CdTe电池阳面刻蚀装置的制作方法

文档序号:36205082发布日期:2023-11-30 04:34阅读:52来源:国知局
CdTe的制作方法

本公开涉及薄膜电池领域,更具体地涉及一种cdte电池阳面刻蚀装置。


背景技术:

1、在cdte薄膜太阳能电池制造工序中,vtd制备cdte和cds膜层是核心关键工序,但在镀膜过程中存在绕镀现象,基板的背面存在的cdte和cds膜层会出现与正面的碲化镉(cdte)膜面接触连通的现象,降低薄膜太阳能电池的转换效率。

2、为解决该问题,在薄膜电池制备工艺中,利用阳面刻蚀的方法将背面的绕镀cdte和cds膜层去除掉。

3、但是,利用阳面刻蚀存在两个问题:

4、第一,在传动cdte电池板进行阳面刻蚀时,传动装置的辊轮极容易溅起浓硝酸(即刻蚀液)滴落在cdte电池板的正面,从而腐蚀正面的碲化镉膜面;

5、第二,由于浓硝酸极具有挥发性,挥发的酸性气体也会腐蚀cdte电池板的正面的碲化镉膜面而在碲化镉膜面上形成白点。


技术实现思路

1、鉴于背景技术中存在的问题,本公开的一目的在于提供一种cdte电池阳面刻蚀装置,其能够在cdte电池阳面刻蚀过程中保证正面的碲化镉膜面不受到腐蚀液的溅射液滴和挥发气的腐蚀,避免正面的碲化镉膜面不受损伤,确保cdte电池板的转换效率。

2、由此,提供一种cdte电池阳面刻蚀装置,cdte电池阳面刻蚀装置包括多个辊轮、下刻蚀槽、上壳体以及送风机构;下刻蚀槽用于盛放持续通入的刻蚀液;上壳体位于下刻蚀槽的上方,上壳体具有进风通道,上壳体与下刻蚀槽在上下方向上间隔开以在左右方向上形成进入通道和离开通道,进入通道的下表面和离开通道的下表面齐平,进入通道和离开通道同时作为刻蚀液的溢流通道;多个辊轮沿左右方向间隔布置在下刻蚀槽中,多个辊轮的最高点位于比刻蚀液的液面低但比进入通道的下表面和离开通道的下表面高的同一水平面上,多个辊轮用于旋转的同时接收从进入通道进入的cdte电池板、旋转地支撑cdte电池板的基板的带有绕镀的并待由刻蚀液刻蚀掉的cdte和cds膜层的背面以及将刻蚀完成的cdte电池板经由离开通道送出;送风机构包括送风机和散风均流单元,送风机用于向进风通道送风;散风均流单元用于接收经由进风通道进入的风、使所接收的风分散降压降速以及使分散降压降速的均流向下均流送风以抑制刻蚀液的液面波动、刻蚀液因辊轮的旋转飞溅以及刻蚀液的向上挥发。

3、本公开的有益效果如下:在本公开的cdte电池阳面刻蚀装置中,通过送风机构的送风机向进风通道送风以及散风均流单元接收经由进风通道进入的风、使所接收的风分散降压降速以及使分散降压降速的风向下均流送,散风均流单元均流向下均流送的风因风向下压的作用,能够抑制刻蚀液的液面波动进而抑制刻蚀液因辊轮的旋转飞溅,即使刻蚀液飞溅,飞溅的刻蚀液也会被压下从而避免滴落在cdte电池板的正面、进而不会腐蚀正面的碲化镉(cdte)膜面。此外,散风均流单元均流向下均流送的风因风向下压的作用,刻蚀液的向上挥发被压制,进而挥发的刻蚀液不会向上行进到正面的碲化镉膜面上而使碲化镉膜面形成白点。也就是说,本公开的cdte电池阳面刻蚀装置能够在cdte电池阳面刻蚀过程中保证正面的碲化镉膜面不受到腐蚀液的溅射液滴和挥发气的腐蚀,避免正面的碲化镉膜面不受损伤,确保cdte电池板的转换效率。



技术特征:

1.一种cdte电池阳面刻蚀装置,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的cdte电池阳面刻蚀装置,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的cdte电池阳面刻蚀装置,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的cdte电池阳面刻蚀装置,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的cdte电池阳面刻蚀装置,其特征在于,

6.根据权利要求4所述的cdte电池阳面刻蚀装置,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的cdte电池阳面刻蚀装置,其特征在于,

8.根据权利要求6所述的cdte电池阳面刻蚀装置,其特征在于,

9.根据权利要求8所述的cdte电池阳面刻蚀装置,其特征在于,

10.根据权利要求2所述的cdte电池阳面刻蚀装置,其特征在于,


技术总结
提供一种CdTe电池阳面刻蚀装置,其包括多个辊轮、下刻蚀槽、上壳体以及送风机构;下刻蚀槽用于盛放持续通入的刻蚀液;上壳体位于下刻蚀槽的上方,上壳体具有进风通道,上壳体与下刻蚀槽形成进入通道和离开通道;多个辊轮沿左右方向间隔布置在下刻蚀槽中,多个辊轮的最高点位于比刻蚀液的液面低但比进入通道的下表面和离开通道的下表面高的同一水平面上;送风机构包括送风机和散风均流单元,送风机用于向进风通道送风;散风均流单元用于接收经由进风通道进入的风、使所接收的风分散降压降速以及使分散降压降速的均流向下均流送风以抑制刻蚀液的液面波动、刻蚀液因辊轮的旋转飞溅以及刻蚀液的向上挥发。

技术研发人员:刘振新,黄周师,屈新成,何坤鹏
受保护的技术使用者:江苏先导微电子科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/16
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