一种微发光组件的制作方法

本申请涉及发光半导体，具体地，涉及一种微发光组件。

背景技术：

1、微发光二极管显示技术是指自发光的微米量级的发光二极管为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度发光二极管阵列的显示技术。由于微发光二极管尺寸小、集成度高和自发光等特点，在显示方面与lcd、oled相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。

2、现有技术中，微发光二极管芯片会通过支撑结构来固定，使微发光二极管芯片较易自载体基板上拾取并运输与转移至接收基板上，支撑结构还可以巩固微发光二极管芯片在转移过程中不受其他内因或外因影响品质。目前通常采用整面膜层来固定微发光二极管芯片阵列，例如若干芯片可以呈矩阵排布在基板上，基板表面平行间隔设置有若干锚，芯片设置在间隔的锚之间，并通过设置在芯片两侧的连接桥与锚连接。但是，在实际生产过程中，发明人发现现有技术存在如下问题：去除填充于芯片与锚之间的牺牲层以形成空腔的过程中，牺牲层的材料并不能随着去除牺牲层药水的流动顺利流出，导致形成的空腔中仍会残留部分牺牲层的材料。此外，现有技术的设计容易发生芯片自连接桥上掉落的现象，影响芯片的品质。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种微发光组件，其可以解决牺牲层残留的问题，使支撑结构可以暂时地固持微发光二极管芯片，且不增加后续转板时的转移难度，减少芯片脱落的几率。

2、为了实现上述目的，本申请采用以下技术方案：

3、本申请提供了一种微发光组件，包括基板，其表面平行间隔设置有若干锚；

4、芯片，设置在间隔的所述锚之间形成的空腔内，并通过设置在所述芯片侧边的连接桥与所述锚连接；沿两相邻所述锚的平行延伸方向，所述连接桥在非对称位置与所述芯片连接。

5、与现有技术相比，本申请的有益效果：

6、本申请提供了一种一种微发光组件，包括基板，其表面平行间隔设置有若干锚；芯片，设置在间隔的锚之间形成的空腔内，并通过设置在芯片两侧的连接桥与锚连接；沿两相邻锚平行延伸方向，连接桥在非对称位置与芯片连接。本申请微发光组件中的非对称连接桥的设置使支撑结构增强了对芯片的支撑方式，在不增加转移难度的同时降低了芯片自支撑结构上脱落的几率。此外，非对称连接桥的设置使微发光组件在制备过程中，牺牲层材料可以顺利排出，缩短了制程时间，进一步降低了芯片从支撑结构上脱落的几率。

技术特征：

1.一种微发光组件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的微发光组件，其特征在于，所述连接桥至少分别在一侧支撑所述芯片的两端。

3.如权利要求1所述的微发光组件，其特征在于，所述连接桥分别在一侧支撑所述芯片的中部和所述芯片的两端。

4.如权利要求2或3所述的微发光组件，其特征在于，设置在所述锚一侧的所述连接桥为矩形或梯形。

5.如权利要求2至4任一项所述的微发光组件，其特征在于，所述锚平行延伸方向与和所述锚连接的所述连接桥的中心轴线形成一定的夹角。

6.如权利要求5所述的微发光组件，其特征在于，所述夹角为锐角。

7.如权利要求5所述的微发光组件，其特征在于，所述夹角为直角。

8.如权利要求1所述的微发光组件，其特征在于，所述芯片为一个或多个，当所述基板上设置多个所述芯片时，所述芯片呈阵列排布。

9.如权利要求1所述的微发光组件，其特征在于，所述连接桥与所述锚的材质相同或不同。

10.如权利要求9所述的微发光组件，其特征在于，所述锚与所述连接桥的材质为无机介质、有机材料、金属材料或复合材料中的一种。

11.如权利要求1所述的微发光组件，其特征在于，所述芯片包括半导体层序列。

12.如权利要求11所述的微发光组件，其特征在于，所述半导体层序列至少由第一半导体层、第二半导体层和设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源发光层组成。

13.如权利要求12所述的微发光组件，其特征在于，所述半导体层序列还包括第一台面，其由所述半导体层序列凹陷露出的所述第一半导体层构成；第二台面，其由所述第二半导体层构成。

14.如权利要求13所述的微发光组件，其特征在于，所述半导体层序列还包括第一电极，其形成于所述第一台面上，与所述第一半导体层形成电连接；

15.如权利要求14所述的微发光组件，其特征在于，所述半导体层序列还包括介质层，其位于所述半导体层序列的所述第一台面和所述第二台面上。

技术总结
本申请提供了一种微发光组件，包括基板，其表面平行间隔设置有若干锚；芯片，设置在间隔的所述锚之间形成的空腔内，并通过设置在所述芯片两侧的连接桥与所述锚连接；沿两相邻所述锚平行延伸方向，所述连接桥在非对称位置与芯片连接。本申请微发光组件中的非对称连接桥的设置使支撑结构增强了对芯片的支撑方式，在不增加转移难度的同时降低了芯片自支撑结构上脱落的几率。此外，非对称连接桥的设置使微发光组件在制备过程中，牺牲层材料可以顺利排出，缩短了制程时间，进一步降低了芯片从支撑结构上脱落的几率。

技术研发人员：邱新智,祝孔全,张永城,郭桓卲,彭钰仁
受保护的技术使用者：泉州三安半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12