用于半导体装置的衬底的制作方法

文档序号:36508523发布日期:2023-12-29 01:42阅读:48来源:国知局
用于半导体装置的衬底的制作方法

本发明涉及半导体装置,且更明确地说,涉及一种用于半导体装置的封装优化的方法和系统。


背景技术:

1、电子器件行业正在各种装置中使用集成电路(ic),包含例如智能手机的移动装置。为了针对这些较小装置提供不断增加的功能性,需要更小的半导体组件。得到较小ic的一个方式为使晶体管和裸片上的电路布局小型化。小型化的另一方式为保持包装的ic尽可能小,同是仍提供对于ic与印刷电路(pc)板上的其它组件通信需要的互连件。

2、互连件可被认为是用于半导体的电接点的通称,且焊料球、焊接凸点(有或无金属支柱)、衬垫等可为电接点的具体类型。

3、通过比较此类系统与如在本申请的其余部分中参看图式阐述的本发明的一些态样,常规和传统方法的进一步限制和劣势将对所属领域的技术人员变得显而易见。


技术实现思路

1、一种用于半导体裸片的封装优化的方法和系统,实质上如在所述图中的至少一个中所展示和/或关于所述图中的至少一个所描述,且如在权利要求中更完整地阐述。

2、更具体地说,在一个实施例中,一种包括互连件的衬底,其中所述互连件包括沿着所述衬底的边缘的边缘互连件,且所述边缘中的至少一个为非线性。所述衬底中,所述互连件包括具有主轴和次轴的多个非圆形互连件。所述衬底中,所述多个非圆形互连件中的至少一个的所述主轴实质上垂直于:所述衬底的径向轴线,或平行于所述衬底的径向轴线的线。所述衬底中,所述边缘互连件被配置以当回焊所述衬底的焊料时形成悬挂于对应的边缘上的互连件。所述衬底中,所述衬底的周边追随所述边缘互连件中的个别者的轮廓。所述衬底中,在所述衬底上的第一互连件行关于邻近所述第一互连件行的第二互连件行水平偏移,且所述第一互连件行的邻近互连件与所述第二互连件行的邻近互连件具有第一间距,且所述第一间距与从所述第一互连件行的线通过中心到所述第二互连件行的线通过中心的垂直距离不同。

3、在另一实施例中,一种包括互连件的衬底,其中所述互连件中的多个是非圆形互连件,且每一非圆形互连件具有主轴和次轴。所述衬底中,所述非圆形互连件中的至少一个被配置以具有所述次轴的实质上两倍长的所述主轴。所述衬底中,所述非圆形互连件中的至少一个的所述主轴实质上垂直于:所述衬底的径向轴线,或平行于所述衬底的径向轴线的线。所述衬底中,在所述衬底的边缘附近的所述非圆形互连件关于在所述衬底的中心附近的所述非圆形互连件中的至少一个旋转实质上90度。所述衬底中,所述衬底包括直边缘。所述衬底中,所述衬底包括非线性边缘。所述衬底中,所述多个互连件包括具有与所述衬底的径向轴线对准的主轴的第一互连件集合和具有与平行于所述衬底的所述径向轴线的线对准的主轴的第二互连件集合。所述衬底中,所述多个互连件包括具有相互平行的主轴的第一互连件集合和具有相互平行的主轴的第二互连件集合,其中所述第一互连件集合的所述主轴垂直于所述第二互连件集合的所述主轴。

4、在另一实施例中,一种衬底,其包括第一互连件行,所述第一互连件行关于邻近所述第一互连件行的第二互连件行水平偏移,其中所述第一互连件行的邻近互连件与所述第二互连件行的邻近互连件具有第一间距,且所述第一间距与从所述第一互连件行的线通过中心到所述第二互连件行的线通过中心的垂直距离不同。所述衬底中,所述互连件包括沿着主轴的方向比在次轴的方向上长的多个非圆形互连件。所述衬底中,所述多个非圆形互连件中的每一个的所述主轴实质上垂直于:所述衬底的径向轴线,或平行于所述衬底的径向轴线的线。所述衬底中,所述互连件中的一或多个为经形成以当回焊所述衬底的焊料时使所述边缘互连件的一部分悬挂于对应的边缘上的边缘互连件。所述衬底中,所述衬底的至少一个边缘为非线性。所述衬底中,所述衬底的周边追随沿着所述衬底的周边的所述互连件的个别者的轮廓。

5、将从以下描述和图式更充分理解本发明的各种优势、态样和新颖特征以及其所说明的实施例的细节。



技术特征:

1.一种设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其包括:

3.根据权利要求1所述的设备,其包括:

4.根据权利要求1所述的设备,其中:

5.根据权利要求1所述的设备,其包括:

6.根据权利要求1所述的设备,其中每个所述第一互连件是椭圆形。

7.根据权利要求1所述的设备,其中每个所述等腰楔形区域是等腰三角形区域。

8.根据权利要求1所述的设备,其中在相应等腰楔形区域中的每一个互连件包括主轴,所述主轴是平行于相应第二径向参考线。

9.根据权利要求1所述的设备,其中:

10.根据权利要求1所述的设备,其中所述等腰楔形区域的所述锐角中心角的总和是360°。

11.一种设备,其包括:

12.根据权利要求11所述的设备,其中:

13.根据权利要求11所述的设备,其中所述第一数量的互连件中的第一互连件以及所述第二数量的互连件中的第二互连件配置为沿着第一径向参考线,所述第一径向参考线从所述径向原点辐射。

14.根据权利要求11所述的设备,其中:

15.根据权利要求11所述的设备,其包括:

16.根据权利要求11所述的设备,其中每个互连件是椭圆形。

17.一种设备,其包括:

18.根据权利要求17所述的设备,其包括第二互连件,其中:

19.根据权利要求17所述的设备,其包括第二互连件,其中:

20.根据权利要求17所述的设备,其中:

21.根据权利要求17所述的设备,其包括:

22.根据权利要求17所述的设备,其中每个所述第一互连件是椭圆形。

23.根据权利要求17所述的设备,其中每个区域是等腰楔形区域。

24.根据权利要求17所述的设备,其中在相应区域中的每一个互连件包括主轴,所述主轴是平行于所述第二径向参考线辐射穿过所述相应区域。

25.根据权利要求17所述的设备,其中每个第二径向参考线将相应第二径向参考线所辐射穿过的所述区域的所述锐角中心角平分。

26.根据权利要求17所述的设备,其中:

27.根据权利要求17所述的设备,其中所述区域的所述锐角中心角的总和是360°。

28.一种设备,其包括:

29.根据权利要求28所述的设备,其中:

30.根据权利要求28所述的设备,其包括:

31.根据权利要求28所述的设备,其中每个互连件是椭圆形。

32.根据权利要求28所述的设备,其中在相应区域中的每一个互连件包括主轴,所述主轴是平行于辐射通过所述相应区域的所述第二径向参考线。

33.根据权利要求28所述的设备,其中每个第二径向参考线将相应第二径向参考线所辐射穿过的所述区域的所述锐角中心角平分。

34.根据权利要求28所述的设备,其中:


技术总结
一种用于半导体装置的衬底。所提供为用于优化芯片/衬底上的半导体装置的数目的揭示。所述优化包括有效率地布置、切割和包装所述装置。

技术研发人员:格兰·瑞讷,丹尼尔·李徹特
受保护的技术使用者:艾马克科技公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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