封装结构的制作方法

本发明涉及一种结构，且特别涉及一种封装结构。

背景技术：

1、随着现今电子产品的功率输出不断提高，电子组件于封装结构中所发出的热也随之增加，导致电子组件及电路基板可能因温度过高而使产品的效能下降，因此如何有效提升封装结构的散热效能是目前需解决的问题。

技术实现思路

1、本发明提供一种封装结构，具有优异的散热效能。

2、根据本发明的实施例，封装结构包括基板、电子组件、至少一热导体、模封体以及散热结构。基板具有承载面。电子组件设置于承载面上。电子组件具有第一高度。至少一热导体设置于承载面上。至少一热导体具有第二高度。模封体设置于承载面上且侧面包覆电子组件及至少一热导体。模封体具有第三高度，第三高度大于或等于第一高度及第二高度。散热结构设置于模封体上。基板与电子组件接触的周围区域为发热区域，至少一热导体设置于发热区域内。

3、在根据本发明的实施例的封装结构中，上述第二高度与第三高度的比值不小于0.6且不大于1。

4、在根据本发明的实施例的封装结构中，上述第三高度与第一高度的差值小于0.3毫米。

5、在根据本发明的实施例的封装结构中，上述模封体的顶面与至少一热导体的顶面基本上切齐。

6、在根据本发明的实施例的封装结构中，上述封装结构还包括热界面材料，设置于散热结构与模封体之间。

7、在根据本发明的实施例的封装结构中，上述基板包括印刷电路板或低温共烧陶瓷电路板。

8、在根据本发明的实施例的封装结构中，上述基板包括空腔，空腔于基板的正投影与电子组件于基板的正投影重叠。

9、在根据本发明的实施例的封装结构中，上述至少一热导体的材质包括金属材料或陶瓷材料。

10、在根据本发明的实施例的封装结构中，上述金属材料包括铜或铝，陶瓷材料包括氮化铝、氮化硼、氮化铟或砷化硼。

11、在根据本发明的实施例的封装结构中，在发热区域中，上述至少一热导体于基板的正投影面积的总和与电子组件于基板的正投影面积的总和的比值在0.4以上。

12、在根据本发明的实施例的封装结构中，上述电子组件为多个，至少一热导体设置于相邻的电子组件之间。

13、在根据本发明的实施例的封装结构中，上述至少一热导体为多个，多个热导体环绕电子组件设置。

14、在根据本发明的实施例的封装结构中，上述至少一热导体与散热结构为一体成形。

15、基于上述，本发明的封装结构包括热导体及电子组件设置于基板上，且热导体位于发热区域内，可有效传导电子组件所发出的热，使电子组件的温度下降，进而减少蓄积于基板承载面的温度，使得封装结构的整体散热效果提升，进而提升其可靠度。

技术特征：

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二高度与所述三高度的比值不小于0.6且不大于1。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第三高度与所述第一高度的差值小于0.3毫米。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述模封体的顶面与所述至少一热导体的顶面基本上切齐。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基板包括印刷电路板或低温共烧陶瓷电路板。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基板包括空腔，所述空腔于所述基板的正投影与所述电子组件于所述基板的正投影重叠。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述至少一热导体包括金属材料或陶瓷材料。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述金属材料包括铜或铝，所述陶瓷材料包括氮化铝、氮化硼、氮化铟或砷化硼。

10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，在所述发热区域中，所述至少一热导体于所述基板的正投影面积的总和与所述电子组件于所述基板的正投影面积的总和的比值在0.4以上。

11.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述电子组件为多个，所述至少一热导体设置于相邻的所述电子组件之间。

12.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述至少一热导体为多个，所述多个热导体环绕所述电子组件设置。

13.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述至少一热导体与所述散热结构为一体成形。

技术总结
本发明提供一种封装结构，其包括基板、电子组件、至少一热导体、模封体以及散热结构。基板具有承载面。电子组件设置于承载面上。电子组件具有第一高度。至少一热导体设置于承载面上。至少一热导体具有第二高度。模封体设置于承载面上且侧面包覆电子组件及至少一热导体。模封体具有第三高度，第三高度大于或等于第一高度及第二高度。散热结构设置于模封体上。基板与电子组件接触的周围区域为发热区域，至少一热导体设置于发热区域内。

技术研发人员：郭倍宏
受保护的技术使用者：稜研科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/6/26