等离子体处理装置、等离子体状态检测方法以及程序与流程

本公开涉及一种等离子体处理装置、等离子体状态检测方法以及等离子体状态检测程序。

背景技术：

1、以往以来，已知一种使用等离子体对半导体晶圆(下面也称作“晶圆”)等被处理体进行蚀刻等等离子体处理的等离子体处理装置。并且提出了一种在该等离子体处理装置中的处理容器内配置各种探测器、各种电传感器等传感器来检测等离子体的状态的技术。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2009-194032号公报

5、专利文献2：日本特开2009-087790号公报

6、专利文献2：日本特表2014-513390号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开提供一种不配置传感器的检测等离子体的状态的技术。

3、用于解决问题的方案

4、本公开的一个方式的等离子体处理装置具有载置台、加热器控制部、测量部、参数计算部以及输出部。载置台设置有加热器，该加热器能够调整用于载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面的温度。加热器控制部控制向加热器供给的供给电力，以使加热器成为设定的设定温度。由加热器控制部控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定，测量部测量等离子体没有点火的未点火状态和从等离子体点火起向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用由所述测量部测量出的未点火状态和过渡状态的供给电力对计算模型进行拟合，来计算来自等离子体的热输入量，该计算模型包括该热输入量作为参数来计算所述过渡状态的供给电力。输出部输出基于由参数计算部计算出的热输入量的信息。

5、发明的效果

6、根据本公开，不用在处理容器内配置传感器就能够检测等离子体的状态。

技术特征：

1.一种等离子体处理装置，具有：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

11.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于，

13.根据权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于，

14.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

15.根据权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于，

16.一种等离子体状态检测方法，其特征在于，计算机执行以下处理：

17.一种等离子体状态检测程序，其特征在于，使计算机执行以下处理：

技术总结
本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体状态检测方法以及程序。测量部通过加热器控制部来控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定，测量等离子体没有点火的未点火状态和等离子体点火后的点火状态下的供给电力。参数计算部将来自等离子体的热输入量作为参数，使用由测量部测量出的未点火状态和点火状态的供给电力来计算该热输入量。输出部输出基于由参数计算部计算出的热输入量的信息。

技术研发人员：林大辅,梅泽义弘,冈信介
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15