显示基板及显示装置的制作方法

本公开涉及显示，尤其涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术：

1、薄膜晶体管(thin film transistor，简称tft)是液晶显示面板(liquid crystaldisplay，简称lcd)和有机发光二极管(organic light emitting diode，简称oled)显示面板中像素驱动电路的重要电子器件。

2、其中，顶栅薄膜晶体管比底栅薄膜晶体管有更优异的性能。与底栅薄膜晶体管相比，顶栅薄膜晶体管具有更小的寄生电容、更大的开态电流ion、更小的亚阀值摆幅(subthrehold swing，简称ss)及其更高的稳定性等优点，因此越来越受到人们的关注。

3、在像素驱动电路中，开关晶体管通常需要较小的ss以实现快速的充放电，提高显示基板的刷新频率；但是驱动晶体管通常需要较大的ss以方便灰阶的展开。

4、通常，通过增加驱动晶体管的沟道长度来增加ss，降低开态电流ion，实现灰阶展开；但是，具有较大沟道长度的驱动晶体管会占据大量的空间，严重降低显示基板的开口率，也难以实现高分辨率。

技术实现思路

1、本公开的实施例的目的在于提供一种显示基板及显示装置，用于在增大第一晶体管的亚阈值摆幅的同时，保证显示基板具有较高的开口率和分辨率。

2、为达到上述目的，本公开的实施例提供了如下技术方案：

3、一方面，提供一种显示基板。所述显示基板包括：衬底；设置在所述衬底上的第一晶体管和第二晶体管；其中，所述第一晶体管包括：依次设置在所述衬底上的第一有源层、第一栅极绝缘层和第一栅极；所述第二晶体管包括：依次设置在所述衬底上的第二有源层、第二栅极绝缘层和第二栅极；所述第一有源层和所述第一栅极绝缘层的厚度之和的最大值，大于所述第二有源层和所述第二栅极绝缘层的厚度之和。

4、上述显示基板中，通过第一驱动晶体管的第一有源层和第一栅极绝缘层的整体厚度，增大了第一晶体管的亚阈值摆幅，从而使得第一晶体管能够有效调节发光器件所显示的灰阶，从而便于发光器件所显示灰阶的展开；此外，通过改变第一晶体管的第一有源层和第一栅极绝缘层的整体厚度，来增大第一晶体管的亚阈值摆幅，能够避免通过增加第一晶体管的沟道长度，来增加第一晶体管的亚阈值摆幅，导致第一晶体管的面积增大，导致显示基板的开口率和分辨率下降的问题，从而保证了显示基板的显示品质，提高了用户的视觉享受品质。

5、在一些实施例中，所述第一有源层的厚度大于所述第二有源层的厚度。

6、在一些实施例中，所述第一有源层的厚度与所述第二有源层的厚度的比值大于或等于3.33。

7、在一些实施例中，所述第一栅极绝缘层的厚度和所述第二栅极绝缘层的厚度相等。

8、在一些实施例中，所述第一栅极绝缘层的最大厚度大于所述第二栅极绝缘层的厚度。

9、在一些实施例中，所述第一栅极绝缘层的最大厚度与所述第二栅极绝缘层的最大厚度的比值大于或等于1.5。

10、在一些实施例中，所述第一有源层的厚度和所述第二有源层的厚度相等。

11、在一些实施例中，所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层同层设置；和/或，所述第一有源层和所述第二有源层同层设置。

12、在一些实施例中，所述第一有源层包括第一极区、沟道区和第二极区，所述第一极区的至少部分平行于所述衬底，所述第二极区的至少部分平行于所述衬底，所述沟道区的至少部分向背离所述第一栅极的方向凸起。

13、在一些实施例中，所述沟道区包括：依次相连的第一沟道子区、第二沟道子区和第三沟道子区；所述第一沟道子区位于所述第一极区和所述第二沟道子区之间，所述第三沟道子区位于所述第二极区和所述第二沟道子区之间；所述第一沟道子区和所述第二沟道子区之间的夹角为钝角；所述第二沟道子区和所述第三沟道子区之间的夹角为钝角。

