电子封装件及其制法的制作方法

本发明涉及一种半导体封装工艺，尤其涉及一种可防止于工艺中翘曲的电子封装件及其封装基板与制法。

背景技术：

1、随着电子产业的蓬勃发展，电子产品在型态上趋于轻薄短小，在功能上则朝高性能、高功能、高速化的研发方向。

2、目前应用于芯片封装领域的技术繁多，例如芯片尺寸构装（chip scale package，简称csp）、芯片直接贴附封装（direct chip attached，简称dca）或多芯片模组封装（multi-chip module，简称mcm）等封装型态。

3、图1为现有采用晶圆级封装技术的半导体封装件1的剖面示意图。如图1所示，该半导体封装件1包括：一包覆层15、一嵌埋于该包覆层15中的半导体芯片11、多个嵌埋于该包覆层15中的导电柱13、以及一设于该包覆层15上的布线结构10，且该布线结构10电性连接该半导体芯片11与导电柱13，并于该导电柱13的下侧形成多个焊球19，以供接合一电路板（图略），其中，该布线结构10的上侧可依需求配置一封装模块，其包含半导体芯片16及一包覆该半导体芯片16的封装层18。

4、于现有半导体封装件1的工艺中，该导电柱13需贯穿该包覆层15，因而需先以激光方式形成贯穿该包覆层15的穿孔，再电镀铜柱于该穿孔中。

5、但是，该包覆层15需包覆该半导体芯片16，故该包覆层15需具有一定的厚度，致使该导电柱13所需的穿孔需具有一定深度，因而于激光烧灼下的穿孔将产生较宽的穿孔，导致该导电柱13的深宽比较低，进而无法布设高密度的导电柱13。

6、再者，该布线结构10的绝缘层采用味之素增层膜（ajinomoto build-up film，简称abf），致使该布线结构10与包覆层15之间的cte的差异变化过大，故于工艺中，当该半导体封装件1经多道环境温度变化的工艺后，由于该布线结构10的强度不足，导致该半导体封装件1容易发生形变与翘曲的情况，进而导致该焊球19发生脱离或碎裂等问题。

7、因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的种种缺陷，本发明的目的在于提供一种电子封装件及其制法，可至少部分地解决技术中的问题。

2、本发明的电子封装件，包括：线路结构，其具有相对的第一侧与第二侧，且该线路结构包含至少一第一介电层及设于该第一介电层上的第一线路层；外接结构，其设于该线路结构的第一侧上，且该外接结构包含一形成于该第一介电层上的第二介电层及嵌埋于该第二介电层中并电性连接该第一线路层的导电体，且该第一介电层的热膨胀系数大于该第二介电层的热膨胀系数；线路组件，其设于该线路结构的第二侧上以电性连接该第一线路层，其中，该线路组件包含一具有多个穿孔的绝缘膜体及形成于该穿孔中的导电层，以令该导电层接触该第一线路层以电性连接该第一线路层，且该绝缘膜体的热膨胀系数大于该第一介电层的热膨胀系数；电子元件，其设于该线路结构的第二侧上以电性连接该第一线路层；以及包覆层，其设于该线路结构的第二侧上以包覆该线路组件与该电子元件，且该导电层外露于该包覆层，其中，该包覆层的热膨胀系数大于该第一介电层的热膨胀系数。

3、本发明亦提供一种电子封装件的制法，包括：提供无核心层式线路结构，且该线路结构具有相对的第一侧与第二侧，且该线路结构包含至少一第一介电层及设于该第一介电层上的第一线路层；于该线路结构的第一侧上形成外接结构，且该外接结构包含一形成于该第一介电层上的第二介电层及嵌埋于该第二介电层中并电性连接该第一线路层的导电体，其中，该第一介电层的热膨胀系数大于该第二介电层的热膨胀系数；将线路组件设于该线路结构的第二侧上，以令该线路组件电性连接该第一线路层，其中，该线路组件包含一具有多个穿孔的绝缘膜体及形成于该穿孔中的导电层，以令该导电层接触该第一线路层以电性连接该第一线路层，且该绝缘膜体的热膨胀系数大于该第一介电层的热膨胀系数；将电子元件设于该线路结构的第二侧上，以令该电子元件电性连接该第一线路层；以及形成包覆层于该线路结构的第二侧上，以令该包覆层包覆该线路组件与该电子元件，且该导电层外露于该包覆层，其中，该包覆层的热膨胀系数大于该第一介电层的热膨胀系数。

4、前述的电子封装件及其制法中，该绝缘膜体的热膨胀系数大于该包覆层的热膨胀系数。

5、前述的电子封装件及其制法中，该穿孔中配置有电性连接该导电层与该第一线路层的导电元件。

6、前述的电子封装件及其制法中，还包括形成第二线路层于该包覆层上，使该第二线路层电性连接该导电层。

7、前述的电子封装件及其制法中，还包括形成第二线路层于该第二介电层上，使该第二线路层电性连接该导电体。

8、由上可知，本发明的电子封装件及其制法，主要借由该线路组件的配置，以满足该导电层于该包覆层中的高深宽比的需求，故相较于现有技术，本发明的制法无需于该包覆层上进行钻孔作业，即可借由该导电层获取所需的导电路径，进而得以布设高密度的穿孔。

9、再者，该电子封装件的各分层的cte的配置采渐增或渐减，即该线路结构的第二侧配置cte最小的第二介电层，该线路结构的第一侧配置cte最大的绝缘膜体，以避免该线路结构于第一侧与第二侧之间的cte的差异变化过大，故相较于现有技术，当该电子封装件经多道环境温度变化的工艺后，该绝缘膜体能作为应力强化结构，以有效避免该电子封装件发生形变与翘曲的情况，进而避免该焊球发生脱离或碎裂等问题。

技术特征：

1.一种电子封装件，包括：

2.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该绝缘膜体的热膨胀系数大于该包覆层的热膨胀系数。

3.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该穿孔中配置有电性连接该导电层与该第一线路层的导电元件。

4.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该电子封装件还包括形成于该包覆层上且电性连接该导电层的第二线路层。

5.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该电子封装件还包括形成于该第二介电层上且电性连接该导电体的第二线路层。

6.一种电子封装件的制法，包括：

7.如权利要求6所述的电子封装件的制法，其中，该绝缘膜体的热膨胀系数大于该包覆层的热膨胀系数。

8.如权利要求6所述的电子封装件的制法，其中，该穿孔中配置有电性连接该导电层与该第一线路层的导电元件。

9.如权利要求6所述的电子封装件的制法，其中，该制法包括形成第二线路层于该包覆层上，使该第二线路层电性连接该导电层。

10.如权利要求6所述的电子封装件的制法，其中，该制法还包括形成第二线路层于该第二介电层上，使该第二线路层电性连接该导电体。

技术总结
本发明提出一种电子封装件及其制法。电子封装件包括于线路结构的第一侧上形成外接结构，且于该线路结构的第二侧上设置至少一电性连接该线路结构的线路组件及至少一电性连接该线路结构的电子元件，并以包覆层包覆该线路组件与该电子元件，其中，该线路组件与包覆层的CTE均大于该线路结构的CTE，且该线路结构的CTE大于该外接结构的CTE，以避免该线路结构于两侧之间的CTE的差异变化过大，因而能避免该电子封装件发生翘曲的问题。

技术研发人员：陈盈儒,陈敏尧,林松焜,张垂弘
受保护的技术使用者：芯爱科技（南京）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/8/26