一种制作电容器的方法、电容器以及电子设备与流程

本申请实施例涉及电容器，特别是涉及一种制作电容器的方法、电容器以及电子设备。

背景技术：

1、片式多层陶瓷电容器mlcc(multi-layerceramiccapacitors)是采用多层堆叠工艺，在陶磁介质中嵌入金属电极，再经高温烧制形成的电子元器件，在电子元器件产业中占有重要地位。与传统电容产品相比，mlcc具有容量大、体积小、电容量范围大等特点，被广泛应用于汽车电子、航天航空、医疗设备、船舶等领域。

2、在实施本申请实施例的过程中，发明人发现：目前，在mlcc中，当电压击穿时，在内部电极端部分附近发生电场集中，并且在内部电极端部分容易发生绝缘击穿，会导致内部电极端部的电场集中和电失真应。

技术实现思路

1、本申请实施例主要解决的技术问题是提供一种制作电容器的方法，通过将所述介电陶瓷体的端部进行蚀刻处理，得到凹陷，并且在所述介电陶瓷体的端部涂覆介电常数比介电陶瓷体的介电常数低的介电材料，从而使电力线扩散，从而实现电场集中和电失真应力集中能够。

2、为解决上述技术问题，本申请实施例采用的一个技术方案是：提供一种制作电容器的方法，包括提供多个介电陶瓷层，将所述多个介电陶瓷层交替层叠设置，得到介电陶瓷体；将所述介电陶瓷体的端部进行蚀刻处理，得到凹陷；提供介电材料，将所述介电材料涂覆于蚀刻处理后得到凹陷的介电陶瓷体的两端，得到电容器，其中，所述介电材料的介电常数比所述介电陶瓷层的介电常数低。

3、可选地，所述凹陷包括第一凹陷和第二凹陷，所述将所述介电陶瓷体的端部进行蚀刻处理，得到凹陷的步骤进一步包括；所述介电陶瓷体包括陶瓷件、第一内电极和第二内电极，沿第一方向，所述陶瓷件具有第一端部和第二端部，所述第一内电极和第二内极沿第二方向间隔设置于陶瓷件内，所述第一内电极的一端从所述第一端部伸出，所述第二内电极的一端从所述第二端部伸出；将所述第一内电极进行蚀刻处理，得到第一凹陷；将所述第二内电极进行蚀刻处理，得到第二凹陷。

4、可选地，所述将所述介电陶瓷体的端部进行蚀刻处理，得到凹陷的步骤进一步包括：提供蚀刻液，将所述介电陶瓷体置入所述蚀刻液进行蚀刻，得到所述凹陷。

5、可选地，所述提供介电材料，将所述介电材料涂覆于蚀刻处理后得到凹陷的介电陶瓷体的两端的步骤进一步包括：提供若干轻金属，将若干轻金属制作成介电材料；将部分所述介电材料涂覆于所述第一端部，得到第一端电极；将另一部分所述介电材料涂覆于所述第二端部，得到第二端电极。

6、可选地，所述第一端电极和第二端电极的厚度均大于10μm。

7、可选地，所述第一凹陷和第二凹陷的深度均小于1μm。

8、可选地，所述方法还包括：提供外电极材料，将所述外电极材料分别涂覆于所述第一端电极，和第二端电极，得到待烧端陶瓷体；提供烘烤治具，将所述待烧端陶瓷体置于所述烘烤治具进行烘烤。

9、可选地，所述介电材料的介电常数为30。

10、为解决上述技术问题，本申请实施例采用的另一个技术方案是：提供一种电容器，如上述任一项方法制备得到。

11、为解决上述技术问题，本申请实施例采用的又一个技术方案是：提供一种电子设备，包括所述的电容器。

12、本申请实施例提供了一种制作电容器的方法，包括提供多个介电陶瓷层，将所述多个介电陶瓷层交替层叠设置，得到介电陶瓷体；将所述介电陶瓷体的端部进行蚀刻处理，得到凹陷；提供介电材料，将所述介电材料涂覆于蚀刻处理后得到凹陷的介电陶瓷体的两端，得到电容器，其中，所述介电材料的介电常数比所述介电陶瓷层的介电常数低，通过将所述介电陶瓷体的端部进行蚀刻处理，得到凹陷，并且在所述介电陶瓷体的端部涂覆介电常数比介电陶瓷体的介电常数低的介电材料，从而使电力线扩散，从而实现电场集中和电失真应力集中能够。

技术特征：

1.一种制作电容器的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹陷包括第一凹陷和第二凹陷，所述将所述介电陶瓷体的端部进行蚀刻处理，得到凹陷的步骤进一步包括；

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将所述介电陶瓷体的端部进行蚀刻处理，得到凹陷的步骤还包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述提供介电材料，将所述介电材料涂覆于蚀刻处理后得到凹陷的介电陶瓷体的两端的步骤进一步包括：

5.根据权利要求4所述的电容器，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述第一凹陷和第二凹陷的深度均小于1μm。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

9.一种电容器，其特征在于，如权利要求1-8任意一项所述的方法制备得到。

10.一种电子设备，包括如权利要求9所述的电容器。

技术总结
本申请实施例涉及电容器技术领域，公开了一种制作电容器的方法、电容器以及电子设备,所述方法包括提供多个介电陶瓷层，将所述多个介电陶瓷层交替层叠设置，得到介电陶瓷体；将所述介电陶瓷体的端部进行蚀刻处理，得到凹陷；提供介电材料，将所述介电材料涂覆于蚀刻处理后得到凹陷的介电陶瓷体的两端，得到电容器，其中，所述介电材料的介电常数比所述介电陶瓷层的介电常数低。通过上述方式，本申请实施例能够使电力线扩散，从而实现电场集中和电失真应力集中。

技术研发人员：浅田贤治,宋喆,虞成城
受保护的技术使用者：信维电子科技（益阳）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/5