驱动基板及显示面板的制作方法

本申请涉及显示，具体涉及一种驱动基板及显示面板。

背景技术：

1、随着显示面板分辨率的提高，单位面积内所需薄膜晶体管的数目越多，需求对晶体管的尺寸进行缩小，进一步减小薄膜晶体管的面积，但是晶体管面积的较小会影响其迁移率。

2、而现有的方法是采用igto、igzto等高迁移率的材料制作双栅控制的薄膜晶体管，但双栅控制对迁移率的提升为单栅的1.4倍，迁移率的提升有限。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种驱动基板及显示面板，可以提高薄膜晶体管的迁移率以及缩小晶体管的尺寸。

2、本申请实施例提供一种驱动基板，包括：

3、基板；

4、第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述基板上，所述第一薄膜晶体管包括：

5、第一电极，所述第一电极设置在所述基板上；

6、缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第一电极和所述基板，所述缓冲层上设置有暴露所述第一电极的第一过孔；

7、凸起部，所述凸起部设置在所述缓冲层远离所述基板的一侧；

8、第二电极，所述第二电极的至少部分设置在所述凸起部远离所述基板的一侧，所述第二电极设置在所述凸起部远离所述基板一侧的部分与所述凸起部形成凸起结构；

9、第一有源层，所述第一有源层自所述凸起结构远离所述基板的一侧沿着所述凸起结构的侧壁面延伸至所述第一过孔内，所述第一有源层的一端连接于所述第一电极，所述第一有源层的另一端通过所述第一过孔连接于所述第二电极；

10、第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一有源层、所述第二电极和所述缓冲层；

11、第一栅极，所述第一栅极设置在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧，在垂直于所述驱动基板的板面的方向上，所述第一栅极与所述第一有源层重叠设置；

12、第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一栅极和所述第一绝缘层；

13、第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管并联设置，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层设置在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧，在垂直于所述驱动基板的板面的方向上，所述第二有源层分别与所述第一栅极和所述第一有源层重叠设置。

14、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管共用所述第一电极和所述第二电极，所述第二有源层的一端电连接于所述第一电极，所述第二有源层的另一端电连接于所述第二电极。

15、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二薄膜晶体管还包括第三绝缘层和第二栅极，所述第三绝缘层覆盖所述第二有源层和所述第二绝缘层，所述第二栅极设置在所述第三绝缘层远离所述基板的一侧；

16、在垂直于所述驱动基板的板面的方向上，所述第二栅极分别与所述第一栅极和所述第二有源层重叠设置。

17、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二有源层包括半导体部、第一导体部和第二导体部，所述第一导体部连接于所述半导体部的一侧，所述第二导体部连接于所述半导体部的另一侧；在垂直于所述驱动基板的板面的方向上，所述半导体部与所述第二栅极重叠设置；

18、所述驱动基板上设置有第二过孔和第三过孔，所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层并暴露所述第二电极，所述第三过孔贯穿所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述缓冲层并暴露所述第一电极；

19、所述第一导体部通过所述第三过孔连接于所述第一电极，所述第二导体部通过所述第二过孔连接于所述第二电极。

20、可选的，在本申请的一些实施例中，所述半导体部的长度等于所述第二栅极的长度。

21、可选的，在本申请的一些实施例中，整个所述第二电极设置在所述凸起部远离所述基板的一侧。

22、可选的，在本申请的一些实施例中，所述驱动基板还包括第四绝缘层和像素电极，所述第四绝缘层覆盖所述第二栅极和所述第三绝缘层，所述像素电极设置在所述第四绝缘层远离所述基板的一侧，所述像素电极连接于所述第二导体部。

23、可选的，在本申请的一些实施例中，所述驱动基板还包括像素电极，所述驱动基板上设置有第二过孔和第三过孔，所述第二过孔贯穿所述第二有源层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层并暴露所述第二电极，所述第三过孔贯穿所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述缓冲层并暴露所述第一电极；

24、所述像素电极通过所述第二过孔连接于所述第二有源层和所述第二电极，所述第二有源层通过所述第三过孔连接于所述第一电极。

25、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二有源层包括半导体部、第一导体部和第二导体部，所述第一导体部连接于所述半导体部的一侧，所述第二导体部连接于所述半导体部的另一侧；

