本发明涉及太阳能电池，具体是一种高透光性双面topcon电池的制备方法。
背景技术：
1、目前topcon电池仅背表面由二氧化硅和掺杂的多晶硅组成钝化接触结构，而前表面仅由氧化铝钝化，使用烧穿型浆料时，仍存在栅线与硅基体直接接触，无法实现topcon电池双面钝化。因此，电池正面也需要采用钝化接触结构。目前topcon双面钝化电池正面采用掺杂多晶硅实现双面钝化，但多晶硅禁带宽度（1.1ev-1.7ev）较小，其光学透光性较差，寄生吸收严重，从而造成效率损失。
技术实现思路
1、为解决背景技术中的技术问题，本发明公开了一种高透光性双面topcon电池的制备方法。
2、本发明提供一种高透光性双面topcon电池的制备方法，包括以下步骤：
3、s1、硅基体双面制绒；
4、s2、对硅基体背面进行抛光；
5、s3、硅基体双面沉积遂穿氧化层；
6、s4、硅基体双面印刷掺碳的硅浆料，并对浆料进行固化；
7、s5、硅基体正面进行硼扩散，同时硅基体正面掺碳硅浆料晶化成掺碳的poly硅；
8、s6、通过酸洗去除硅基体背面的bsg层；
9、s7、对硅基体背面进行磷扩散，同时硅基体背面掺碳硅浆料晶化成掺碳的poly硅；
10、s8、通过酸洗去除硅基体正面的bsg以及背面psg；
11、s9、硅基体双面沉积氮化硅膜；
12、s10、在硅基体的正反两面进行丝网印刷，制得双面topcon电池。
13、掺碳poly硅的设置，增加了禁带宽度，在保证钝化效果的同时，减小了消光系数，减少了对光谱的寄生吸收，提升了电流，实现了topcon电池的双面钝化，同时避免了正面电极与硅基体的直接接触。
14、如碳掺杂含量过低，则poly硅禁带宽度增幅不足；如碳掺杂含量过高，则会破坏晶格的晶体结构，同时影响接触电阻，降低填充因子，基于此，进一步的设计是：硅浆料中碳掺杂的含量为3%-5%。
1.一种高透光性双面topcon电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种高透光性双面topcon电池的制备方法，其特征在于：硅浆料中碳掺杂的含量为3%-5%。