芯片巨量转移方法及显示面板与流程

本发明属于显示面板，具体涉及一种芯片巨量转移方法及显示面板。

背景技术：

1、微型led通常的制造流程是首先将led芯片结构微小化、阵列化，然后将微型led芯片选择性、批量性的转移至显示电路板上，最后进行封装，即芯片的制备、芯片转移和芯片与驱动基板的焊接和封装。其中，如何实现选择性批量式转移，即巨量转移技术(masstransfer)则是此流程的关键难点。

2、巨量转移技术是指将生长在原生基板上的微型led芯片选择性批量式转移到电路板上的技术，每个微型led芯片对应电路板上的一个亚像素，由于微型led尺寸小，定位精度要求高，一个电路板上往往需要数以百万计的微型led芯片。目前业内的巨量转移方案主要有弹性印模微转印技术和激光释放技术。

3、弹性印模微转印技术利用弹性印章与芯片间的粘附力从源基板上拾取芯片，通过降低消除两者间的粘附力，使芯片脱落至驱动基板上，实现led芯片巨量转移。但是，弹性印模微转印技术中，转印胶过厚或者粘度过大，会导致芯片会陷入胶材中无法拔出；胶水本身的粘性的变化或者厚度不均，会导致芯片比较难精确掉落到驱动板对应的焊盘上。

4、激光释放技术是用涂有与激光会发生反应的激光胶的转转移载板拾取芯片，然后通过激光照射，降低或消除激光胶与芯片的粘附力，使芯片脱落到驱动基板上。但是，激光转移技术中，激光与激光胶反应会有热释放直接对芯片造成损伤，且反应过程会产生一些碎屑异物，残留在芯片表面，需要清洁。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种芯片巨量转移方法及显示面板。

2、本申请提供一种芯片巨量转移方法，包括：

3、提供芯片外延片，其包括衬底和位于衬底上的芯片；

4、提供转移载板，其包括基板、位于基板上的激光反应膨胀层、位于激光反应膨胀层上的粘附层；

5、将芯片外延片与第一转移载板对位，然后去除衬底，以将芯片转移到第一转移载板上；

6、将第一转移载板与第二转移载板对位，激光照射第一转移载板的激光反应膨胀层，以将芯片转移到第二转移载板上；

7、将第二转移载板与驱动基板对位贴合，激光照射第二转移载板的激光反应膨胀层，以将芯片转移到驱动基板上。

8、上述芯片巨量转移方法中，通过激光照射激光反应膨胀层使其发生体积膨胀，通过物理形变的力学作用进行芯片转移；与印章转移技术相比，芯片只需要和转移载板轻轻贴合或保持一定的空隙即可完成转移，降低了芯片陷入粘附层内无法拔出，或者芯片表面有粘附层残留的风险；与激光胶转移技术相比，激光反应膨胀层和芯片不直接接触，因此不会在芯片周围产生碎屑或其他杂质残留。

9、可选的，所述激光反应膨胀层为sinx:h层。

10、上述芯片巨量转移方法中，激光照射sinx:h层，si-h键、n-h键断裂产生h2和其他小分子颗粒,导致体积膨胀，芯片受到推力的作用与载板分离，实现转移。

11、可选的，所述激光反应膨胀层的厚度为300～400nm。

12、可选的，所述粘附层包括：具有粘性且对紫外光有吸收的pmma膜、聚酰亚胺膜、环氧树脂膜。

13、上述芯片巨量转移方法中，粘附层材料对紫外激光有吸收，可以避免紫外激光照射到芯片，对芯片发光层产生影响。

14、可选的，照射激光反应膨胀层的激光波长≤266nm。

15、上述芯片巨量转移方法中，波长≤266nm的紫外光与可见光和红外光相比热影响小，对芯片的影响更小，

16、可选的，所述第一转移载板上粘附层对芯片的粘附力≤第二转移载板上粘附层对芯片的粘附力。

17、可选的，将第一转移载板与第二转移载板对位时，芯片与粘附层贴合或者芯片与粘附层存在≤50μm间隙。

18、可选的，所述提供转移载板的方法包括：

19、在基板上沉积激光反应膨胀层；

20、在激光反应膨胀层上沉积粘附层；以及

21、在所述激光照射转移载板的激光反应膨胀层时，通过遮光板控制激光照射各芯片所在位置处对应的激光反应膨胀层。

22、可选的，所述提供转移载板的方法包括：

23、在基板上沉积激光反应膨胀层；

24、对激光反应膨胀层刻蚀出芯片图案；

25、在激光反应膨胀层上沉积粘附层。

26、上述芯片巨量转移方法中，通过遮光板控制激光照射各芯片所在位置处对应的激光反应膨胀层，或者对激光反应膨胀层刻蚀出芯片图案，可以对芯片精准定位转移，提高准确性。

27、基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示面板，包括驱动基板及位于驱动基板表面的多个芯片；其中多个所述芯片采用如前述任一实施方式提供的芯片巨量转移方法转移至所述驱动基板的表面。

28、上述显示面板，包括多个采用前述实施方式提供的芯片巨量转移方法转移至驱动基板表面的芯片，因此，前述芯片巨量转移方法所能实现的技术效果，该显示面板也均能实现，此处不再详述。

29、本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

30、为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

技术特征：

1.一种芯片巨量转移方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片巨量转移方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的芯片巨量转移方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的芯片巨量转移方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的芯片巨量转移方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的芯片巨量转移方法，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的芯片巨量转移方法，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的芯片巨量转移方法，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的芯片巨量转移方法，其特征在于，

10.一种显示面板，其特征在于，包括：

技术总结
本发明属于显示面板技术领域，具体涉及一种芯片巨量转移方法及显示面板。该芯片巨量转移方法中，提供转移载板，其包括基板、位于基板上的激光反应膨胀层、位于激光反应膨胀层上的粘附层；通过激光照射激光反应膨胀层使其发生体积膨胀，通过物理形变的力学作用进行芯片转移；与印章转移技术相比，芯片只需要和转移载板轻轻贴合或保持一定的空隙即可完成转移，降低了芯片陷入粘附层内无法拔出，或者芯片表面有粘附层残留的风险；与激光胶转移技术相比，激光反应膨胀层和芯片不直接接触，因此不会在芯片周围产生碎屑或其他杂质残留。

技术研发人员：赵云飞
受保护的技术使用者：英诺激光科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/22