接地中的至少一者的所述源的每一接触件是mmd接触件。

27.根据权利要求25或26所述的微电子装置封装，其中所述封装衬底的经定位及配置用于连接到数据输入及数据输出中的所述至少一者的大多数接触件是nmmd接触件。

技术总结
本申请涉及微电子装置封装以及相关的方法及系统。一种微电子装置封装包含微电子装置、掩蔽材料界定MMD接触件及非掩蔽材料界定NMMD接触件。所述微电子装置支撑在封装衬底及重布层中的一者上且电连接到封装衬底及重布层中的一者。所述MMD接触件位于所述封装衬底及所述重布层中的所述一者的第一区中，且促进所述微电子装置与所述封装衬底及所述重布层中的所述一者之间的第一电连接。所述NMMD接触件位于所述封装衬底及所述重布层中的所述一者的第二不同区中，且促进所述微电子装置与所述封装衬底及所述重布层中的所述一者之间的第二电连接。还公开相关的方法及系统。

技术研发人员：陈奕武,林雯蔚,黄宏远
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/11