具有场板的器件的制作方法

本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及具有与栅极接触对准的场板的器件及其制造和操作方法。

背景技术：

1、高压氮化镓(gan)器件包括可导致性能和可靠性问题的极大电场。为了缓解这些性能和可靠性问题，可使用连接源极的场板；然而，连接源极的场板在其器件布局方面有所限制。

技术实现思路

1、在本公开的一方面，一种结构包括：至少一个栅极结构，其位于半导体材料上方，所述至少一个栅极结构包括有源层、从所述有源层延伸的栅极金属和位于所述栅极金属的侧壁上的侧壁隔离物；以及场板，其与所述至少一个栅极结构对准，并且通过所述侧壁隔离物与所述栅极金属隔离。

2、在本公开的一方面，一种结构包括：至少一个栅极结构；以及场板，其与所述至少一个栅极结构的一部分竖直地重叠。

3、在本公开的一方面，一种方法包括：在半导体材料上方形成至少一个栅极结构，所述至少一个栅极结构包括有源层、从所述有源层延伸的栅极金属和位于所述栅极金属的侧壁上的侧壁隔离物；以及形成场板，所述场板与所述至少一个栅极结构对准，并且通过所述侧壁隔离物与所述栅极金属隔离。

技术特征：

1.一种结构，包括：

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述场板与所述至少一个栅极结构水平对准。

3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述场板包括tin，所述tin在所述有源层上方且邻近所述栅极金属竖直地延伸。

4.根据权利要求2所述的结构，其中，所述场板围绕所述栅极金属。

5.根据权利要求2所述的结构，其中，所述场板位于所述栅极金属的一侧。

6.根据权利要求2所述的结构，其中，所述场板包括台阶形状，所述台阶形状接触部分地在所述有源层上方延伸的钝化层。

7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述侧壁隔离物包括sin。

8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述有源层包括p掺杂的gan。

9.根据权利要求1所述的结构，其中，所述场板相对于第二栅极结构偏移。

10.根据权利要求1所述的结构，其中，所述至少一个栅极结构包括相邻的栅极结构，其中所述场板在所述相邻的栅极结构的所述栅极金属之间延伸。

11.一种结构，包括：

12.根据权利要求11所述的结构，其中，所述场板通过侧壁隔离物与所述栅极结构电隔离。

13.根据权利要求11所述的结构，其中，所述场板完全地围绕从所述至少一个栅极结构延伸的栅极金属。

14.根据权利要求11所述的结构，其中，所述场板延伸到从所述至少一个栅极结构延伸的栅极金属的一侧。

15.根据权利要求11所述的结构，其中，所述至少一个栅极结构包括相邻的栅极岛，所述栅极岛耗尽耗尽模式栅极的二维电子气浓度。

16.根据权利要求15所述的结构，其中，所述场板是所述相邻的栅极岛共有的，并且在所述相邻的栅极岛之间延伸且与所述相邻的栅极岛重叠。

17.根据权利要求16所述的结构，其中，所述场板通过侧壁隔离物与所述相邻的栅极岛隔离。

18.根据权利要求11所述的结构，其中，所述场板接触部分地在所述至少一个栅极结构的有源层上方延伸的钝化层。

19.根据权利要求11所述的结构，其中，所述场板包括台阶形状。

20.一种方法，包括：

技术总结
本公开涉及具有场板的器件。本公开涉及一种结构，该结构包括：位于半导体材料上方的至少一个栅极结构，该至少一个栅极结构包括有源层、从有源层延伸的栅极金属和位于栅极金属的侧壁上的侧壁隔离物；以及场板，其与至少一个栅极结构对准，并且通过侧壁隔离物与栅极金属隔离。

技术研发人员：M·J·齐拉克,S·J·本特利,S·夏尔马,M·D·莱维,J·A·康塔洛夫斯基
受保护的技术使用者：格芯（美国）集成电路科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17