图像传感器的制作方法

发明构思涉及图像传感器和制造其的方法。

背景技术：

1、图像传感器将光学图像转换成电信号。图像传感器可以被归类为电荷耦合器件(ccd)型或互补金属氧化物半导体(cmos)型。cis(cmos图像传感器)是cmos型图像传感器。cis可以包括多个二维排列的像素。每个像素包括光电二极管(pd)。光电二极管用于将入射光转换成电信号。

技术实现思路

1、发明构思的一些实施方式提供了高可靠的图像传感器和制造其的方法。

2、根据发明构思的一些实施方式，一种图像传感器可以包括：半导体基板，包括像素区域和焊盘区域，并具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一焊盘分隔图案，在焊盘区域上，并从半导体基板的第一表面朝向第二表面延伸；第二焊盘分隔图案，在焊盘区域上，并从半导体基板的第二表面朝向第一表面延伸，第二焊盘分隔图案与第一焊盘分隔图案接触；以及像素分隔图案，在像素区域上，并从第二表面朝向第一表面延伸。

3、根据发明构思的一些实施方式，一种图像传感器可以包括：半导体基板，包括焊盘区域，并具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一焊盘分隔图案，在焊盘区域上，并从半导体基板的第一表面朝向半导体基板的第二表面延伸；第二焊盘分隔图案，在焊盘区域上，并从半导体基板的第二表面朝向半导体基板的第一表面延伸，第二焊盘分隔图案与第一焊盘分隔图案接触；以及贯通通路，在焊盘区域上，并与第一焊盘分隔图案和第二焊盘分隔图案间隔开，贯通通路穿透半导体基板。第一焊盘分隔图案可以设置在提供于半导体基板中的沟槽中。该沟槽可以与半导体基板的第一表面相邻。第一焊盘分隔图案可以包括覆盖所述沟槽的内表面的衬垫绝缘图案、以及填充所述沟槽的掩埋绝缘图案。

4、根据发明构思的一些实施方式，一种制造图像传感器的方法可以包括：提供半导体基板，该半导体基板包括焊盘区域和像素区域，并具有彼此相对的第一表面和第二表面；在焊盘区域上形成位于半导体基板中的第一焊盘分隔图案，第一焊盘分隔图案与半导体基板的第一表面相邻；以及蚀刻半导体基板的第二表面，以在焊盘区域上形成暴露第一焊盘分隔图案的第一沟槽，并在像素区域上形成第二沟槽。

技术特征：

1.一种图像传感器，包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一焊盘分隔沟槽的一部分延伸到所述第二焊盘分隔沟槽中。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第二焊盘分隔沟槽的顶表面在所述第一方向上的宽度大于所述第一焊盘分隔沟槽的底表面在所述第一方向上的宽度。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述第一焊盘分隔沟槽在第三方向上的长度大于所述第二焊盘分隔沟槽在所述第三方向上的长度，以及

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述绝缘图案包括硅氧化物。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述固定电荷层包括钽。

7.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述固定电荷层在所述像素分隔沟槽的侧表面和底表面上，且包括金属氧化物层。

8.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述源极跟随器栅极的一部分在所述第一区内。

9.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述金属氧化物层包括铝。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中所述选择栅极在所述第二区内。

11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中所述源极跟随器栅极的一部分在所述第一区内。

12.一种图像传感器，包括：

13.根据权利要求12所述的图像传感器，还包括：

14.根据权利要求13所述的图像传感器，其中所述固定电荷层包括金属氧化物层。

15.根据权利要求14所述的图像传感器，其中所述金属氧化物层包括铝。

16.根据权利要求15所述的图像传感器，还包括：

17.根据权利要求16所述的图像传感器，其中所述像素分隔区的顶表面在所述第一方向上的宽度大于所述像素分隔沟槽的底表面在所述第一方向上的宽度，以及

18.根据权利要求17所述的图像传感器，还包括：

19.根据权利要求18所述的图像传感器，其中所述第一单元像素在第一像素区中，且所述源极跟随器栅极的一部分在所述第一像素区内。

20.根据权利要求17所述的图像传感器，还包括在所述像素分隔沟槽中的硅氧化物层。

技术总结
公开了图像传感器，其包括：含像素区域和焊盘区域的基板，包括相对的第一和第二表面；焊盘区域上的第一和第二焊盘分隔沟槽，分别从第二和第一表面朝彼此延伸且彼此接触；和像素区域上的像素组，包括：分别在第一至第四区中的第一至第四单元像素，第一和第二区在第一方向相邻，第三和第四区在第一方向相邻，在与第一方向垂直的第二方向上第三和第四区分别邻近第二和第一区；源极跟随器栅极和选择栅极；第一和第二单元像素间的像素分隔沟槽，从第二表面朝第一表面延伸；在第一表面和像素分隔沟槽间且接触二者的像素分隔区；像素分隔沟槽中的绝缘图案；以及在第一和第二区中的第二表面上且在绝缘图案上的固定电荷层，图像传感器在第二表面接收光。

技术研发人员：李昌根
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15