一种基于特性曲线的TFT信赖性测试方法与流程

本发明涉及tft显示技术，尤其涉及一种基于特性曲线的tft信赖性测试方法。

背景技术：

1、现有的tft显示面板随着使用时间的延长，显示效果逐渐降低，最后会出现显示异常。这是由于tft晶体管的光稳定性差，tft晶体管长期在光线照射下容易发生老化，进而引起特性漂移和开关比降低，从而导致tft显示面板的像素不能随着信号电压的要求及时打开与关闭，最终造成显示异常。

2、因此，如何确定导致所述tft晶体管特性漂移的目标波段光线，以及能够改善所述tft晶体管特性漂移的目标工艺参数，对于提高tft显示面板的信赖性具有重大意义。

技术实现思路

1、为了解决上述现有技术的不足，本发明提供一种基于特性曲线的tft信赖性测试方法，可以确定导致所述tft晶体管特性漂移的目标波段光线，以及能够改善所述tft晶体管特性漂移的目标工艺参数。

2、本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：

3、一种基于特性曲线的tft信赖性测试方法，包括如下步骤：

4、步骤100：获取采用相同工艺参数所制备的tft晶体管在不同波段光线下的特性曲线，并根据各特性曲线之间的差异，以确定导致所述tft晶体管特性漂移的目标波段光线；

5、步骤200：获取采用不同工艺参数所制备的tft晶体管在所述目标波段光线下的特性曲线，并根据各特性曲线之间的差异，以确定能够改善所述tft晶体管特性漂移的目标工艺参数。

6、本发明具有如下有益效果：本专利根据相同工艺参数所制备的tft晶体管在不同波段光线下的特性曲线进行比较，以确定导致所述tft晶体管特性漂移的目标波段光线，然后根据不同工艺参数所制备的tft晶体管在所述目标波段光线下的特性曲线进行比较，以确定能够改善所述tft晶体管特性漂移的目标工艺参数，在确定了所述目标工艺参数后，就可以在制备所述tft晶体管时，通过调节所述目标工艺参数的参数值来避免所述tft晶体管在长时间使用后因受光线照射而发生老化，进而引起特性漂移的问题，对于提高tft显示面板的信赖性具有重大意义。

技术特征：

1.一种基于特性曲线的tft信赖性测试方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于特性曲线的tft信赖性测试方法，其特征在于，在步骤100中，获取采用相同工艺参数所制备的tft晶体管在不同波段光线下的特性曲线，并根据各特性曲线之间的差异，以确定导致所述tft晶体管特性漂移的目标波段光线的步骤如下：

3.根据权利要求2所述的基于特性曲线的tft信赖性测试方法，其特征在于，在步骤110中，获取所述tft晶体管分别在所述对照光源和测试光源下的第一特性曲线和第二特性曲线的步骤如下：

4.根据权利要求4所述的基于特性曲线的tft信赖性测试方法，其特征在于，在步骤113中，所述teg测试设备在监测获得所述tft晶体管的第一特性曲线和第二特性曲线时，向所述tft晶体管依次输出正偏电压和负偏电压达到预定时长。

5.根据权利要求2所述的基于特性曲线的tft信赖性测试方法，其特征在于，在步骤120中，设置一第一误差范围，当所述第一特性曲线与所述第二特性曲线之间差值在所述第一误差范围内时，即判断所述tft晶体管分别在所述对照光源和测试光源下不存在特性差异，当所述第一特性曲线与所述第二特性曲线之间差值在所述第一误差范围外时，即判断所述tft晶体管分别在所述对照光源和测试光源下存在特性差异。

6.根据权利要求2所述的基于特性曲线的tft信赖性测试方法，其特征在于，所述对照光源为全波段光源。

7.根据权利要求2所述的基于特性曲线的tft信赖性测试方法，其特征在于，在步骤200中，获取采用不同工艺参数所制备的tft晶体管在所述目标波段光线下的特性曲线，并根据各特性曲线之间的差异，以确定能够改善所述tft晶体管特性漂移的目标工艺参数的步骤如下：

8.根据权利要求7所述的基于特性曲线的tft信赖性测试方法，其特征在于，在步骤230中，获取新制备的tft晶体管在所述对照光源下的第三特性曲线的步骤如下：

9.根据权利要求8所述的基于特性曲线的tft信赖性测试方法，其特征在于，所述teg测试设备在监测获得新制备的tft晶体管的第三特性曲线时，向新制备的tft晶体管依次输出正偏电压和负偏电压达到预定时长。

10.根据权利要求7所述的基于特性曲线的tft信赖性测试方法，其特征在于，在步骤240中，设置一第二误差范围，当所述第三特性曲线与所述第一特性曲线之间差值在所述第二误差范围内时，即判断所述tft晶体管的特性漂移未得到改善，当所述第三特性曲线与所述第一特性曲线之间差值在所述第二误差范围外时，即判断所述tft晶体管的特性漂移得到改善。

技术总结
本发明公开了一种基于特性曲线的TFT信赖性测试方法，包括步骤：获取采用相同工艺参数所制备的TFT晶体管在不同波段光线下的特性曲线，并根据各特性曲线之间的差异，以确定导致所述TFT晶体管特性漂移的目标波段光线；获取采用不同工艺参数所制备的TFT晶体管在所述目标波段光线下的特性曲线，并根据各特性曲线之间的差异，以确定能够改善所述TFT晶体管特性漂移的目标工艺参数。该TFT信赖性测试方法，可以确定导致所述TFT晶体管特性漂移的目标波段光线以及能够改善所述TFT晶体管特性漂移的目标工艺参数。

技术研发人员：王瑞生,刘福知,曹仁辉
受保护的技术使用者：信利（仁寿）高端显示科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/21