26、所述第一导体部通过所述第三过孔连接于所述第一电极，所述像素电极延伸入所述第二过孔与所述第二导体部的侧壁连接，所述像素电极延伸至所述第二过孔的底部连接于所述第二电极；

27、在垂直于所述驱动基板的板面的方向上，所述像素电极与所述半导体部重叠设置。

28、可选的，在本申请的一些实施例中，所述像素电极的长度等于所述半导体部的长度。

29、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二电极包括依次相连的第一部、第二部和第三部，所述第一部设置在所述凸起部远离基板的一面，所述第二部覆盖所述凸起部远离所述第一有源层的侧面，所述第三部设置在所述缓冲层上，所述像素电极连接于所述第三部。

30、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一有源层为半导体层，所述第二有源层的所述半导体部的长度大于所述第一有源层的长度。

31、本申请实施例还涉及一种显示面板，其包括如上述任意一项实施例所述的驱动基板。

32、本申请实施例的驱动基板及显示面板，采用第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管并联设置，且第一薄膜晶体管中具有垂直沟道的第一有源层和第二薄膜晶体管中具有垂直沟道的第二有源层相互重叠设置，达到缩小薄膜晶体管尺寸的同时，提高场效应迁移率。

技术特征：

1.一种驱动基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管共用所述第一电极和所述第二电极，所述第二有源层的一端电连接于所述第一电极，所述第二有源层的另一端电连接于所述第二电极。

3.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括第三绝缘层和第二栅极，所述第三绝缘层覆盖所述第二有源层和所述第二绝缘层，所述第二栅极设置在所述第三绝缘层远离所述基板的一侧；

4.根据权利要求3所述的驱动基板，其特征在于，所述第二有源层包括半导体部、第一导体部和第二导体部，所述第一导体部连接于所述半导体部的一侧，所述第二导体部连接于所述半导体部的另一侧；在垂直于所述驱动基板的板面的方向上，所述半导体部与所述第二栅极重叠设置；

5.根据权利要求4所述的驱动基板，其特征在于，所述半导体部的长度等于所述第二栅极的长度。

6.根据权利要求4所述的驱动基板，其特征在于，整个所述第二电极设置在所述凸起部远离所述基板的一侧。

7.根据权利要求6所述的驱动基板，其特征在于，所述驱动基板还包括第四绝缘层和像素电极，所述第四绝缘层覆盖所述第二栅极和所述第三绝缘层，所述像素电极设置在所述第四绝缘层远离所述基板的一侧，所述像素电极连接于所述第二导体部。

8.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管和所述第一薄膜晶体管还共用所述第一栅极，所述驱动基板还包括像素电极，所述驱动基板上设置有第二过孔和第三过孔，所述第二过孔贯穿所述第二有源层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层并暴露所述第二电极，所述第三过孔贯穿所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述缓冲层并暴露所述第一电极；

9.根据权利要求8所述的驱动基板，其特征在于，所述第二有源层包括半导体部、第一导体部和第二导体部，所述第一导体部连接于所述半导体部的一侧，所述第二导体部连接于所述半导体部的另一侧；

10.根据权利要求9所述的驱动基板，其特征在于，所述像素电极的长度等于所述半导体部的长度。

11.根据权利要求9所述的驱动基板，其特征在于，所述第二电极包括依次相连的第一部、第二部和第三部，所述第一部设置在所述凸起部远离所述基板的一面，所述第二部覆盖所述凸起部远离所述第一有源层的侧面，所述第三部直接设置在所述缓冲层上，所述像素电极连接于所述第三部。

12.根据权利要求1-11任意一项所述的驱动基板，其特征在于，所述第一有源层为半导体层，所述第二有源层的所述半导体部的长度大于所述第一有源层的沟道长度。

13.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-12任意一项所述的驱动基板。

技术总结
本申请实施例公开了一种驱动基板及显示面板，本申请实施例的驱动基板及显示面板，采用第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管并联设置，且第一薄膜晶体管中具有垂直沟道的第一有源层和第二薄膜晶体管中具有垂直沟道的第二有源层相互重叠设置，达到缩小薄膜晶体管尺寸的同时，提高场效应迁移率。

技术研发人员：罗传宝
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/19