本发明属于半导体封装,具体涉及一种劈刀及其制作方法。
背景技术:
1、劈刀是ic封装中引线键合过程中的重要工具,其价值高昂,且属于易耗品。现有的劈刀在引线键合时,劈刀的第一磨损位置在内倒角周围,如下图3所示,当边缘磨损后,直接会影响焊球的质量,球形尺寸超出规格要求,焊球的剪切力下降,同时影响第二焊点的焊接力,造成第二点翘线,从而劈刀寿命结束,必须更换新的劈刀。
技术实现思路
1、针对上述现有技术,本发明提供一种劈刀及其制作方法,以解决现有劈刀的寿命短的问题。
2、为了达到上述目的,本发明所采用的技术方案是:提供一种劈刀,所述劈刀顶部设置有凸起的台阶,所述台阶设置于所述劈刀内孔四周外侧。
3、采用上述方案的有益效果是:本发明通过在劈刀顶部四周设置台阶,从而增加磨损位置的高度,使得劈刀在引线键合过程中,台阶区域会先磨损,然后再磨损内部区域,从而增加劈刀的寿命。
4、在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
5、进一步,所述台阶包括两个互相垂直的面,所述台阶的其中一面与所述内孔纵轴垂直。
6、进一步,所述台阶的深度为1~30μm。
7、进一步,所述台阶的宽度为1~100μm。
8、进一步,所述劈刀内孔顶部设置有内倒角。
9、本申请还提供了上述劈刀的制作方法,所述方法包括:
10、劈刀表面尖端尺寸做好后,于劈刀尖端采用打磨方式或激光去除方式加工劈刀顶端,以形成台阶。
11、采用上述方案的有益效果是:该制作方法简单高效,可操控性强。
12、进一步,所述打磨方式包括:
13、将打磨工具的磨头置于顶部外侧,通过磨头向所述劈刀的内孔方向对所述劈刀进行打磨,以形成台阶。
14、采用上述进一步方案的有益效果是:可通过磨头初始位置在劈刀内孔内的深度控制台阶深度,通过控制磨头的结束位置控制台阶的宽度。
15、进一步,所述激光去除方式包括:
16、通过激光加工劈刀顶部以形成台阶,并控制激光能量和加工时间。
17、采用上述进一步方案的有益效果是:通过控制激光能量和加工时间可控制台阶的深度和宽度。
18、进一步,所述激光能量为100mw~5w,所述打磨时间为0.1~30s。
19、采用上述进一步方案的有益效果是:激光能量过高会损伤劈刀表面的性能。
20、本发明的有益效果是:本申请将劈刀尖端的内倒角改为台阶形,可使得劈刀在引线键合过程中,台阶区域会先磨损,然后再磨损内部区域,从而使得劈刀的寿命可以增加1.5~2倍以上。
1.一种劈刀,其特征在于,所述劈刀顶部设置有凸起的台阶(1),所述台阶(1)设置于所述劈刀内孔(3)四周外侧。
2.根据权利要求1所述的劈刀其特征在于:所述台阶(1)包括两个互相垂直的面,所述台阶(1)的其中一面与所述内孔纵轴垂直。
3.根据权利要求1所述的劈刀,其特征在于:所述台阶(1)的深度为1~30μm。
4.根据权利要求1所述的劈刀,其特征在于:所述台阶(1)的宽度为1~100μm。
5.根据权利要求1所述的劈刀,其特征在于:所述劈刀内孔顶部设置有内倒角(2)。
6.一种制作如权利要求1~5任意一项所述劈刀的方法,其特征在于:所述方法包括:
7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述打磨方式包括:
8.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述激光去除方式包括:
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述激光能量为100mw~5w,所述打磨时间为0.1~30s。