半导体发光元件及其制备方法、显示设备与流程

本申请涉及半导体器件领域，具体涉及半导体发光元件及其制备方法、显示设备。

背景技术：

1、microled和miniled具有高亮度、高对比、高色域、高解析度、反应时间快、节能、低功耗等优点，被认为是显示革命技术的新方向。microled或miniled一般分为三种结构：倒装、正装和垂直三种结构。

2、然而，倒装和正装结构方便进行组装，但是发光区域小；垂直结构发光区域大，但是组装工艺复杂。

技术实现思路

1、第一方面，本申请提供了半导体发光元件，所述半导体发光元件包括依次层叠设置的第一半导体层、电子空穴复合层及第二半导体层，所述第二半导体层具有背离所述电子空穴复合层的顶面，所述半导体发光元件还包括基底，所述基底可导电，且所述基底包括本体及延伸部，所述本体用于承载所述第一半导体层、所述电子空穴复合层及所述第二半导体层，所述延伸部朝向所述本体的周侧凸设于所述本体的一侧并显露于所述第一半导体层；

2、所述半导体发光元件还包括：

3、绝缘层，所述绝缘层包括弯折相连的第一子层及第二子层，所述第一子层设于所述顶面，所述第二子层设于所述第二半导体层、所述电子空穴复合层及所述第一半导体层靠近所述延伸部的一侧，且所述第二子层抵接所述延伸部；

4、第一电极，所述第一电极的部分设于所述第二子层背离所述第一半导体层的表面且抵接所述延伸部，所述第一电极的另外部分显露于所述第一子层；及

5、第二电极，所述第二电极贯穿所述第一子层并抵接所述顶面，且所述第二电极与所述第一电极间隔设置。

6、其中，所述延伸部背离所述本体的表面与所述第二子层背离所述第一半导体层的表面共面。

7、本申请提供了一种半导体发光元件，所述半导体发光元件设置有可导电的基底，且所述基底包括与所述第一半导体层、所述电子空穴复合层及所述第二半导体层层叠设置的本体及凸设于所述本体一侧的延伸部，所述第一电极自所述第二半导体层的顶面沿所述第二半导体层的一侧延伸并抵接至所述延伸部，以使得所述第一电极电连接至所述基底，且通过所述绝缘层的第一子层绝缘所述第一电极与所述第二电极、所述第一电极与所述第二半导体层，通过所述绝缘层的第二子层绝缘所述第一电极与所述第二半导体层的侧部、所述第一电极与所述电子空穴复合层的侧部、所述第一电极与所述第一半导体层的侧部，以实现所述第一电极通过所述第二半导体的一侧电连接至所述基底以电连接至所述第一半导体层，且与所述第一半导体层的侧部、所述电子空穴复合层的侧部、所述第二半导体的侧部、所述第二电极绝缘设置，从而提高了所述电子空穴复合层的尺寸利用率，进而提高了所述半导体发光元件在单位尺寸下的发光面积。因此，本申请提供的半导体发光元件能够提高单位尺寸下的发光面积。

8、第二方面，本申请提供了半导体发光元件的制备方法，所述半导体发光元件的制备方法包括：

9、提供基层底，并在基层底上逐层制备第一半导体基层、电子空穴复合基层及第二半导体基层，其中，所述基层底可导电；

10、蚀刻所述第一半导体基层、所述电子空穴复合基层及所述第二半导体基层以得到间隔设置的多个发光单元，相邻的发光单元之间显露部分所述基层底，其中，每个所述发光单元包括层叠设置的第一半导体层、电子空穴复合层及第二半导体层；

11、制备第二绝缘基层，其中，第二绝缘基层包括弯折相连的第一绝缘子基层及第二绝缘子基层，所述第一绝缘子基层覆盖所述第二半导体层的顶面，所述第二绝缘子基层设于所述发光单元的一侧并抵接显露出的所述基层底；

12、在所述第一绝缘子基层开设显露孔以显露所述顶面；

13、在第一绝缘子基层的表面制备第二电极基层，并蚀刻得到多个第一电极及多个第二电极，其中，所述第一电极的部分设于所述第二绝缘子基层的表面并抵接显露出的所述基层底，所述第一电极的另外部分显露于所述第一绝缘子基层，所述第二电极收容于所述显露孔并抵接所述顶面，且所述第二电极与所述第一电极间隔设置；及

