太阳能电池及其制备方法与流程

本申请涉及光伏制造领域，具体地，涉及一种太阳能电池及其制备方法。

背景技术：

1、topcon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(tunnel oxidepassivated contact)太阳能电池技术。topcon电池中设置掺杂区域，topcon电池的栅线沿掺杂区域设置，掺杂区域能够降低topcon电池的表面复合和金属接触复合，进而降低金属栅线与topcon电池的接触电阻。

2、目前，金属栅线设置常常存在与掺杂区域不对准的问题，造成栅线与掺杂区域之外的结构接触，造成接触电阻提高，影响整体电池的效率。

3、因此，如何提高光伏电池的电池效率是本领域技术人员急需解决的技术问题。

技术实现思路

1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种太阳能电池及其制备方法，其能够降低金属栅线与电池之间的接触电阻，进而提高太阳能电池的效率。

2、为实现本申请的目的而提供了一种太阳能电池的制备方法，包括：

3、在电池基底的第一表面通过掺杂介质进行掺杂扩散；

4、通过具有预设参数的激光照射所述电池基底表面，以形成重掺杂区和围绕所述重掺杂的掺杂过渡区；

5、清洗掺杂扩散后形成的杂质；

6、在电池基底的所述第一表面和背离所述第一表面的第二表面制备功能层，所述功能层避让所述重掺杂区和所述掺杂过渡区设置；

7、在电池基底的所述第一表面和所述第二表面沿所述重掺杂区制备金属栅线，所述金属栅线在所述第一表面沿所述重掺杂区设置。

8、在一些实施例中，所述通过具有预设参数的激光照射所述电池基底表面，包括：

9、通过具有预设参数的激光照射所述电池基底表面预设时长，所述预设时长为0.5s～1s。

10、在一些实施例中，所述激光的预设参数包括激光功率和光斑直径，所述激光功率为2000w～8000w，所述光斑直径为5μm～150μm。

11、在一些实施例中，所述在电池基底的正面和背面制备功能层，包括：

12、在所述第二表面制备隧穿层。

13、在一些实施例中，所述在电池基底的正面和背面制备功能层，还包括：

14、在所述第一表面制备钝化层。

15、在一些实施例中，所述在电池基底的正面和背面制备功能层，还包括：

16、在所述钝化层远离所述电池基底的一侧以及所述隧穿层远离所述电池基底的一侧制备钝化减反层。

17、在一些实施例中，所述掺杂介质为溴化硼或氯化硼；

18、所述在电池基底的第一表面通过掺杂介质进行掺杂扩散，包括：

19、在所述第一表面进行硼扩散，扩散温度为900℃～1100℃。

20、在一些实施例中，所述在电池基底的第一表面通过掺杂介质进行掺杂扩散前，还包括：

21、抛光所述电池基底的所述第一表面和所述第二表面；

22、在抛光后的所述第一表面和所述第二表面制绒；

23、清洗制绒后的所述第一表面和所述第二表面。

24、在一些实施例中，所述在电池基底的所述第一表面和所述第二表面沿所述重掺杂区制备金属栅线，包括：

25、通过印刷或烧结在电池基底的所述第一表面和所述第二表面沿所述重掺杂区制备金属栅线。

26、本申请还提供了一种太阳能电池，由上述任意一种所述的制备方法制备形成。

27、本申请具有以下有益效果：

28、本申请提供的太阳能电池的制备方法，包括：在电池基底的第一表面通过掺杂介质进行掺杂扩散；通过具有预设参数的激光照射电池基底表面，以形成重掺杂区和围绕重掺杂的掺杂过渡区；清洗掺杂扩散后形成的杂质；在电池基底的第一表面和背离第一表面的第二表面制备功能层，功能层避让重掺杂区和掺杂过渡区设置；在电池基底的第一表面和第二表面沿重掺杂区制备金属栅线，金属栅线在第一表面沿重掺杂区设置。

29、电池基底的第一表面进行掺杂扩散可形成轻掺杂区，随后通过激光照射电池基底的第一表面形成重掺杂区和掺杂过渡区，掺杂过渡区的掺杂浓度小于重掺杂区，大于轻掺杂区。金属栅线制备过程中如果与重掺杂区不对准，其仍可与掺杂过渡区接触，减小接触电阻，提高太阳能电池的发电效率。另外，激光掺杂工艺形成重掺杂区和掺杂过渡区加工方式简单，加工效率高，便于太阳能电池的大规模生产。

30、本申请的另一目的是提供一种由上述制备方法制备形成的太阳能电池，并具有上述优点。

技术特征：

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通过具有预设参数的激光照射所述电池基底表面，包括：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述激光的预设参数包括激光功率和光斑直径，所述激光功率为2000w～8000w，所述光斑直径为5μm～150μm。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述在电池基底的正面和背面制备功能层，包括：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在电池基底的正面和背面制备功能层，还包括：

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在电池基底的正面和背面制备功能层，还包括：

7.根据权利要求1至3任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述掺杂介质为溴化硼或氯化硼；

8.根据权利要求1至3任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述在电池基底的第一表面通过掺杂介质进行掺杂扩散前，还包括：

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在电池基底的所述第一表面和所述第二表面沿所述重掺杂区制备金属栅线，包括：

10.一种太阳能电池，其特征在于，由权利要求1至9任意一项所述的制备方法制备形成。

技术总结
本申请提供一种太阳能电池及其制备方法，制备方法包括：在电池基底的第一表面通过掺杂介质进行掺杂扩散；通过具有预设参数的激光照射电池基底表面，以形成重掺杂区和围绕重掺杂的掺杂过渡区；清洗掺杂扩散后形成的杂质；在电池基底的第一表面和背离第一表面的第二表面制备功能层，功能层避让重掺杂区和掺杂过渡区设置；在电池基底的第一表面和第二表面沿重掺杂区制备金属栅线，金属栅线在第一表面沿重掺杂区设置。电池基底通过激光照射在第一表面形成重掺杂区和掺杂过渡区，掺杂过渡区的掺杂浓度小于重掺杂区，大于轻掺杂区。金属栅线制备过程中如果与重掺杂区不对准，其仍可与掺杂过渡区接触，减小接触电阻，提高太阳能电池的发电效率。

技术研发人员：邹杨,刘成法,王昆州,李万里,张雅倩,张帅,陆玉刚,吴晓鹏,陈红
受保护的技术使用者：天合光能（宿迁）光电有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15