一种晶圆后处理装置的制作方法

本发明属于晶圆后处理，具体而言，涉及一种晶圆后处理装置。

背景技术：

1、集成电路产业是信息技术产业的核心，在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体，芯片制造涉及集成电路设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。其中，化学机械抛光(chemicalmechanical polishing,cmp)属于晶圆制造工序中的五大核心制程之一。

2、完成化学机械抛光的晶圆需要进行清洗、干燥等后处理，以避免微量离子和金属颗粒对半导体器件的污染，保障半导体器件的性能和合格率。常见的清洗方式有：双流体喷射清洗、滚刷清洗和兆声波清洗等；常见的干燥方式有：旋转干燥或马兰戈尼干燥等。

3、图1是现有技术中晶圆后处理装置的示意图，为了控制离心飞散液滴的流向，旋转晶圆的外侧设置有内挡圈10’和外挡圈20’。内挡圈10’与转盘之间配置有内挡圈排液口11’，固定于箱体背板的外挡圈20’的下方设置有外挡圈排液口21’，离心飞散的液滴能够依次经过内挡圈排液口11’和外挡圈排液口21’，并在箱体的底部积聚，进而通过腔体排液口31’排放至箱体的外部。

4、但在晶圆后处理过程中，自内挡圈10’甩出的液滴会以较大的相对速度撞击外挡圈20’内壁，进而产生溅射雾滴，使得雾滴充斥内挡圈10’与外挡圈20’之间。飞散的雾滴存在从外挡圈排液口21’逸出的可能，如图2所示，逸出的雾滴可能随着气流飘散至晶圆正面，致使晶圆二次污染而影响晶圆清洗效果。

技术实现思路

1、本发明实施例提供了一种晶圆后处理装置，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

2、本发明实施例的第一方面提供了一种晶圆后处理装置，其包括：

3、箱体；

4、夹持组件，设置于箱体中，其包括夹持盘，用于夹持并带动晶圆旋转；

5、防护组件，设置于夹持组件的外周侧，其包括旋转罩和固定罩；所述旋转罩连接于夹持盘的外沿，两者的连接处配置有旋转罩排液口；所述固定罩连接于箱体并同心设置于旋转罩的外侧，其下方设置有固定罩排液口；后处理形成的流体经由旋转罩排液口和固定罩排液口朝向箱体底部排放；

6、还包括阻挡组件，其设置于固定罩与箱体的底板之间，以抑制飞散的雾滴经由所述固定罩排液口回沾于晶圆表面。

7、在一些实施例中，所述阻挡组件包括第一挡板，其竖向设置于固定罩与底板之间；所述第一挡板配置有出液口，所述出液口与箱体排液口相对设置。

8、在一些实施例中，所述阻挡组件还包括侧板，其设置于第一挡板的两侧并固定于箱体的背板，以形成抑制雾滴外逸的阻隔腔室。

9、在一些实施例中，所述第一挡板位于固定罩排液口与箱体排液口之间，以将所述固定罩排液口限定于阻隔腔室的内部。

10、在一些实施例中，所述阻挡组件还包括第二挡板，其设置于阻隔腔室的内部并连接于所述侧板之间，所述第二挡板的下端与所述底板之间形成有间隙。

11、在一些实施例中，所述第二挡板是截面为l形的构件，其自所述出液口的上沿向阻隔腔室的内部延伸，再朝向所述底板延伸。

12、在一些实施例中，所述第二挡板的下端面不高于所述出液口的下沿所在平面，使得阻隔腔室下部的液体能够浸没第二挡板的下端。

13、在一些实施例中，所述第二挡板自所述出液口的上沿朝向所述底板倾斜延伸设置，其下端面不高于出液口下沿的所在平面。

14、在一些实施例中，所述阻隔腔室的长度小于所述固定罩的外径。

15、在一些实施例中，所述出液口下沿的内侧和/或外侧配置有倾斜面。

16、本发明的有益效果包括：

17、a.晶圆后处理装置的底部配置有阻挡组件，以将晶圆后处理产出的雾滴浸没于阻隔腔室底部的液体中，防止雾滴与颗粒物等污染物混合而通过固定罩与箱体的底板之间的间隙附着于晶圆表面，以获取表面洁净度符合要求的晶圆；

18、b.第二挡板的下端面不高于出液口的下沿所在平面，使得阻隔腔室下部的液体能够浸没第二挡板的下端，以防止进入阻隔腔室的雾滴经由第二挡板的下端面与液面之间的间隙朝向出液口流动，防止夹杂污染物的雾滴再次附着于晶圆表面；

19、c.出液口下沿的内侧和/或外侧为倾斜面，以便加快溢流效率，提高排液时的液面稳定性。

技术特征：

1.一种晶圆后处理装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的晶圆后处理装置，其特征在于，所述阻挡组件包括第一挡板，其竖向设置于固定罩与底板之间；所述第一挡板配置有出液口，所述出液口与箱体排液口相对设置。

3.如权利要求2所述的晶圆后处理装置，其特征在于，所述阻挡组件还包括侧板，其设置于第一挡板的两侧并固定于箱体的背板，以形成抑制雾滴外逸的阻隔腔室。

4.如权利要求3所述的晶圆后处理装置，其特征在于，所述第一挡板位于固定罩排液口与箱体排液口之间，以将所述固定罩排液口限定于阻隔腔室的内部。

5.如权利要求3所述的晶圆后处理装置，其特征在于，所述阻挡组件还包括第二挡板，其设置于阻隔腔室的内部并连接于所述侧板之间，所述第二挡板的下端与所述底板之间形成有间隙。

6.如权利要求5所述的晶圆后处理装置，其特征在于，所述第二挡板是截面为l形的构件，其自所述出液口的上沿向阻隔腔室的内部延伸，再朝向所述底板延伸。

7.如权利要求6所述的晶圆后处理装置，其特征在于，所述第二挡板的下端面不高于所述出液口的下沿所在平面，使得阻隔腔室下部的液体能够浸没第二挡板的下端。

8.如权利要求5所述的晶圆后处理装置，其特征在于，所述第二挡板自所述出液口的上沿朝向所述底板倾斜延伸设置，其下端面不高于出液口下沿的所在平面。

9.如权利要求4所述的晶圆后处理装置，其特征在于，所述阻隔腔室的长度小于所述固定罩的外径。

10.如权利要求2所述的晶圆后处理装置，其特征在于，所述出液口下沿的内侧和/或外侧配置有倾斜面。

技术总结
本发明公开了一种晶圆后处理，其包括：箱体；夹持组件，设置于箱体中，其包括夹持盘，用于夹持并带动晶圆旋转；防护组件，设置于夹持组件的外周侧，其包括旋转罩和固定罩；所述旋转罩连接于夹持盘的外沿，两者的连接处配置有旋转罩排液口；所述固定罩连接于箱体并同心设置于旋转罩的外侧，其下方设置有固定罩排液口；后处理形成的流体经由旋转罩排液口和固定罩排液口朝向箱体底部排放；还包括阻挡组件，其设置于固定罩与箱体的底板之间，以抑制飞散的雾滴经由所述固定罩排液口回沾于晶圆表面。

技术研发人员：曹自立,李灯,李长坤
受保护的技术使用者：华海清科股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/25