一种降低WAT误测的方法与流程

本申请涉及半导体，具体涉及一种降低wat误测的方法。

背景技术：

1、随着技术的进步，集成电路制造工艺要求日益提高，在产品的制造过程中，需要经过上百道工艺步骤，晶圆可接受性测试(wafer acceptance test，简称：wat)作为芯片质量的检测工艺扮演着重要的角色。

2、wat是在晶圆产品流片结束之后和品质检验之前，测量特定测试结构的电性参数，通过测试晶圆上特定测试结构的电性参数，检测每片晶圆产品的工艺情况，判断晶圆产品是否符合该工艺技术平台的电性规格要求。

3、wat一般需通过探针卡来连接实际的器件和测试仪器以实现对不同尺寸和不同形状的器件的测试，将探针卡扎在对应的测试用焊盘，通过施加电压/电流，测得相应的电性参数值。有些电阻或漏电参数容易受探针卡接触不良或者颗粒杂质累积的影响，造成测试值超出规格，从而触发异常行动计划(out of control action plan，简称：ocap)。而晶圆批次加测需要等空机台测试，会占用wat机台使用率，从而降低wat机台利用率和产能。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种降低wat误测的方法，用于解决现有技术中因探针卡接触不良等因素造成wat误测导致wat机台利用率和产能降低的问题。

2、为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种降低wat误测的方法，包括：对晶圆实施wat测试；判断测试结果是否符合参数规格，若否，则对不符合参数规格的参数执行原点重测，重测得到的新数值覆盖重测前的数值，而后对同一批次中的下一晶圆实施wat测试，若是，则对同一批次中的下一晶圆实施wat测试。

3、优选的，该批次的所有晶圆的wat测试结束后，使用spc系统对测试结果进行判断，若违反spc规则，则根据测试结果执行ocap流程，不对该批次晶圆重新实施wat测试；如果不违反spc规则，则不对该批次晶圆重新实施wat测试，该批次晶圆进入下一站点进行后续处理。

4、优选的，ocap流程确定异常工艺流程对应工艺步骤的调整以及工艺参数的调整。

5、优选的，该测试结果为对元件进行电性能测量所得到的电性参数数据。

6、优选的，该元件包括有源元件、无源元件或隔离结构。

7、如上所述，本申请提供的降低wat误测的方法，具有以下有益效果：对出现问题的参数在wat过程中实施参数原点重测并重新赋值，同一批次所有晶圆的wat测试结束后，若spc系统判断违反spc规则，执行ocap流程之前不需要对该批次晶圆实施wat重测。

技术特征：

1.一种降低wat误测的方法，其特征在于，所述方法包括：对晶圆实施wat测试；判断测试结果是否符合参数规格，若否，则对不符合参数规格的参数执行原点重测，重测得到的新数值覆盖重测前的数值，而后对同一批次中的下一晶圆实施wat测试，若是，则对同一批次中的下一晶圆实施wat测试。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述批次的所有晶圆的wat测试结束后，使用spc系统对测试结果进行判断，若违反spc规则，则根据测试结果执行ocap流程，不对所述批次晶圆重新实施wat测试；如果不违反spc规则，则不对所述批次晶圆重新实施wat测试，所述批次晶圆进入下一站点进行后续处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述ocap流程确定异常工艺流程对应工艺步骤的调整以及工艺参数的调整。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试结果为对元件进行电性能测量所得到的电性参数数据。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述元件包括有源元件、无源元件或隔离结构。

技术总结
本申请提供一种降低WAT误测的方法，包括：对晶圆实施WAT测试；判断测试结果是否符合参数规格，若否，则执行参数原点重测，重测得到的新数值覆盖重测前的数值，而后对批次中的下一晶圆实施WAT测试，若是，则不执行参数重测，直接对批次中的下一晶圆实施WAT测试。对出现问题的参数在WAT过程中实施参数原点重测并重新赋值，同一批次所有晶圆的WAT测试结束后，若SPC系统判断违反SPC规则，执行OCAP流程之前不需要对该批次晶圆实施WAT重测。

技术研发人员：余燕萍,倪晓昆
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15