薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置的制作方法

本公开涉及装置，更具体地，例如但不限于，涉及薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置。

背景技术：

1、晶体管在电子装置领域中广泛用作开关器件或驱动器件。

2、构成氧化物半导体薄膜晶体管的有源层的氧化物可以在较低温度下生长，并且氧化物半导体薄膜晶体管具有高迁移率而且根据氧含量而具有大的电阻变化，由此可以容易地获得期望的特性。此外，考虑到氧化物的性质，由于氧化物半导体是透明的，因此有利的是实现透明显示器。然而，氧化物半导体薄膜晶体管具有稳定性和电子迁移率比多晶硅薄膜晶体管更低的缺点。

3、因此，正在进行研究以弥补氧化物半导体薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管的缺点并且充分利用各自的优点。

4、背景技术部分中提供的描述不应仅仅因为其在背景技术部分中被提及或与背景技术部分相关联而被认为是现有技术。背景技术部分可以包括描述主题技术的一个或更多个方面的信息。

技术实现思路

1、如发明人所认识到的那样，传统上，由于氧化物半导体是透明的，因此利于实现透明显示器。此外，氧化物半导体薄膜晶体管的优点是在较低温度下生长、具有高迁移率并且根据氧含量而具有较大电阻变化，由此可以容易地获得期望的特性。然而，氧化物半导体薄膜晶体管的缺点是稳定性和电子迁移率低于多晶硅薄膜晶体管。

2、鉴于上述问题提出了本公开，并且本公开的目的是提供一种薄膜晶体管，其能够通过减轻当薄膜晶体管工作时在氧化物半导体层的漏极区中产生的电场集中来防止或至少减小氧化物半导体层的高漏极电流应力(hdcs)。

3、本公开的一个目的是提供一种薄膜晶体管，其包括具有不同迁移率的氧化物半导体层，并且能够防止或至少减小由于电场集中导致的氧化物半导体层的高漏极电流应力(hdcs)。

4、本公开的另一目的是提供一种包括这种薄膜晶体管的显示装置。

5、除了上述本公开的目的之外，本领域技术人员从本公开的以下描述中将会清楚地理解本公开的其他目的和特征。

6、根据本公开的一个方面，可以通过提供一种薄膜晶体管来实现上述和其他目的，该薄膜晶体管包括：有源层；以及栅极，其与有源层间隔开并且至少部分地与有源层交叠。有源层包括：第一氧化物半导体层；以及第二氧化物半导体层，其与第一氧化物半导体层接触，并且其迁移率低于第一氧化物半导体层低的迁移率；以及接触部，其作为第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层彼此接触的部分与栅极交叠。

7、应当理解，上述一般描述和以下详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的发明构思的进一步解释。

技术特征：

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层具有10cm2/v·s至40cm2/v·s范围内的迁移率差。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层的迁移率在25cm2/v·s至50cm2/v·s的范围内。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第二氧化物半导体层的迁移率在10cm2/v·s至20cm2/v·s的范围内。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层设置在同一层上。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层和所述栅极之间的栅极绝缘层，其中，所述栅极绝缘层覆盖所述第一沟道部和所述第二沟道部并且暴露所述第一导体部和所述第二导体部。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述第一沟道部的至少一部分和所述第二沟道部的至少一部分在所述有源层的厚度方向上彼此交叠。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层的至少一部分在所述有源层的厚度方向上与所述第二氧化物半导体层的至少一部分交叠。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层在所述有源层的厚度方向上彼此不交叠。

11.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括彼此间隔开并且与所述第一导体部和所述第二导体部接触的源极和漏极。

12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层包括以下各项中的至少一种：ingazno基氧化物半导体材料、inzno基氧化物半导体材料、ingaznsno基氧化物半导体材料、insnzno基氧化物半导体材料、feinzno基氧化物半导体材料、zno基氧化物半导体材料、siinzno基氧化物半导体材料和zn-氮氧化物基氧基氧化物材料，其中，在所述ingazno基氧化物半导体材料中，基于摩尔数ga浓度<in浓度，并且

13.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层包括第一子层和位于所述第一子层上的第二子层。

14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中，所述第二子层的迁移率大于所述第一子层的迁移率。

15.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层包括位于所述第二子层上的第三子层。

16.根据权利要求15所述的薄膜晶体管，其中，所述第三子层的迁移率小于所述第二子层的迁移率。

17.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括设置在所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层。

18.根据权利要求17所述的薄膜晶体管，其中，所述第三氧化物半导体层大于所述第一氧化物半导体层或所述第二氧化物半导体层。

19.根据权利要求17所述的薄膜晶体管，其中，所述第三氧化物半导体层与整个所述栅极交叠。

20.根据权利要求17所述的薄膜晶体管，其中，所述第三氧化物半导体层在与所述栅极交叠的区域中与所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层交叠。

21.根据权利要求17所述的薄膜晶体管，其中，所述第三氧化物半导体层包括以下各项中的至少一种：ingazno基氧化物半导体材料、gazno基氧化物半导体材料、ingao基氧化物半导体材料和gaznsno基氧化物半导体材料，其中，在所述ingazno基氧化物半导体材料中，基于摩尔数ga浓度≥in浓度。

22.根据权利要求17所述的薄膜晶体管，其中，所述第三氧化物半导体层的迁移率低于所述第一氧化物半导体层的迁移率。

23.一种显示装置，所述显示装置包括根据权利要求1至22中任一项所述的薄膜晶体管。

技术总结
提供了一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置。薄膜晶体管包括：有源层；以及栅极，其与有源层间隔开并且至少部分地与有源层交叠。有源层包括：第一氧化物半导体层；以及第二氧化物半导体层，其与第一氧化物半导体层接触，并且其迁移率低于第一氧化物半导体层低的迁移率；以及接触部，其作为第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层彼此接触的部分与栅极交叠。

技术研发人员：赵贤哲,朴志皓
受保护的技术使用者：乐金显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/6/23