顶盖密封结构、顶盖组件的制作方法

文档序号:36466771发布日期:2023-12-21 21:08阅读:35来源:国知局
顶盖密封结构的制作方法

本发明涉及电池领域,具体涉及电池端盖的密封结构领域。


背景技术:

1、随着新能源电动汽车的快速发展,对汽车用动力电池需求量越来越大,电池的制造成本也在不断地降低,如何在降低成本的同时保证电池的密封性及安全性成为新的研究方向。


技术实现思路

1、本发明的一个目的是提供一种顶盖密封结构,通过简洁的结构强化了密封效果。

2、为实现上述目的的顶盖密封结构用于顶盖、极柱与密封件之间的密封,所述极柱贯穿所述顶盖设置,所述极柱包括环状凹槽和第一凸起,所述环状凹槽设置在所述极柱的外周,所述第一凸起设置在限定出所述环状凹槽的内壁上;所述密封件套设在所述极柱外周,包括径向延伸部和径向凹沟,所述径向延伸部用于与所述环状凹槽契合,所述径向凹沟用于卡入所述顶盖;所述顶盖卡入所述径向凹沟的部分设有第二凸起和凹口,所述径向凹沟设有与所述凹口配合的第三凸起;所述密封件借助所述径向延伸部与所述第一凸起的过盈配合、所述径向凹沟与所述第二凸起的过盈配合以及所述第三凸起与所述凹口的配合实现密封。

3、在一个或多个实施例中,所述径向凹沟设置在所述径向延伸部的内部。

4、在一个或多个实施例中,所述径向延伸部与所述第一凸起的过盈配合处、所述径向凹沟与所述第二凸起的过盈配合处相邻近地设置,以借助过盈配合迫使位于两处过盈配合之间的所述密封件变形。

5、在一个或多个实施例中,所述顶盖设有弯钩,所述弯钩形成所述第二凸起和所述凹口。

6、在一个或多个实施例中,所述径向凹沟与所述第二凸起、所述第三凸起与所述凹口靠近所述极柱设置。

7、在一个或多个实施例中,所述第一凸起和/或所述第二凸起和/或所述第三凸起为环状凸起。

8、本发明的另一个目的在于提供一种设置在电池壳体的端部的顶盖组件,包括顶盖、极柱和密封件,该组件设有上述顶盖密封结构,所述顶盖还包括朝向所述电池壳体方向延伸的环形导向凸起,所述环形导向凸起的内部形成环形凹槽。

9、在一个或多个实施例中,所述环形凹槽的深度大于等于0.2mm,所述环形凹槽的环宽范围为1~10mm。

10、在一个或多个实施例中,所述顶盖还包括设置在外周侧的安装台阶,所述安装台阶用于与电池壳体配合。

11、在一个或多个实施例中,所述安装台阶的宽度大于等于0.1mm。

12、上述顶盖密封结构通过设置径向延伸部与第一凸起的过盈配合、径向凹沟与第二凸起的过盈配合以及第三凸起与凹口的配合,多点位实现顶盖、极柱与密封件之间的密封,且多处过盈配合结构迫使密封件本身产生变形,进一步提高密封件的密封性能。上述结构在强化、保证密封性的前提下,节省了零件数量,有效降低了结构件的成本。



技术特征:

1.顶盖密封结构,用于顶盖、极柱与密封件之间的密封,所述极柱贯穿所述顶盖设置,其特征在于,

2.如权利要求1所述的顶盖密封结构,其特征在于,所述径向凹沟设置在所述径向延伸部的内部。

3.如权利要求2所述的顶盖密封结构,其特征在于,所述径向延伸部与所述第一凸起的过盈配合处、所述径向凹沟与所述第二凸起的过盈配合处相邻近地设置,以借助过盈配合迫使位于两处过盈配合之间的所述密封件变形。

4.如权利要求1所述的顶盖密封结构,其特征在于,所述顶盖设有弯钩,所述弯钩形成所述第二凸起和所述凹口。

5.如权利要求1所述的顶盖密封结构,其特征在于,所述径向凹沟与所述第二凸起、所述第三凸起与所述凹口靠近所述极柱设置。

6.如权利要求1所述的顶盖密封结构,其特征在于,所述第一凸起和/或所述第二凸起和/或所述第三凸起为环状凸起。

7.顶盖组件,设置在电池壳体的端部,包括顶盖、极柱和密封件,其特征在于,该组件设有如权利要求1-6任一项所述的顶盖密封结构,

8.如权利要求7所述的顶盖组件,其特征在于,所述环形凹槽的深度大于等于0.2mm,所述环形凹槽的环宽范围为1~10mm。

9.如权利要求7所述的顶盖组件,其特征在于,所述顶盖还包括设置在外周侧的安装台阶,所述安装台阶用于与电池壳体配合。

10.如权利要求9所述的顶盖组件,其特征在于,所述安装台阶的宽度大于等于0.1mm。


技术总结
提供一种用于顶盖、极柱与密封件之间的密封的顶盖密封结构,极柱贯穿顶盖,极柱包括环状凹槽和第一凸起,环状凹槽设置在极柱的外周侧,第一凸起设置在限定出环状凹槽的内壁上;密封件用于套设在极柱外周,包括径向延伸部和径向凹沟,径向延伸部用于与环状凹槽契合,径向凹沟用于卡入顶盖;顶盖卡入径向凹沟的部分设有第二凸起和凹口,径向凹沟设有卡入凹口的第三凸起;密封件借助径向延伸部与第一凸起的过盈配合、径向凹沟与第二凸起的过盈配合以及第三凸起与凹口的卡合实现密封。上述密封结构通过简洁的结构强化了密封效果。还提供一种顶盖组件。

技术研发人员:吴迪,姜俊杰,渠雁晓,张夜,于静
受保护的技术使用者:中化扬州锂电科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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