14、对所述基层底进行切割以得到多个半导体发光元件。

15、本申请提供的半导体发光元件的制备方法采用可导电的基层底，制备得到的半导体发光层中所述基底包括与所述第一半导体层、所述电子空穴复合层及所述第二半导体层层叠设置的本体及凸设于所述本体一侧的延伸部，所述第一电极自所述第二半导体层的顶面沿所述第二半导体层的一侧延伸并抵接至所述延伸部，以使得所述第一电极电连接至所述基底，且通过所述绝缘层的第一子层绝缘所述第一电极与所述第二电极、所述第一电极与所述第二半导体层，通过所述绝缘层的第二子层绝缘所述第一电极与所述第二半导体层的侧部、所述第一电极与所述电子空穴复合层的侧部、所述第一电极与所述第一半导体层的侧部，以实现所述第一电极通过所述第二半导体的一侧电连接至所述基底以电连接至所述第一半导体层，且与所述第一半导体层的侧部、所述电子空穴复合层的侧部、所述第二半导体的侧部、所述第二电极绝缘设置，从而提高了所述电子空穴复合层的尺寸利用率，进而提高了所述半导体发光元件在单位尺寸下的发光面积。因此，本申请提供的半导体发光元件的制备方法能够提高单位尺寸下的发光面积。

16、第三方面，本申请提供了显示设备，所述显示设备包括：

17、设备主体；及

18、如第一方面所述的半导体发光元件，所述半导体发光元件承载于所述设备主体。

19、本申请提供的所述显示设备包括前述任意一实施方式所述的半导体发光元件，因此，所述显示设备在单位面积内的发光质量更好，从而提高了所述显示设备的显示效果，进而提升产品的品质，提升产品竞争力。

技术特征：

1.一种半导体发光元件，包括依次层叠设置的第一半导体层、电子空穴复合层及第二半导体层，所述第二半导体层具有背离所述电子空穴复合层的顶面，其特征在于，所述半导体发光元件还包括基底，所述基底可导电，且所述基底包括本体及延伸部，所述本体用于承载所述第一半导体层、所述电子空穴复合层及所述第二半导体层，所述延伸部朝向所述本体的周侧凸设于所述本体的一侧并显露于所述第一半导体层；

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述本体的周侧与所述第一半导体层的周侧、所述电子空穴复合层的周侧及所述第二半导体层的周侧齐平，所述延伸部朝向所述本体的周侧凸设于所述本体的一侧，以使得所述延伸部在一侧显露于所述第一半导体层、所述电子空穴复合层及所述第二半导体层。

3.如权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，所述延伸部背离所述本体的表面与所述第二子层背离所述第一半导体层的表面共面。

4.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述延伸部背离所述本体的端面与所述本体之间的最小距离小于或等于10μm。

5.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第二子层的厚度大于所述第一子层的厚度。

6.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第一电极包括相连的第一子极及第二子极，所述第一子极设于所述第一半导体层、所述电子空穴复合层及所述第二半导体层的一侧并抵接所述延伸部，所述第二子极显露于所述第一子层；

7.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第一电极抵接所述延伸部面向所述第二子层的面，或者，所述第一电极抵接所述延伸部背离所述第二子层的面。

8.一种半导体发光元件的制备方法，其特征在于，所述半导体发光元件的制备方法包括：

9.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括：

技术总结
本申请提供了半导体发光元件及其制备方法、显示设备。半导体发光元件包括依次层叠设置的第一半导体层、电子空穴复合层、第二半导体层及基底，基底可导电，且包括本体及延伸部，延伸部朝向本体的周侧凸设于本体的一侧并显露于第一半导体层；还包括：绝缘层，包括弯折相连的第一子层及第二子层，第一子层设于顶面，第二子层设于第二半导体层、电子空穴复合层及第一半导体层靠近延伸部的一侧，且第二子层抵接延伸部；第一电极，部分设于第二子层背离第一半导体层的表面且抵接延伸部，另外部分显露于第一子层；及第二电极，贯穿第一子层并抵接顶面，且第二电极与第一电极间隔设置。本申请提供的半导体发光元件能够提高单位尺寸下的发光面积。

技术研发人员：王光加,谢俊烽
受保护的技术使用者：长沙惠科光电有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16