半导体结构及其形成方法与流程

本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

背景技术：

1、半导体集成电路(ic)工业经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在ic发展的过程中，功能密度(即，每芯片区的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种缩小也增大了处理和制造ic的复杂性。

2、例如，随着集成电路(ic)技术朝着更小的技术节点发展，已经引入了多栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(多栅极mosfet或多栅极器件)，以通过增加栅极-沟道耦合、减小截止状态电流和减小短沟道效应(sce)来改进栅极控制。多栅极器件通常是指具有设置在沟道区域的多于一侧上方的栅极结构或其部分的器件。多桥沟道(mbc)晶体管是多栅极器件的实例，多栅极器件已经成为用于高性能和低泄漏应用的流行和有前途的候选器件。mbc晶体管具有栅极结构，栅极结构可以部分或完全在沟道区域周围延伸，以在两侧或多侧上提供对沟道区域的访问。因为其栅极结构围绕沟道区域，所以mbc晶体管也可以称为环绕栅极晶体管(sgt)或全环栅(gaa)晶体管。虽然现有的mbc晶体管结构通常足以满足其预期目的，但是它们并不是在所有方面都令人满意。

技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种半导体结构，包括：介电栅极结构，沿第一方向纵向延伸并且包括第一侧壁和与所述第一侧壁相对的第二侧壁；c形外延部件，包括邻近所述第一侧壁的第一分支和第二分支以及远离所述第一侧壁的合并部分；以及第一外延部件和第二外延部件，邻近所述第二侧壁设置，其中，当沿所述第一方向观察时，所述合并部分具有岛状形状。

2、本申请的另一些实施例提供了一种半导体结构，包括：第一纳米结构堆叠件，沿第一方向纵向延伸，所述第一纳米结构堆叠件的每个沿垂直于所述第一方向的第二方向具有第一宽度；第二纳米结构堆叠件，沿所述第一方向纵向延伸，所述第二纳米结构堆叠件的每个沿所述第二方向具有第二宽度；第三纳米结构堆叠件，沿所述第一方向纵向延伸，所述第三纳米结构堆叠件的每个沿所述第二方向具有所述第二宽度；以及外延部件，沿所述第一方向夹置在所述第一纳米结构堆叠件和所述第二纳米结构堆叠件之间以及所述第一纳米结构堆叠件和所述第三纳米结构堆叠件之间，其中，所述第一宽度大于所述第二宽度。

3、本申请的又一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底上方形成包括与第二半导体层交错的第一半导体层的堆叠件；以及图案化所述堆叠件和所述衬底的部分以形成沿第一方向纵向延伸的鳍状结构，其中，所述鳍状结构包括沿垂直于所述第一方向的第二方向具有第一宽度的第一区段、沿所述第二方向具有第二宽度的第二区段和沿所述第二方向具有第二宽度的第三区段，其中，所述第一宽度与所述第二宽度不同，其中，所述第一区段连续过渡至所述第二区段和所述第三区段。

技术特征：

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，

3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述c形外延部件和所述第一侧壁限定沿所述第一方向设置在所述第一分支和所述第二分支之间的镂空部分。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述镂空部分包括所述接触蚀刻停止层和所述介电层。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

7.根据权利要求6所述的半导体结构，还包括：

8.一种半导体结构，包括：

9.根据权利要求8所述的半导体结构，

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

技术总结
提供了半导体结构及其形成方法。根据本发明的半导体结构包括：第一有源区域，沿第一方向纵向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向具有第一宽度；第二有源区域，沿第一方向纵向延伸并且沿第二方向具有第二宽度；以及外延部件，沿第一方向夹置在第一有源区域和第二有源区域之间。第一宽度大于第二宽度。

技术研发人员：林柏劭,郭俊铭,彭远清,林宥霆,简郁玫
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1