一种沟槽型半导体功率器件及版图的制作方法

本申请涉及半导体，特别涉及一种沟槽型半导体功率器件及版图。

背景技术：

1、屏蔽栅沟槽功率器件(sgt mosfet)是一种新型的功率半导体器件，具有传统深沟槽mosfet的低导通损耗的优点，同时具有更加低的开关损耗。屏蔽栅沟槽功率器件(sgtmosfet)作为开关器件应用于新能源电动车、新型光伏发电、节能家电等领域的电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统，是核心功率控制部件。

2、屏蔽栅沟槽功率器件(sgt mosfet)和传统功率器件的主要区别是漂移区引入深沟槽结构，这种深沟槽结构通过横向电场来耗尽沟槽之间的漂移区，从而使得漂移区(深沟槽之间的区域)可以采用更高的掺杂浓度，进一步降低导通电阻，突破传统功率器件硅极限性能。

3、随着屏蔽栅沟槽功率器件(sgt mosfet)技术的发展，分离的屏蔽栅沟槽给设计提供了更大的灵活性。由于分离的屏蔽栅结构相对来讲尺寸比较大，如何通过布局(layout)来提高器件元胞密度(cell density)成为了一个首要解决的技术问题。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本申请的目的在于提供一种沟槽型半导体功率器件及版图，来提高器件元胞密度。

2、根据本发明的一方面，提供一种沟槽型半导体功率器件，包括：圆环形的元胞区；第一终端区，位于所述元胞区内部，所述第一终端区为圆形，所述元胞区围绕所述第一终端区；第二终端区，位于所述元胞区外侧，所述第二终端区为圆环形，围绕所述元胞区；栅接触区，至少将所述元胞区隔断；屏蔽栅接触区，至少将所述元胞区隔断；所述栅接触区和所述屏蔽栅接触区将所述元胞区分隔形成圆弧段。

3、根据本发明的另一方面，提供一种沟槽型半导体功率器件版图，包括：圆环形的元胞区；第一终端区，位于所述元胞区内部，所述第一终端区为圆形，所述元胞区围绕所述第一终端区；第二终端区，位于所述元胞区外侧，所述第二终端区为圆环形，围绕所述元胞区；栅接触区，至少将所述元胞区隔断；屏蔽栅接触区，至少将所述元胞区隔断；所述栅接触区和所述屏蔽栅接触区将所述元胞区分隔形成圆弧段。

技术特征：

1.一种沟槽型半导体功率器件，包括：

2.根据权利要求1所述的沟槽型半导体功率器件，其中，所述栅接触区为直线形，所述栅接触区的一端设置于所述第一终端区内，另一端穿过所述元胞区以及第二终端区，延伸至所述第二终端区远离所述元胞区的边缘；

3.根据权利要求1所述的沟槽型半导体功率器件，其中，包括：

4.根据权利要求3所述的沟槽型半导体功率器件，其中，所述栅沟槽结构包括：

5.根据权利要求4所述的沟槽型半导体功率器件，其中，包括：

6.根据权利要求5所述的沟槽型半导体功率器件，其中，所述元胞区中设置多圈所述栅沟槽结构时，每一圈所述栅沟槽结构内设置一个控制栅导电结构，形成多个并联的栅沟槽结构。

7.一种沟槽型半导体功率器件版图，包括：

8.根据权利要求7所述的沟槽型半导体功率器件版图，其中，所述栅接触区为直线形，所述栅接触区的一端设置于所述第一终端区内，另一端穿过所述元胞区以及第二终端区，延伸至所述第二终端区远离所述元胞区的边缘；

9.根据权利要求7所述的沟槽型半导体功率器件版图，其中，包括：

10.根据权利要求9所述的沟槽型半导体功率器件版图，其中，包括：

技术总结
本申请公开了一种沟槽型半导体功率器件及版图，沟槽型半导体功率器件包括：圆环形的元胞区；第一终端区，位于所述元胞区内部，所述第一终端区为圆形，所述元胞区围绕所述第一终端区；第二终端区，位于所述元胞区外侧，所述第二终端区为圆环形，围绕所述元胞区；栅接触区，至少将所述元胞区隔断；屏蔽栅接触区，至少将所述元胞区隔断；所述栅接触区和所述屏蔽栅接触区将所述元胞区分隔形成圆弧段。

技术研发人员：陈雷雷,刘坚
受保护的技术使用者：杭州芯迈半导体技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/19