一种基于陶瓷基板的超宽带小型化薄膜带通滤波器的制作方法

本发明涉及滤波器，尤其涉及一种基于陶瓷基板超宽带小型化薄膜带通滤波器。

背景技术：

1、薄膜滤波器由于具有使用频率高、易集成，结构紧凑，重量轻，加工成本低廉等优点，被广泛用于通信系统中。薄膜带通滤波器通常采用高介电常数的介质基板，使用高精度的薄膜加工工艺制备。

2、其中具有小体积、高相对带宽的薄膜带通滤波器在频带选择中具有较大优势。常用的基于0.254mm厚度的氧化铝陶瓷基板，采用传统二分之一波长梳状结构的薄膜带通滤波器的相对带宽可达到20%，传统四分之一波长谐振器交指结构的薄膜带通滤波器的相对带宽通常可达到40%。

3、目前，传统四分之一波长谐振器交指结构的薄膜带通滤波器若想满足相对带宽高达60%的薄膜带通滤波器的需求，如图6所示，第一阶和第二阶间耦合间距设计只有20um，但是，通常薄膜加工线间距设计要求需要大于35um，同时，间距的尺寸精度要求很高，因此在传统四分之一波长谐振器交指结构上在继续加工，其，加工难度，且合格率不能保证。

4、因此，在传统四分之一波长谐振器交指结构基础上，研究一种小体积、高相对带宽的薄膜带通滤波器有非常重要的意义。

技术实现思路

1、 本发明的目的在于提供一种超宽带的小型化薄膜带通滤波器，在实现在不改变基板材料，不提高工艺难度的基础上提高相对带宽，设计了一种体积小、高相对带宽的薄膜带通滤波器结构。

2、为实现上述目的，本发明采用一种基于陶瓷基板的超宽带小型化薄膜带通滤波器，包括

3、氧化铝陶瓷基板；

4、金属化平面，所述金属化平面设置于所述氧化铝陶瓷基板的一面；

5、若干四分之一波长振荡器，所述四分之一波长振荡器设置于所述氧化铝陶瓷基板的另一面；

6、所述四分之一波长振荡器的开路端设有金属化孔，所述金属化孔与所述金属化平面连通；

7、最外侧的相邻两个所述四分之一波长谐振器之间加载电感。

8、进一步的，所述四分之一波长振荡器最外侧的相邻两个所述四分之一波长谐振器的开路端金属化孔承相同方向分布，且，其余所述四分之一波长振荡器金属化孔呈相反方向交替分布。

9、进一步的，每个所述四分之一波长振荡器金属化孔承相同方向分布，且，其余每个相邻所述四分之一波长振荡器之间加载电感。

10、进一步的，所述若干四分之一波长振荡器数量为13。

11、进一步的，最外侧的两个所述四分之一波长谐振器，其中一个所述四分之一波长谐振器的开路端连接第一金属信号激励端口，另一个所述四分之一波长谐振器的开路端连接第二金属信号激励端口。

12、本发明的有益效果：为了解决工艺极限还无法达到相对带宽要求，在最外面两个谐振子间加入并联电感，与传统带通滤波器相比，相同谐振器间距，耦合系数更大，相对带宽更宽，实现了传统的交指结构无法达到的相对带宽极限，最宽相对带宽从40%提高到60%。

技术特征：

1.一种基于陶瓷基板的超宽带小型化薄膜带通滤波器，其特征在于，包括

2.如权利要求1所述的基于陶瓷基板的超宽带小型化薄膜带通滤波器，其特征在于，

3.如权利要求1所述的基于陶瓷基板的超宽带小型化薄膜带通滤波器，其特征在于，

4.如权利要求2或3任一所述的基于陶瓷基板的超宽带小型化薄膜带通滤波器，其特征在于，

5.如权利要求2或3任一所述的基于陶瓷基板的超宽带小型化薄膜带通滤波器，其特征在于，

技术总结
发明涉及滤波器技术领域，具体涉及一种基于陶瓷基板的超宽带小型化薄膜带通滤波器；氧化铝陶瓷基板；金属化平面，所述金属化平面设置于所述氧化铝陶瓷基板的一面；若干四分之一波长振荡器，所述四分之一波长振荡器设置于所述氧化铝陶瓷基板的另一面；所述四分之一波长振荡器的开路端设有金属化孔，所述金属化孔与所述金属化平面连通；最外侧的相邻两个所述四分之一波长谐振器之间加载电感。本发明的有益效果：为了解决工艺极限还无法达到相对带宽要求，在最外面两个谐振子间加入并联电感，与传统带通滤波器相比，相同谐振器间距，耦合系数更大，相对带宽更宽，实现了传统的交指结构无法达到的相对带宽极限，最宽相对带宽从40%提高到60%。

技术研发人员：王艳艳,谭志伟,毛崇霞,高国平
受保护的技术使用者：成都宏科电子科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15