本发明涉及电子元器件,尤其涉及一种柔性电子集成器件制造方法、装置、设备及存储介质。
背景技术:
1、芯粒(chiplet)集成技术是将一个功能丰富且面积较大的芯片裸片拆分成多个芯粒,并将这些具有特定功能的芯粒通过先进封装的形式组合在一起,最终形成一个系统芯片的技术。其是超越摩尔定律的一种有效方法,利用微纳加工技术,能够将多颗芯粒实现微米级互联得到高性能、低成本的集成器件。类似地,这种方式也可以应用在半导体显示领域,如制作micro led等显示屏幕时,将多颗rbg晶粒集成在一个面板上,实现显示功能。
2、在现有的技术中,不论是半导体芯粒集成器件还是显示屏幕,一般都基于硬质基板进行制造,而随着科技的发展,对柔性电子器件与柔性显示屏的需求逐渐增加。目前已经实现的柔性器件一般基于已成型的柔性载板进行制作,其工艺繁杂,制造出来的器件透明度不好,且成品的厚度存在局限,挠曲性能不足。
技术实现思路
1、本发明的主要目的在于解决现有技术中柔性电子集成器件制造方法的工艺复杂,且制造出来的柔性电子集成器件厚度较大,导致挠曲性能不足、透明度较差的技术问题。
2、本发明第一方面提供了一种柔性电子集成器件制造方法,其特征在于,包括:
3、将柔性基板的预聚物涂布在临时衬底上;
4、在柔性基板的预聚物上排布电子元件,其中,所述电子元件的第一表面与柔性基板的预聚物接触,所述电子元件的第二表面上具有电极;
5、对所述柔性基板的预聚物进行固化,得到固化后的柔性基板;
6、在所述电子元件的第二表面上制作布线层,得到柔性电子元件矩阵;
7、将所述临时衬底与柔性电子元件矩阵剥离,得到柔性电子集成器件。
8、可选地,在本发明第一方面的第一种实现方式中,所述电子元件嵌入所述柔性基板的深度小于所述电子元件的高度。
9、可选地,在本发明第一方面的第二种实现方式中,所述电子元件的边长小于或等于200μm,所述电子元件的高度小于或等于50μm
10、可选地,在本发明第一方面的第二种实现方式中,所述柔性基板和所述布线层的介电材料对可见光的透过率大于50%。
11、可选地,在本发明第一方面的第三种实现方式中,所述布线层的介电材料与所述固化后的柔性基板的材质相同。
12、柔性基板的预聚物为含酰亚胺基的预聚物或者为含苯并噁唑基的预聚物。
13、可选地,在本发明第一方面的第四种实现方式中,所述对所述柔性基板的预聚物进行固化包括:
14、通过加热或者通过光照辐射对所述柔性基板的预聚物进行固化。
15、可选地,在本发明第一方面的第六种实现方式中,所述临时衬底对可见光的透过率大于80%。
16、可选地,在本发明第一方面的第七种实现方式中,将所述临时衬底与所述柔性基板剥离包括:
17、在所述临时衬底无附着物的一侧向附着柔性基板的一侧照射激光,使所述临时衬底与所述柔性基板剥离。
18、可选地,在本发明第一方面的第八种实现方式中,所述激光的波长小于等于350nm。
19、可选地,在本发明第一方面的第十种实现方式中,在所述将所述临时衬底与所述柔性基板剥离之后,还包括:
20、根据集成度需求对所述柔性电子元件矩阵进行裁切,得到符合所述集成度需求的柔性电子集成器件。
21、本发明第二方面提供了一种柔性电子集成器件,包括:柔性基板、电子元件以及布线层;所述电子元件集成器件是通过如上述的方法的步骤制造得到的。
22、本发明第三方面提供了一种柔性电子集成器件制造装置,包括:
23、涂布模块,用于将柔性基板的预聚物涂布在临时衬底上;
24、排布模块,用于在柔性基板的预聚物上排布电子元件,其中,所述电子元件的第一表面与柔性基板的预聚物接触,所述电子元件的第二表面上具有电极;
25、固化模块,用于对所述柔性基板的预聚物进行固化,得到固化后的柔性基板;
26、布线模块,用于在所述电子元件的第二表面上制作布线层,得到柔性电子元件矩阵;
27、剥离模块,用于将所述临时衬底与柔性电子元件矩阵剥离,得到柔性电子集成器件。
28、本发明第四方面提供了一种柔性电子集成器件制造设备,包括:存储器和至少一个处理器,所述存储器中存储有指令;所述至少一个处理器调用所述存储器中的所述指令,以使得所述柔性电子集成器件制造设备执行上述的柔性电子集成器件制造方法的步骤。
29、本发明的第五方面提供了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质中存储有指令,当其在计算机上运行时,使得计算机执行上述的柔性电子集成器件制造方法的步骤。
30、本发明提供的技术方案中,将柔性基板的预聚物涂布在临时衬底上;在柔性基板的预聚物上排布电子元件,其中,电子元件的第一表面与柔性基板的预聚物接触,电子元件的第二表面上具有电极;对柔性基板的预聚物进行固化,得到固化后的柔性基板;在电子元件的第二表面上制作布线层,得到柔性电子元件矩阵;将临时衬底与柔性电子元件矩阵剥离,得到柔性电子集成器件。该制造方法步骤简便,且制造得到的柔性电子集成器件的厚度较小,可以实现更低的挠曲性能。
1.一种柔性电子集成器件制造方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的柔性电子集成器件制造方法,其特征在于,所述电子元件嵌入所述柔性基板的深度小于所述电子元件的高度。
3.根据权利要求1所述的柔性电子集成器件制造方法,其特征在于,所述柔性基板和所述布线层的介电材料对可见光的透过率大于50%。
4.根据权利要求3所述的柔性电子集成器件制造方法,其特征在于,所述布线层的介电材料与所述固化后的柔性基板的材质相同。
5.根据权利要求1所述的柔性电子集成器件制造方法,其特征在于,所述柔性基板的预聚物为含酰亚胺基的预聚物或者为含苯并噁唑基的预聚物。
6.根据权利要求1所述的柔性电子集成器件制造方法,其特征在于,所述临时衬底对可见光的透过率大于80%。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的柔性电子集成器件制造方法,其特征在于,在所述将所述临时衬底与所述柔性基板剥离之后,还包括:
8.一种柔性电子集成器件,其特征在于,所述电子元件集成器件包括:柔性基板、电子元件以及布线层;
9.一种柔性电子集成器件制造装置,其特征在于,所述柔性电子集成器件制造装置包括:
10.一种柔性电子集成器件制造设备,其特征在于,所述柔性电子集成器件制造设备包括:存储器和至少一个处理器,所述存储器中存储有指令;