半导体封装结构的制作方法

本发明涉及半导体封装技术，尤其涉及一种半导体封装结构。

背景技术：

1、随着对可以执行更多功能的更小型设备的需求的增加，叠层封装(package-on-package，pop)技术已经变得越来越流行。pop技术竖直堆叠两个或更多个封装结构。通过堆叠封装结构，可以减少主板上占用的面积的量，并且因此可以增加手机的电池容量。

2、然而，尽管现有的半导体封装结构通常是足够的，但是它们在每个方面都不令人满意。例如，与并排设置的封装结构相比，堆叠封装结构共享更少的投影面积资源，这使得散热更差。散热是需要解决的关键问题，因为其影响半导体封装结构的性能。因此，需要还改进半导体封装结构。

技术实现思路

1、提供了半导体封装结构。半导体封装结构的示例性实施方式包括第一再分布层、第一半导体管芯、第二半导体管芯、散热器、模制材料和第二再分布层。第一半导体管芯和第二半导体管芯被并排设置在第一再分布层上方。散热器与第一半导体管芯和/或第二半导体管芯竖直交叠。模制材料围绕散热器、第一半导体管芯和第二半导体管芯。第二再分布层被设置在模制材料上方。

2、半导体封装结构的另一示例性实施方式包括第一再分布层、第一半导体管芯、第二半导体管芯、散热器、模制材料和第二再分布层。第一半导体管芯和第二半导体管芯被设置在第一再分布层上方。散热器被设置在第一半导体管芯和第二半导体管芯上方。模制材料在散热器下方且在第一半导体管芯与第二半导体管芯之间延伸。第二再分布层被设置在散热器上方。

3、半导体封装结构的又一示例性实施方式包括第一再分布层、第一半导体管芯、第二半导体管芯、散热器、模制材料和第二再分布层。第一半导体管芯和第二半导体管芯被并排设置在第一再分布层上方。散热器被设置在第一半导体管芯上方。模制材料将第二半导体管芯与第一半导体管芯和散热器间隔开。第二再分布层被设置在模制材料上方。

4、下面结合附图详细说明。

技术特征：

1.一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述散热器的相反的侧壁与所述第一半导体管芯的相反的侧壁对齐。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述散热器的相反的侧壁与所述第一半导体管芯的侧壁及所述第二半导体管芯的侧壁对齐。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，所述半导体封装结构还包括多个导电柱，在顶视图中，所述多个导电柱被设置在所述第一再分布层与所述第二再分布层之间并且被布置在第一方向上，

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其中，在所述顶视图中，所述散热器在所述第一方向上延伸，以覆盖所述第一半导体管芯的所述第一侧壁。

6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其中，在所述顶视图中，所述散热器还覆盖所述第二半导体管芯的所述第二侧壁。

7.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其中，在所述顶视图中，所述第一半导体管芯具有在所述第一方向上延伸的第三侧壁，并且所述第三侧壁通过所述散热器暴露。

8.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其中，所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯被布置在所述第二方向上。

9.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其中，所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯被布置在所述第一方向上。

10.一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：

11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其中，所述散热器具有比所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯大的投影面积。

12.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其中，所述散热器与所述第二再分布层接触。

13.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其中，所述散热器部分地嵌入所述第二再分布层中。

14.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其中，所述散热器通过粘合层接合到所述第二再分布层上。

15.根据权利要求14所述的半导体封装结构，其中，所述粘合层被所述模制材料围绕。

16.根据权利要求14所述的半导体封装结构，其中，所述粘合层被设置在所述第二再分布层中。

17.一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：

18.根据权利要求17所述的半导体封装结构，其中，所述第二半导体管芯的厚度大于所述第一半导体管芯和所述散热器的总厚度。

19.根据权利要求17所述的半导体封装结构，其中，所述第二半导体管芯通过粘合层接合到所述第二再分布层上。

20.根据权利要求17所述的半导体封装结构，其中，所述散热器具有比所述第一半导体管芯大的投影面积。

技术总结
本公开涉及半导体封装结构。该半导体封装结构包括第一再分布层、第一半导体管芯、第二半导体管芯、散热器、模制材料和第二再分布层。第一半导体管芯和第二半导体管芯被并排设置在第一再分布层上方。散热器与第一半导体管芯和/或第二半导体管芯竖直交叠。模制材料围绕散热器、第一半导体管芯和第二半导体管芯。第二再分布层被设置在模制材料上方。

技术研发人员：郭哲宏,林骏颖
受保护的技术使用者：联发科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/6/2