基于TSV的双层宽阻带微带线-SIW滤波器

文档序号:36780678发布日期:2024-01-23 11:53阅读:19来源:国知局
基于TSV的双层宽阻带微带线-SIW滤波器

本发明属于无线通信,涉及一种基于tsv的双层宽阻带微带线-siw滤波器。


背景技术:

1、由于无线通信系统率先开发低频,低频频谱资源日趋紧张。为了满足各类通信业务的需求,现今无线通信系统工作频段已拓展至微波频段。微波无源电路往往在无线通信系统中占据大量面积,它的小型化、平面化、集成化是实现整个系统小型化和轻量化的重要途经。因此,如何在性能优良的基础上进一步的缩小结构尺寸是非常重要的一个问题。

2、微波高频段滤波器常见的结构大部分都是由腔体滤波器或者微带滤波器组成,而微带滤波器随着频率的增长电荷泄露等问题变的更加明显,因此当频率越大,通常不会选择微带滤波器进行设计,而会选择腔体滤波器进行设计,其中siw腔体滤波器是常用的结构,为了满足实际小尺寸要求,同时具有优良的性能,因此siw滤波器的小型化是一个值得研究的问题。


技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种基于tsv的双层宽阻带微带线-siw滤波器,该滤波器结构具有更小的尺寸的同时,可以实现优良的特性。

2、本发明所采用的技术方案是,基于tsv的双层宽阻带微带线-siw滤波器,包括四个由tsv构成的谐振腔,其中第一谐振腔和第二谐振腔位于同一平面,第三谐振腔和第四谐振腔位于同一平面,第一谐振腔和第四谐振腔为siw腔,第二谐振腔和第三谐振腔为微带线腔,第一谐振腔和第四谐振腔上下正对设置,第二谐振腔和第三谐振腔上下正对设置。

3、本发明的特点还在于:

4、四个谐振腔的结构为:包括从上至下依次设置的第一层金属层rdl、第二层金属层rdl及第三层金属层rdl,第一层金属层rdl与第二层金属层rdl之间形成第一谐振腔和第二谐振腔,第二层金属层rdl与第三层金属层rdl之间形成第三谐振腔和第四谐振腔。

5、第二层金属层rdl的中心处开设有圆形槽,通过圆形槽实现第一谐振腔和第四谐振腔之间的交叉耦合。

6、第一层金属层rdl、第二层金属层rdl及第三层金属层rdl的中心处均开设有长条形槽。

7、第一层金属层rdl的一侧和第三层金属层rdl的一侧均并排开设有两个长方形槽,第一层金属层rdl的另一侧和第三层金属层rdl的另一侧均设有矩形槽,两个矩形槽内排布有等长度的微带线。

8、本发明的有益效果如下:

9、1.该滤波器对结构的尺寸进行优化,从常见的单层滤波器和双层滤波器到本发明中的双层微带线-siw滤波器,实现了更小的尺寸。同时该滤波器采用高频段的频率,避免了频谱资源紧张的问题。

10、2.该滤波器将tsv和微带线结构相结合,有效避免了微带线滤波器电荷泄露等问题,同时与tsv的结合实现了双层微带线结构。

11、3.该滤波器将siw和微带线进行结合,实现了更小的尺寸。



技术特征:

1.基于tsv的双层宽阻带微带线-siw滤波器,其特征在于:包括四个由tsv构成的谐振腔,其中第一谐振腔和第二谐振腔位于同一平面,第三谐振腔和第四谐振腔位于同一平面,第一谐振腔和第四谐振腔为siw腔,第二谐振腔和第三谐振腔为微带线腔,第一谐振腔和第四谐振腔上下正对设置,第二谐振腔和第三谐振腔上下正对设置。

2.根据权利要求1所述的基于tsv的双层宽阻带微带线-siw滤波器,其特征在于:四个所述谐振腔的结构为:包括从上至下依次设置的第一层金属层rdl、第二层金属层rdl及第三层金属层rdl,第一层金属层rdl与第二层金属层rdl之间形成第一谐振腔和第二谐振腔,第二层金属层rdl与第三层金属层rdl之间形成第三谐振腔和第四谐振腔。

3.根据权利要求2所述的基于tsv的双层宽阻带微带线-siw滤波器,其特征在于:所述第二层金属层rdl的中心处开设有圆形槽,通过圆形槽实现第一谐振腔和第四谐振腔之间的交叉耦合。

4.根据权利要求2所述的基于tsv的双层宽阻带微带线-siw滤波器,其特征在于:所述第一层金属层rdl、第二层金属层rdl及第三层金属层rdl的中心处均开设有长条形槽。

5.根据权利要求2所述的基于tsv的双层宽阻带微带线-siw滤波器,其特征在于:所述第一层金属层rdl的一侧和第三层金属层rdl的一侧均并排开设有两个长方形槽,第一层金属层rdl的另一侧和第三层金属层rdl的另一侧均设有矩形槽,两个矩形槽内排布有等长度的微带线。


技术总结
本发明公开了基于TSV的双层宽阻带微带线‑SIW滤波器,包括四个由TSV构成的谐振腔,其中第一谐振腔和第二谐振腔位于同一平面,第三谐振腔和第四谐振腔位于同一平面,第一谐振腔和第四谐振腔为SIW腔,第二谐振腔和第三谐振腔为微带线腔,第一谐振腔和第四谐振腔上下正对设置,第二谐振腔和第三谐振腔上下正对设置。本发明提供的滤波器结构具有更小的尺寸的同时,可以实现优良的特性。

技术研发人员:王凤娟,卢颖,刘静,杨媛,余宁梅,尹湘坤,朱樟明
受保护的技术使用者:西安理工大学
技术研发日:
技术公布日:2024/1/22
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