14、在一些实施例中，所述第一栅极绝缘层包括第一子部，及环绕所述第一子部、且与所述第一子部相连接的第二子部；所述第一子部与所述沟道区中向背离所述第一栅极的方向凸起的部分相对应；其中，所述第二子部的厚度大于或等于第二栅极绝缘层的厚度；所述第一子部的厚度从边缘到中心逐渐增大。

15、在一些实施例中，所述显示基板还包括位于所述衬底和所述第一有源层之间的缓冲层；所述缓冲层靠近所述第一有源层的一侧具有凹槽；

16、至少部分所述沟道区位于所述凹槽内，且沿所述凹槽的侧壁延伸。

17、在一些实施例中，所述显示基板还包括位于所述衬底和所述第一有源层之间的遮光层，所述第一有源层在所述衬底上的正投影，位于所述遮光层在所述衬底上的正投影范围内；所述遮光层的材料为导电材料；所述第一晶体管还包括位于所述第一有源层远离所述遮光层一侧的第一极和第二极，所述第一极连接所述第一有源层，所述第二极连接所述第一有源层和所述遮光层。

18、另一方面，提供一种显示装置。所述显示装置包括：如上述任一实施例所述的显示基板。

19、上述显示装置具有与上述一些实施例中提供的显示基板相同的结构和有益技术效果，在此不再赘述。

技术特征：

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一有源层的厚度大于所述第二有源层的厚度。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一有源层的厚度与所述第二有源层的厚度的比值，大于或等于3.33，且小于或等于4.8。

4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度和所述第二栅极绝缘层的厚度相等。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的最大厚度大于所述第二栅极绝缘层的厚度。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的最大厚度为与所述第二栅极绝缘层的最大厚度的比值，大于或等于1.5，且小于或等于2。

7.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一有源层的厚度和所述第二有源层的厚度相等。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层同层设置；和/或，

9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一有源层包括第一极区、沟道区和第二极区，所述第一极区的至少部分平行于所述衬底，所述第二极区的至少部分平行于所述衬底，所述沟道区的至少部分向背离所述第一栅极的方向凸起。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述沟道区包括：依次相连的第一沟道子区、第二沟道子区和第三沟道子区；所述第一沟道子区位于所述第一极区和所述第二沟道子区之间，所述第三沟道子区位于所述第二极区和所述第二沟道子区之间；

11.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述第一极区的厚度小于所述沟道区的厚度；和/或，

12.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述第一栅极绝缘层包括第一子部，及环绕所述第一子部、且与所述第一子部相连接的第二子部；所述第一子部与所述沟道区中向背离所述第一栅极的方向凸起的部分相对应；

13.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述衬底和所述第一有源层之间的缓冲层；所述缓冲层靠近所述第一有源层的一侧具有凹槽；

14.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述衬底和所述第一有源层之间的遮光层，所述第一有源层在所述衬底上的正投影，位于所述遮光层在所述衬底上的正投影范围内；所述遮光层的材料为导电材料；

15.一种显示装置，包括如权利要求1～14中任一项所述的显示基板。

技术总结
本公开的实施例提供了一种显示基板及显示装置，涉及显示技术领域，用于在增大第一晶体管的亚阈值摆幅的同时，保证显示基板具有较高的开口率和分辨率。该显示基板包括：衬底；设置在所述衬底上的第一晶体管和第二晶体管；其中，所述第一晶体管包括：依次设置在所述衬底上的第一有源层、第一栅极绝缘层和第一栅极；所述第二晶体管包括：依次设置在所述衬底上的第二有源层、第二栅极绝缘层和第二栅极；所述第一有源层和所述第一栅极绝缘层的厚度之和的最大值，大于所述第二有源层和所述第二栅极绝缘层的厚度之和。上述显示基板用于显示图像。

技术研发人员：苏同上,成军,王海涛,刘军,黄勇潮,汪军,闫梁臣
受保护的技术使用者：合肥鑫晟光电科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8